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高温相偏硼酸钡(α-BaB2O4)晶体的缺陷行为分析

新军 , 邹宇琦 , 陈杏达 , 徐军 , 杨秋红 , 田玉莲 , 黄万霞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.009

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性,并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因.在(001)面发现生长扇界和亚晶界,而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体.使用双晶衍射实验发现在(001)面有生长条纹,这些生长条纹呈环形,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关.运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑,表明晶体为三方结构.

关键词: α-BaB2O4晶体 , 同步辐射白光X射线形貌术 , 双晶衍射 , 缺陷

纳米复合Y2O3/TiO2的制备、表征及其光催化性能研究

芳柏 , 万洪富 , 黄志尧 , 古国榜 , 新军

中国稀土学报

采用溶胶-凝胶法制备复合半导体Y2O3/TiO2。掺入Y2O3会阻碍锐钛矿晶相的出现,掺入浓度越大,TiO2锐钛矿(101)峰强度减小越大、平均晶粒直径与颗粒直径减小、比表面积增大;Y2O3/TiO2具有高热稳定性与高比表面积,由于量子尺寸效应,掺入Y2O3使光催化剂的拉曼峰发生微小位移,在380~460nm范围内,使反射率增强。以亚甲基蓝与甲基橙溶液光催化降解为模型反应,掺入Y2O3,复合光催化剂对亚甲基蓝溶液的光催化脱色降解一级动力学常数明显低于纯TiO2的;掺入5%和10%Y2O3,复合光催化剂对甲基橙溶液的光催化脱色降解一级动力学均常数高于纯TiO2的,掺入浓度太高反而有害。讨论了掺入Y2O3后光物理性质的变化与其光催化活性的关系。

关键词: 稀土 , 光催化 , 二氧化钛 , 三氧化二钇 , 复合半导体 , 亚甲基蓝

银掺杂对低钒负载量Ag-V/TiO_2脱硝催化性能的影响

王在华 , 新军 , 宋文吉 , 陈金发 , 黎涛 , 冯自平

功能材料

以钛酸丁酯、偏钒酸铵和硝酸银为原料,通过溶胶-凝胶法制备了银掺杂低钒负载量的Ag-V/TiO2脱硝催化剂,采用X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、程序升温还原(TPR)、热重-质谱联用(TG-MS)和傅里叶变换红外(FT-IR)光谱进行了表征,并考察了催化剂脱硝性能。结果表明随着银掺杂量的提高,催化剂的低温活性大幅度提升,高温活性先提高后降低,并且催化剂具有良好的寿命。银主要以单质银形式存在,其抑制了催化剂晶粒增大,降低了表面氧的活化能,降低了VO键能,降低了钒的还原温度,从而提高了脱硝性能。

关键词: 脱硝催化剂 , 银掺杂 , TiO2 , 低钒负载量

Sm掺杂对TiO2薄膜光催化性能的影响

陈俊涛 , 新军 , 杨莹 , 王良焱 , 何明兴

催化学报

采用溶胶-凝胶法、浸渍-提拉法制备了不同形式和不同含量Sm掺杂的锐钛矿晶型TiO2的光催化剂薄膜. 采用X射线衍射、UV-Vis光谱及电化学实验对所制得的TiO2光催化剂薄膜进行了表征,并通过甲基橙溶液的光催化降解实验评价了其光催化活性. 结果表明,与未掺杂的TiO2薄膜相比,Sm掺杂的TiO2薄膜的UV-Vis吸收光波长向长波方向移动,并且光照开路电压也相应提高; 适量Sm掺杂可以明显提高TiO2薄膜的光催化活性,最佳Sm掺杂量为x(Sm3+)=0.5%; 在各种掺杂形式中以表层Sm掺杂的Sm-TiO2(S)薄膜的光催化活性最好. 讨论了Sm掺杂提高TiO2薄膜光催化活性的机理.

关键词: 溶胶-凝胶法 , , 掺杂 , 二氧化钛 , 薄膜 , 甲基橙 , 光催化降解 , PN结 , 晶格膨胀

具有可见光活性的TiO2薄膜的制备及光催化性能

张琦 , 王良焱 , 新军 , 芳柏 , 何明兴 , 梁园园

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.015

运用磁控溅射技术在浸渍-提拉法制得的TiO2薄膜上溅射三氧化钨层得到光催化薄膜.采用SEM、XRD、AES、UV-vis漫反射光谱等方法表征催化剂薄膜的厚度、晶相结构、化学元素组成及光吸收性能.以甲基橙的光催化降解为反应模型,高压汞灯为光源,溅射有三氧化钨薄膜的哪光催化活性低于纯TiO2薄膜;滤过紫外光后,溅射有三氧化钨的薄膜光催化活性明显高于纯TiO2薄膜.本实验提供了一种制备高可见光活性的TiO2薄膜的方法.

关键词: 薄膜 , 可见光活性 , 二氧化钛 , 磁控溅射 , 氧化钨

YVO4晶体缺陷分析

邹宇琦 , 新军 , 徐军 , 干福熹 , 田玉莲 , 黄万霞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.004

运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.

关键词: YVO4晶体 , 缺陷 , 同步辐射白光X射线形貌术 , 电子探针仪

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