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射频磁控溅射 Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜表层的XPS研究

唐章东 , , 廖家轩 , 张继华 , 冷文建 , 陈宏伟 , 符春林

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00713

用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si基体上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜, 用X射线光电子能谱(XPS)研究BST薄膜表层在常规晶化和快速晶化条件下的结构特征. 结果表明, 常规晶化时, BST薄膜表层约3~5nm厚度内含有非钙钛矿结构的BST, 随着温度的升高该厚度增加; 快速晶化时, 该厚度减薄至1nm内, 随着温度的升高没有明显增加. 元素的化学态分析结果表明, 非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的CO和CO2等污染物, 而与表面吸附的其他元素(如吸附氧)对表层结构的影响有关. GXRD和AFM表明, 致密的表面结构能有效的阻止表面吸附元素在BST膜体中的扩散, 从而减薄含非钙钛矿结构层的厚度.

关键词: BST , surface layer , crystallization , perovskite structure , XPS

射频磁控溅射Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜表层的XPS研究

唐章东 , , 廖家轩 , 张继华 , 冷文建 , 陈宏伟 , 符春林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.032

用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si基体上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)研究BST薄膜表层在常规晶化和快速晶化条件下的结构特征.结果表明,常规晶化时,BST薄膜表层约3~5nm厚度内含有非钙钛矿结构的BST,随着温度的升高该厚度增加;快速晶化时,该厚度减薄至1nm内,随着温度的升高没有明显增加.元素的化学态分析结果表明,非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的CO和CO2等污染物,而与表面吸附的其他元素(如吸附氧)对表层结构的影响有关.GXRD和AFM表明,致密的表面结构能有效的阻止表面吸附元素在BST膜体中的扩散,从而减薄含非钙钛矿结构层的厚度.

关键词: BST , 表层 , 晶化 , 钙钛矿结构 , XPS

钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能研究

陈宏伟 , , 符春林 , 赵莉 , 高志强

功能材料

采用射频磁控溅射法制备了BaxSr1-xTiO3(简称BST)薄膜材料,研究了不同膜厚、晶粒尺寸的BST薄膜的介电系数温度特性(εr-T)、频率特性(εr-f)、电压特性(εr-U)及损耗的温度特性(tgδ -T)、频率特性(tgδ -f),找出了BST薄膜的非线性、损耗随尺度变化的规律.

关键词: 钛酸锶钡 , 薄膜 , 膜厚 , 晶粒尺寸 , 介电性能

铁电薄膜移相器研究进展

余桉 , , 张继华 , 陈宏伟 , 王波 , 张瑞婷

材料导报

铁电薄膜移相器响应速度快、成本低、功耗和体积小,是一种模拟移相器,非常适合应用于相控阵天线特别是共形阵天线.介绍了4种主要的铁电薄膜移相器的结构、原理、性能和特点,指出分布型和全通网络型铁电薄膜移相器具有良好的发展前景,并进一步总结了国内外研究现状和存在的问题,提出了今后的研究方向.

关键词: 移相器 , 铁电薄膜 , 相控阵天线 , BST可变电容 , BST薄膜

TGS和GTGS热释电晶体的热力学模型模拟曲线

胡文成 , , 张万里 , 廖希异

功能材料

通过热力学推导,建立了零电场下热释电晶体的极化与温度的方程.由热释电系数的定义,对热释电晶体的极化方程对温度求导,得出由热力学模型建立的热释电方程.并对热释电晶体硫酸三甘氨酸(TGS)和掺胍TGS(GLTGS)的实验曲线进行了模拟,该理论基本符合.

关键词: 热释电晶体 , 极化方程 , 热力学模型 , 热释电方程

钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究

胡立业 , , 符春林 , 陈宏伟

功能材料

采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极/铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称.最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证.

关键词: 钛酸锶钡 , 薄膜 , C-V曲线 , 不对称 , 界面

钛酸锶铅铁电薄膜的制备、应用及其研究进展

裴亚芳 , , 陈宏伟 , 张继华 , 冷文健

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2006.06.008

综述了钛酸锶铅(PST)铁电薄膜目前最常用的4种制备工艺:溶胶-凝胶(Sol-gel)法、磁控溅射(Magnetron Sputtering)、脉冲激光沉积(PLD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD),并简要介绍了PST目前的研究进展以及PST薄膜在铁电移相器、动态随机存储器(DRAM)和热释电红外探测器方面的应用,提出了发展展望.

关键词: 钛酸锶铅(PST) , 铁电薄膜 , 制备工艺 , 应用

铁电薄膜中的电畴研究进展

符春林 , , 陈宏伟 , 王迎新 , 胡立业

材料导报

铁电薄膜是一类重要的功能材料,铁电畴是其物理基础.综述了铁电薄膜中电畴的表征方法(高分辨透射电镜、扫描力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱等)、类型(c畴和a畴、180°畴和90°畴等)、临界尺寸(单畴临界尺寸和铁电临界尺寸)等方面的研究进展,提出了研究中需要解决的一些问题.

关键词: 电畴 , 铁电薄膜 , 临界尺寸 , 表征方法

石英基片上(11O)取向PLZT薄膜及其光学性能研究

张继华 , 莫尚军 , 闻伟 , 陈宏伟 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.03.002

在低成本的石英玻璃衬底上制备高性能电光薄膜非常有吸引力.本文采用溅射方法,并结合Pb3O4气氛退火工艺,在ITO/石英玻璃衬底上制备锆钛酸铅镧(PLZT 8/65/35)薄膜.结果表明:在优化工艺条件下,薄膜为(110)方向择优生长,表面均方根粗糙度为3.1nm,可见光范围内透过率为81.3%,消光系数为0.003.这种表面光滑和高光学性能的PLZT薄膜在集成光学和光电子器件具有重要的应用潜力.

关键词: 铁电 , 锆钛酸铅镧(PLZT) , 薄膜 , 光学性能

BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2四元系微波介质陶瓷

, 叶耀红 , 成韬 , 何进 , 游文南

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.02.010

本文研究了Bi2O3、PbO及Sm2O3对BaO-Nd2O3-TiO2(简称BNT)系陶瓷材料微波性能的影响.实验表明,在BNT系材料中掺入Bi2O3或PbO可降低材料的频率温度系数τf,但同时也使材料的tgδ增大.采用Sm取代部分Nd,形成BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(简称BNST)四元系陶瓷材料,可有效降低材料的τf,改善频率温度稳定性,而不会降低材料的品质因素Q0.当Sm2O3∶Nd2O3=7∶3(mol比)时,可得到εr=80.80,tgδ=2.92×10-4(2.7GHz测),τf=23.63ppm/℃的高性能BNST四元系微波介质陶瓷材料.

关键词: 微波介质陶瓷 , 介质谐振器 , 钕钛钡 , 钐钛钡

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