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SiCp表面化学镀对SiCp/Al复合材料微结构及热性能影响?

, 吴文政 , 俞应炜 , 邹爱华 , 郜友彬 , 陈佳 , 吴武英 , 任卫华 , 徐林花 , 颉三刚 , 廖小军 , 谭树杰 , 蒋磊

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.019

为了改善SiCp 与Al基体之间的界面,在碱性条件下,甲醛作为还原剂,采用化学镀的方法在SiCp 表面沉积铜层,然后采用无压渗透方法制备SiCp/Al复合材料.采用X射线衍射仪、3D立体视频显微镜、扫描电子显微镜来分析化学镀后 SiCp 和复合材料的表面、界面形貌、组织结构及物相,并通过 EDS能谱对复合材料表面元素成分分析,利用激光闪光法测定复合材料导热系数.结果表明,相比酒石酸钾钠单一络合剂,采用酒石酸钾钠和 EDTA-2Na 组成的双络合剂的SiCp 镀层更致密,且镀层未被氧化,复合材料界面结合良好,界面厚度为2.5~3μm,有 AlCu2相生成,无Al4 C3脆性相存在.室温下,镀铜后的复合材料热导率达到181 W/(m·K),远高于没有表面改性的复合材料热导率102 W/(m·K).

关键词: SiCp/Al 复合材料 , 化学镀 , 微结构 , 界面 , 热导率

酸性土壤中接地网牺牲阳极阴极保护法研究

杜鹏 , 刘欣 , 郜友彬 , , 裴锋 , 刘光明 , 田旭 , 蒋磊

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.10.019

目的:提高牺牲阳极的阴极保护法在酸性土壤中对接地网的防腐能力,分析牺牲阳极阴极保护法在酸性土壤中应用的技术要点,总结保护效果优化措施。方法设计牺牲阳极模拟系统,模拟地网面积为3.52 m2,保护电流设计为35.2 mA,对Q235碳钢和镀锌钢两种常用接地材料的接地电阻、保护电位及保护电流进行研究。结果该方法对镀锌钢保护较好,保护电位均低于-0.95 V;对Q235碳钢保护较差,保护电位部分高于-750 mV,且波动较大,最大波幅可达201 mV。系统运行中,计算得出保护电流在降雨量较大时最高可达30.75 mA,降雨量较小时最低为11.89 mA,均低于设计值。结论由于阳极处砂石较多、土壤电阻率高,阳极不能完全释放电流。其次,土壤保水性差,电阻率波动大,系统运行不稳定也抑制了保护效果。酸性土壤盐基性离子大量淋失,土壤电阻率普遍较高,且受降雨扰动较大,牺牲阳极工作效率较低且稳定性差。需采用适当提高保护电流、降低阳极区土壤电阻率、优化阳极设计工艺参数等措施以达到良好的保护效果。

关键词: 酸性土壤 , 牺牲阳极 , 阴极保护 , 接地电阻 , 保护电位 , 保护电流

聚苯胺接枝石墨的制备及性能测试

裴锋 , 胡孝涛 , 田旭 , 刘欣 , 刘志雷 , 刘光明 , , 黄健航 , 刘文杰

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.09.034

目的 通过石墨表面的原位接枝反应制备聚苯胺接枝改性石墨(GO-g-PANI).方法 首先对鳞片石墨进行氧化,然后利用表面的羟基与硅烷偶联剂KH550反应在其表面引入胺基,进而接枝聚苯胺,制备聚苯胺接枝改性石墨(GO-g-PANI).通过FTIR、SEM、四探针导体/半导体电阻率测试仪进行表征,并将其作为导电填料制备导电涂料.结果 在苯胺与石墨不同的比例下,产率都在92%以上,并且当石墨与苯胺质量比为3:1时,在石墨表面生长出针状聚苯胺,其形成的复合材料的电阻率最低,为12.8 Ω·mm.当此改性石墨在固膜含量为30%(质量分数)时涂料的综合性能最佳.结论 聚苯胺可以通过原位反应接到石墨上,并且能够改善氧化石墨的导电性能,在导电材料、电磁屏蔽材料方面具有潜在的应用前景.

关键词: 石墨 , 聚苯胺 , 接枝 , 硅烷偶联剂 , 电阻率 , 针状

中国金刚石膜技术专利现状分析

相炳坤 , 左敦稳 , 黎向锋 , 徐锋 , , 陈荣发

人工晶体学报

金刚石膜具有特别优异的性能,在高技术领域有着极为广泛的应用.本文采集1985年到2007年中国金刚石膜技术专利文献,建立专利数据库,从技术和竞争两个方面对其发展脉络和竞争格局进行定量和定性分析,揭示出国内金刚石膜技术已处于较成熟阶段,机械加工和半导体电子领域是其潜在的重点应用领域,涂层技术和定向或单晶生长是其重点开发工艺,国内申请人在专利数量上占优,国外申请人在专利质量上见长,并对国内外重要申请人的研发能力和研发重点进行对比分析,最后提出了一些发展金刚石膜技术的专利战略.

