欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(511)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

姚振钰 , 贺洪波 , 柴春 , 刘志凯 , 杨少延 , 张建辉 , 廖梅勇 , 范正修 , 秦复光 , 王占国 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.010

室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜.XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量.在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关.

关键词: 磁控溅射 , ZnO薄膜 , Si衬底

NH3-MBE生长极化场二维电子气材料

孙殿照 , 刘宏新 , 王军喜 , 王晓亮 , 刘成海 , 曾一平 , 李晋闽 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013

介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).

关键词: 氮化镓 , GaN , 分子束外延 , 二维电子气 , 极化

二元高-k材料研究进展及制备

周剑平 , 柴春 , 杨少延 , 刘志凯 , 张志成 , 陈诺夫 ,

功能材料

随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.

关键词: 高-k材料 , 蒸发法 , CVD , IBD

一种新型的超导磁场单晶炉的研制

吴金良 , 钟兴儒 , 陈诺夫 , 田金法 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.039

磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响,因而可以改善晶体的组分和杂质的分布.在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流,采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶的质量影响.本文报道了新近自行设计、制造的一种新型超导磁场直拉单晶炉.

关键词: 磁场 , 单晶炉

新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si制备

王启元 , 谭利文 , 王俊 , 郁元桓 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.013

异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似 SOS薄膜生长的常压 CVD(APCVD)方法在 EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质 SOI材料 Si/γ-Al2O3/Si.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及 MOS电学测量等技术表征分析了 Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能.测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延 SOI结构材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3与 Si外延薄膜均为单晶,γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该 SOI材料可应用于 CMOS电路的研制.

关键词: , Al2O3 , SOI , 外延生长

直拉硅单晶中的新施主

, 王占国 , 钱家骏 , 葛惟锟 , 万寿科 , 汝淦

材料研究学报

直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于P 型单晶)以及E_(ND)(Ⅲ)=25meV(对于N 型单晶)。

关键词:

Si(100)衬底上SiC的外延生长

王引书 , 李晋闽 , 张方方 ,

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.z1.020

在1050℃下用Si2H6和C2H4在Si(100)衬底上外延生长了3C-SiC,生长前只通入C2H4将Si衬底碳化形成SiC缓冲层.碳化过程中C2H4与Si表面反应形成了SiC孪晶,但随着生长时间的延长,外延层转变为单晶层,其表面呈现典型的单晶SiC的(2×1)再构.从外延层的Raman谱观察到明显的SiC的TO和LO声子模;SEM观测结果表明,外延层的表面比较平整.

关键词: Si , SiC , 外延生长 , 表面再构 , Raman光谱

SiC单晶的生长及其器件研制进展

王引书 , 李晋闽 ,

材料研究学报

SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景.本文综述了半导体SiC体单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况.

关键词: SiC体单晶生长 , epilayer growth , SiC devices

型金矿的再定义

周余国 , 刘继顺 , 欧阳玉飞 , 何兆波 , 高启芝

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.11.003

介绍了卡型金矿称谓的演变及不同学者在卡型金矿认识上的差异,通过分析这些不同称谓演变和认识上的差异,结合笔者多年来在滇黔桂"金三角"地区的找矿实践和思考,认为:对卡型金矿应"只求同"(要求其最基本的表面的特征相同或相似),"须存异"(容矿岩石、产出地质背景、成因等有所不同),卡型金矿本身不具有成因意义,不是一种成因类型;判别卡型金矿有4条标准;依据4条标准,将卡型金矿定义为区带上_集中分布的(超)微细、浸染、中低温热液矿床.

关键词: 型金矿 , 判别标准 , 再定义

二垩与资源回收-Ⅲ燃烧过程二垩生成热力学计算

钢铁

进行相关热力学计算以研究高温燃烧过程二垩生成的条件.计算得到:①在体系存在过剩氧即完全燃烧时不会产生二垩;②当有固体碳沉积时也不会生成二垩,因固体碳在热力学上比含二垩的含碳物更稳定.另一方面,实际上即使在1 073 K完全燃烧条件下(即体系显著过剩氧)也有二垩生成,原因是在实际燃烧炉中含碳微粒不可能完全烧尽.从热力学角度假设不发生碳沉积,计算得出二垩在1 073 K高温和高CO/CO2比范围内会生成.实际考虑的条件放在燃烧炉内含碳微粒的周围.在有含碳微粒存在条件下,即使反应2CO→C+CO2(碳沉积)发生,C+CO2→2CO反应(CO生成;含碳微粒被CO2氧化)也会同时发生,导致在含碳微粒周围保持一个高的CO/CO2比,由此产生二垩.假设在含碳微粒周围存在高CO/CO2比的异质位置,则认为二垩会形成.

关键词: 燃烧过程 , 二垩生成 , 含碳微粒 , 热力学

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共52页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词