欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(47)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

抗硫酸露点腐蚀钢的表面研究

张瑗 , 纪元 , , 梁成广 , 肖纪美

中国腐蚀与防护学报

抗硫酸露点腐蚀钢的表面研究张瑗,纪元,,梁成广,肖纪美(北京科技大学北京100083)1引言以高硫重油为燃料的锅炉烟气中常含有较多的SOZ、SO3,在锅炉的低温部位,如空气预热器、集尘器、烟道、烟囱等处引起所谓的“硫酸露点腐蚀”.日本开发的各种S-TEN钢具有良好的抗硫酸露点腐蚀性能.在成分上,S-TEN钢与普通碳钢不同的是:它含有少量的Cll、Sb元素.但这些合金元素提高抗硫酸露点腐?...

关键词: null , S-TEN steel , Surface segregation

织构和界面粗糙度对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响

李明华 , 于广华 , , 姜宏伟 , 赖武彦

功能材料

采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜(分别以Ta、Cu作为缓冲层,Ta作为保护层).实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大,而矫顽力却很小.我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析.以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑,这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力.

关键词: NiFe/FeMn , 交换偏置场 , 织构 , 界面粗糙度

化学镀Co-P薄膜的磁性及研究

王海成 , 杜中美 , 王立锦 , 于广华 ,

功能材料

采用化学镀法制备了Co-P磁记录薄膜.当薄膜厚度为0.3μm时,矫顽力可达4.54×104A/m,剩余磁化强度为0.068T.X射线衍射分析表明,当Co-P薄膜较薄时,薄膜结构中无明显择优取向,晶粒较小,此时矫顽力较高;当厚度增加至3~4μm以上时,结构中择优取向明显,晶粒较大,此时薄膜的矫顽力较低.将其应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,制成直径φ40mm的磁鼓,当原始充磁磁极对数为512时,脉冲计数完整,输出信号强,波形稳定.

关键词: 化学镀 , 磁鼓 , Co-P薄膜 , 磁记录介质

FePt/Cu多层膜化降低L10-FePt有序化温度

李宝河 , 黄阀 , 杨涛 , 冯春 , 滕蛟 ,

金属学报

采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜, 再经不同温度下真空热处理得到有 序L10-(FePt)100-xCux薄膜. 结果表明, Cu的添加可以降低FePt 薄膜有序化温度. [FePt(4 nm)/Cu(0.2 nm)]10多层膜在350 ℃热处理1 h后, 有序度增至0.6, 矫顽力达到421 kA/m. 对插入极薄Cu层促进有序化在较低的温度 下进行的热力学和动力学因素进行了讨论.

关键词: FePt/Cu多层膜 , L10-FePt ordered phase , magnetron sputtering

NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

张辉 , 滕蛟 , 于广华 , 吴杏芳 ,

金属学报

采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制制成了厚度t=20nm、长度l=2.5mm,宽度w分别为50μm、20μm、10μm、5μm、3μm的AMR元件。测量了AMR元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程。宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难。在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘。

关键词: 各向异性磁电阻 , AMR Element , Non-uniform Demagnetizing field , Magnetization Switch

插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响

, 于广华 , 李明华 , 姜宏伟 , 赖武彦

金属学报

对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.

关键词: 层间偏聚 , null , null , null

非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响

张辉 , 滕蛟 , 于广华 , 吴杏芳 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.008

采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件.测量了NiFe元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,理论和实验符合.

关键词: 各向异性磁电阻 , AMR元件 , 非均匀退磁场

插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析

李明华 , 于广华 , , 曾德长 , 赖武彦

功能材料

在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低.为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层.实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍.XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场.

关键词: NiFe/FeMn , 交换偏置场Hex , 表面偏聚 , Bi插层

种子层(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx成分及厚度对Ni0.81Fe0.19薄膜磁性和微结构的影响

李海峰 , 马纪东 , 张辉 , 于广华 ,

金属学报

用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜, 研究了种子层成分及最大限度度对薄膜磁性和微结构的影响, 结果表明: 当种子层(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度为5.5 nm时, Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值为(2.53±0.06)%; 当Cr的含量为0.36时, Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值为(3.35±0.06)%. AFM及XRD研究表明: 不同厚度缓冲层(厚度分别为2.8, 5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸基本都为35.2 nm, 但其111织构相差很大, AMR值最大时, 对应的111衍射峰最强; 不同Cr含量(分别为0.28, 0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和111衍射峰相差都很明显, AMR值最大时, 对应地薄膜表面平均晶粒尺寸最大, Ni0.81Fe0.19111衍射峰也最强.

关键词: Ni0.81Fe0.19薄膜

关于异种钢焊接接头的碳迁移问题

倪瑞澄 ,

金属学报

本文从热力学的活度概念出发,讨论了异种钢焊接接头的碳迁移现象。除接头两侧化学成分差别外,着重指出不同晶体结构对碳迁移有很大影响,强调了相变过程对碳迁移的重要作用。 根据一些异种钢接头碳迁移的特点,将碳迁移过程分为两类:第一类是在焊接高温极短时间内发生的,析出先共析铁素体是发生强烈碳迁移的主要条件;第二类是在相对低的温度长时间内发生的,铬等强烈形成碳化物元素的扩散速度是影响碳迁移过程的主要环节。 为抑制这两类碳迁移,从热力学和动力学两方面考虑,提出了具体措施。

关键词:

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共5页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词