关键词: 金刚石膜 , 专利数据库 , 专利分析 , 竞争 , 专利战略

等离子体稳定性对曲面金刚石膜生长的影响

, 周贤良 , 左敦稳 , 邹爱华

功能材料

采用直流等离子体喷射化学气相沉积(DCPJCVD)制备曲面金刚石膜,等离子体稳定性对金刚石膜生长十分重要.研究表明,曲面金刚石膜长时间生长,阳极积聚石墨碳点,等离子体流动受阻失稳,金刚石膜含较多杂质.通过对阳极除碳处理,可维持稳定的等离子体、稳定的电子温度Te、均匀的活性原子及原子基团密度.制备的金刚石膜经SEM、Raman等表征,发现曲面金刚石膜致密、晶粒均匀,仅发现金刚石特征峰,制备的曲面金刚石膜质量较高.

关键词: 曲面金刚石膜 , CVD , 直流等离子体 , 稳定性

直流电弧喷射等离子体炬阳极喷嘴积碳现象的研究

陈荣发 , 左敦稳 , , 相炳坤 , 赵礼刚 , 王珉

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.01.005

采用高功率直流电弧等离子体喷射化学气相沉积工艺,制备了不同厚度的自支称金刚石厚膜.实验发现,等离子体炬阳极喷嘴积碳是沉积过程中最突出的问题之一.从理论和实验两个方面研究了阳极积碳产生的原因,并通过激光拉曼光谱分析了碳球的结构和成分.结果表明,碳球由金刚石层、混合层和最外面的石墨层构成.详细分析了甲烷浓度、冷却水温度、放电电弧的局部高温、阳极喷嘴的表面质量对积碳形成的影响,并提出了改进措施.

关键词: 阳极碳球 , 结构与成分 , 等离子炬 , 工艺改进

直流等离子体CVD金刚石薄膜微观结构分析

, 左敦稳 , 陈荣发 , 相炳坤 , 赵礼刚 , 王珉

稀有金属材料与工程

采用直流等离子体CVD法制备了金刚石膜,利用X射线衍射、光学显微镜、扫描电镜、激光拉曼光谱等技术研究了金刚石膜的微观组织,晶粒择优取向生长过程.结果表明:开始形核时,晶粒随机无择优生长;对基体表面氢刻蚀预处理,有利于晶胚形核长大.甲烷浓度对金刚石膜晶粒择优取向生长有重要影响:甲烷浓度较低时,金刚石膜(100)面择优生长,形成以(111)为主的八面体晶体,并且可以制取中心和边缘均匀、高质量光学级自支撑金刚石膜,但生长速率慢,效率低.同时也发现金刚石膜存在空位、孔洞等缺陷.

关键词: 化学气相沉积 , 直流等离子体 , 金刚石膜 , 微观结构

大面积球面金刚石膜的均匀沉积研究

相炳坤 , 左敦稳 , , 陆海泉 , 陈荣发

人工晶体学报

利用直流电弧等离子体喷射法沉积装置在底径65 mm、高5 mm的Mo球面衬底上制备出厚度大于500 μm金刚石膜.用千分尺测量膜径向厚度以判断膜厚均匀性,用SEM观察膜的表面形貌,用拉曼谱仪测量膜的表面纯度,通过分析电镜形貌和拉曼谱峰的分布特点来判断金刚石膜的质量均匀性.结果表明,在优化工艺条件下,直流电弧等离子体喷射法设备可以在球面Mo衬底上生长出厚度和质量都比较均匀的半透光的自支撑球面金刚石厚膜.

关键词: 金刚石膜 , 直流电弧等离子体喷射法 , 均匀性 , SEM , 拉曼

甲烷浓度对等离子喷射金刚石厚膜生长稳定性的影响

陈荣发 , 左敦稳 , , 相炳坤 , 赵礼刚 , 王珉

金属学报

采用高功率直流电弧等离子体CVD工艺制备了不同厚度的无裂纹自支撑金刚石厚膜。实验中观察到在金刚石厚膜生长过程中出现了形貌不稳定性,其程度随甲烷浓度的不同而变化。从理论和实验两个方面对这种不稳定性进行了讨论, 认为直流电弧等离子体的高温造成碳源高饱和度是生长不稳定性的根本原因。 实验结果表明,在沉积金刚石厚膜时,为了稳定地获得高质量的厚膜,甲烷浓度不宜过高。

关键词: 金刚石厚膜 , null , null

甲烷浓度对等离子喷射金刚石厚膜生长稳定性的影响

陈荣发 , 左敦稳 , , 相炳坤 , 赵礼刚 , 王珉

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.017

采用高功率直流电弧等离子体CVD工艺制备了不同厚度的无裂纹自支撑金刚石厚膜.实验中观察到在金刚石厚膜生长过程中出现了形貌不稳定性,其程度随甲烷浓度的不同而变化.从理论和实验两个方面对这种不稳定性进行了讨论,认为直流电弧等离子体的高温造成碳源高饱和度是生长不稳定性的根本原因.实验结果表明,在沉积金刚石厚膜时,为了稳定地获得高质量的厚膜,甲烷浓度不宜过高.

关键词: 金刚石厚膜 , 生长稳定性 , 甲烷浓度 , 直流等离子喷射 , 化学汽相沉积

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