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ZnGeP2晶体的合成与生长

春晖 , 王猛 , 夏士兴 , 孙亮 , 朱崇强 , 吕维强 , 姚宝权 , 王月珠

人工晶体学报

采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为22×90 mm2.晶体透光范围0.7~12.0 μm,平均透过率达到56%;OPO光参量震荡器件尺寸6×6×15 mm3,采用2 μm的泵浦光,产生4 W以上的3.8~4.5 μm激光输出.

关键词: ZnGeP2晶体 , 合成 , 生长 , 透过率 , 光参量震荡

ZnGeP2晶体近红外吸收特性的研究

夏士兴 , 春晖 , 朱崇强 , 马天慧 , 王猛 , 雷作涛 , 徐斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体, 晶体毛坯尺寸达直径20mm×90mm, 选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品. 从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性. 实验结果显示: 晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大, 表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小, 这是由于晶体内缺陷密度发生了改变, 且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡, 进而导致晶体的近红外吸收产生差异. 理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷和受主缺陷的吸收光谱. 计算结果表明: 受主缺陷对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷. 

关键词: 磷化锗锌 , near infrared absorption , defects density , donor defects , acceptor defects

ZnGeP2晶体近红外吸收特性的研究

夏士兴 , 春晖 , 朱崇强 , 马天慧 , 王猛 , 雷作涛 , 徐斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,品体毛坯尺寸达Ф20mm×90mm,选取品体尾部、品体中部、籽品端三个部位厚度为4.0mm的抛光品片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明品体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷Ge+Zn和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施丰缺陷Ge+Zn.

关键词: 磷化锗锌 , 近红外吸收 , 缺陷密度 , 施主缺陷 , 受主缺陷

超分子化合物[CuCl(4,4′-bipy)]n的合成与晶体结构

春晖 , 刘玉敬 ,

人工晶体学报

本文采用水热合成法设计并合成了一个新颖的超分子化合物[CuCl(4,4′-bipy)]n,对其进行了元素分析,红外光谱和X射线单晶衍射测定.单晶结构分析表明该化合物属单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数:α=0.37733(8)nm,b=1.2711(3)nm,c=1.1403(2)nm,β=94.15(3)°,V=0.54547(19)nm3,Z=4.该化合物含有一维[CuCl]n阶梯链结构.在堆积结构中,弱的分子间C-H…Cl氢键和π-π堆积相互作用是控制这个化合物新颖超分子层的最主要因素.

关键词: 水热合成 , 氢键 , π-π堆积作用

3-氯丙基三甲氧基硅烷合成新方法的研究

李季 , 春晖 , 张磊 , , 邵韦

材料科学与工艺

为提高产率、降低成本,以3-氯丙烯和三甲氧基硅烷为原料、水合三氯化钌为催化剂进行3-氯丙基三甲氧基硅烷的一步合成反应,研究了反应温度、催化剂浓度、原料的加料方式、反应时间、原料的配比对产物收率的影响.结果表明,最佳的反应条件为反应温度80℃、钌催化剂质量分数63 μg/g、3-氯丙烯向三甲氧基硅烷中滴加方式、三甲氧基硅烷/3-氯丙烯的物质的量比为1.2~1.4,在此优化工艺条件下可以得到最高产物收率为96.7%.

关键词: 3-氯丙基三甲氧基硅烷 , 硅氢加成 , 3-氯丙烯 , 三甲氧基硅烷

季铵碱树脂催化三甲氧基硅烷制备甲硅烷

, 安茂忠 , 春晖 , 张磊 , 胡成发 , 葛士彬

材料科学与工艺

为制备高纯度甲硅烷气体,用强碱性季铵碱阴离子交换树脂催化三甲氧基硅烷溶液进行歧化反应.采用脉冲放电氦离子化检测器测试粗甲硅烷气体,用气相色谱-质谱联用仪、感应耦合等离子体质谱仪测试精馏提纯的副产物四甲氧基硅烷.实验结果表明:在30~50℃和0.2~0.3 MPa条件下反应制备的粗甲硅烷气体中,H2、O2、Ar、N2、CH4的质量浓度分别为221.12、1.76、1.61、17.97、0.15μg/L,纯度达到99.9%;副产物四甲氧基硅烷中,金属杂质总质量浓度低于0.15μg/L,可用来制备高纯度硅溶胶;季铵碱催化三甲氧基硅烷歧化反应,反应条件温和,三甲氧基硅烷转化率96%,硅烷产率95%.催化剂易于购买,采用固定床反应器易于控制反应,易于连续加料,此工艺具有工业化生产价值.

关键词: 季铵碱 , 阴离子交换树脂 , 三甲氧基硅烷 , 甲硅烷

[Li]/[Nb]比对Ce:LiNbO3晶体结构及光折变性能的影响

王淼 , 王锐 , 春晖 , 徐衍岭 , 刘欣荣 , 吕祖舜

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.019

在铌酸锂(LiNbO3,LN)中掺入摩尔分数为0.1%的CeO2,以提拉法从不同[Li]/[Nb]摩尔比([Li]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)的熔体中生长出了Ce:LN晶体.测试了晶体的晶格常数、红外光谱和居里温度.结果表明:随着[Li]/[Nb]比的增加,晶体仍为三方的LN晶体,且晶格常数和晶胞体积没有发生大的变化,v(OH-)振动峰的位置依次向长波方向移动,居里温度依次增加,结构缺陷减少.由于Ce和[Li]/[Nb]比的协同作用,[Li]/[Nb]比为1.100的Ce:LN晶体已接近化学计量比,[Li]/[Nb]比为0.850的Ce:LN晶体的居里温度近似等于纯LN晶体.利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算了晶体的光折变灵敏度及动态范围.测试了晶体的抗光致散射能力,结果表明:[Li]/[Nb]比越高的Ce:LN晶体的光折变性能越好.并分析了不同[Li]/[Nb]比Ce:LN晶体光折变性能增强的机理.

关键词: Ce:LiNbO3晶体 , 结构缺陷 , [Li]/[Nb]比 , 光折变性能

激光晶体Zn:Ho:LiNbO3的生长及其光学性能

赵业权 , 徐悟生 , 徐衍岭 , 春晖 , 徐玉恒

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.011

在生长LiNbO3晶体过程中掺进ZnO和Ho2O3,生长出Zn:Ho:LiNbO3晶体.测试了Zn:Ho:LiNbO3晶体的双折射梯度、光损伤阈值、吸收光谱和荧光光谱.研究表明,Zn:Ho:LiNbO3晶体是优良的激光介质材料.

关键词: Zn:Ho:LiNbO3晶体 , 光损伤阈值 , 荧光光谱 , 吸收光谱 , 引上法晶体生长 , 激光晶体

脉冲参数对镀层微观结构及性能的影响

侯丛福 , 王菊 , 于桂云 , 春晖 , 哲龙 , 屠振密

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2001.01.005

采用脉冲电镀法在紫铜和钢制试样上制备镀镍层。用SEM和X衍射仪观察和研究了脉冲电镀镍层的表面形貌微观结构,测试了镀层硬度,测量了试样在7 mol/L HNO3溶液中的耐蚀性。用滤纸法和挠度弯曲法测试了镀层的孔隙率和内应力。研究结果表明,脉冲电镀镍层与直流镀镍层相比,结晶细密,孔隙率低,内应力和硬度提高,这主要是存在[200]晶面择优取向的结果。

关键词: 脉冲镀镍 , 微观结构 , 孔隙率 , 耐蚀性

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