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Mn+离子注入GaN薄膜的磁性研究

石瑛 , 付德君 , , 蒋昌忠 , 范湘军

功能材料

在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层.用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015~5×1016ions/cm2.对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30~90s.样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析.未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015~5×1016ions/cm2).结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+ 注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+ 注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制.

关键词: GaN , 离子注入 , 磁性

环境温度对AZ91D和AM60B镁合金磨损行为影响的研究

杨子润 , 孙瑜 , 庞绍平 ,

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2012.03.001

研究AZ91D和AM60B两种镁合金在不同环境温度下的磨损行为.结果表明,两种镁合金在不同的环境温度下随着载荷的增大,磨损率的变化规律相似,都出现从轻微磨损到严重磨损的磨损转变,且临界转变载荷随着环境温度的升高而提前.在200℃低载荷时,出现超低磨损率的现象,归因于厚的机械混合层的形成.足够的基体强度能有效的发挥机械混合层的作用,但是摩擦热和高温会使基体软化,且变形过程中β相会被打碎形成细小的颗粒,使基体强度降低.低温下,严重磨损是机械混合层和基体共同剥落的结果,高温时是磨损表面严重塑性变形和塑性屈服.

关键词: 镁合金 , 磨损 , 机械混合层 , 环境温度

La1-xSrxMnO3氧化物磁导率和介电常数的频率特性研究

汪忠柱 , 吴先良 , 冯双久 ,

中国稀土学报

采用溶胶-凝胶法制备了钙钛矿型La1-xSrxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6)氧化物多晶样品,样品粉料的平均粒径为70 nm左右. 对不同Sr含量的样品磁导率μr(μr=μ′r+iμ″r)和介电常数εr(εr=ε′r+iε″r)的频谱(50~1800 MHz)的研究表明,不掺Sr时,LaMnO3氧化物的复磁导率不随着频率变化,其实部近似为0.8,而虚部近似为1.0,复介电常数却随着频率增加而单调下降,实部从33降到19,虚部从65降到5. 掺入Sr后,复磁导率和复介电常数频谱曲线都为典型的弛豫型谱线,磁导率的共振频率随着掺杂增加从1420 MHz减小到810 MHz,而复介电常数的共振频率却随着Sr含量增加从231 MHz增加到580 MHz,并对相关动态磁化和电极化机制进行了讨论.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 磁导率 , 介电常数 , 弛豫型 , 稀土

InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展

, 徐安怀 , 孙晓玮 , 齐鸣

材料导报

概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题.

关键词: 异质结双极晶体管 , InGaP/GaAs , 微波单片集成电路

聚氨酯均质微孔膜的制备及结构控制的研究

, 徐卫 , 欧阳晨曦 , 谢小琴 , 董瑞跤

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2008.01.009

采用溶液相转换法制备PU均质微孔膜,通过改变PU浓度、添加剂中盐粒大小及含量、凝固浴的组成及含量等制备条件,控制孔径分布、孔径大小和微观形态.通过电子显微镜观察到制备的PU微孔膜表面和底面孔径分布均匀,孔径大小可控,断面为规则的海绵状孔结构.

关键词: 聚氨酯 , 均质 , 微孔膜 , 溶液相转换

添加剂对原位合成SiC-BN复合陶瓷组织与性能的影响

杨治华 , 贾德昌 , 周玉 ,

稀有金属材料与工程

研究了Al2O3和Y2O3作为添加剂对原位合成SiC-BN复合陶瓷组织与力学性能的影响.在含有添加剂(10ω/%)的情况下,以Si3N4,B4C和碳粉为原料的原位反应于1400℃开始进行,并在1700℃完成.在不含添加剂的情况下,反应在1900℃仍然没有完全完成.Al2O3-Y2O3添加剂可以在1760℃形成钇铝石榴石,同时二者可以同原始粉末中Si3N4或SiC颗粒表面的SiO2作用在1400℃形成Y-Al-Si-O液相,这可以加速原位反应的进行,并促进复合陶瓷的致密化.在SiC和BN含量相同情况下,含有添加剂的复合陶瓷密度和力学性能明显要高于不含添加剂的复合陶瓷.

关键词: 碳化硅 , 氮化硼 , 添加剂 , 显微组织

GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀

, 王伟 , 徐安怀 , 孙晓玮 , 齐鸣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.014

对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.

关键词: 湿法腐蚀 , GaAs , InGaP , 柠檬酸

蛋白沉淀-高效液相色谱法筛查血浆中61种常见的中枢神经系统药物

张吟 , 陈崇宏 , , 陈一农

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2009.06.010

建立了利用蛋白沉淀提取血浆中61种常见的中枢神经系统药物并用高效液相色谱-二极管阵列检测器(HPLC-DAD)分析的方法.1 mL血浆样品中加入1.5 mL乙腈,旋涡混合后,离心,上清液过滤后直接采用HPLC测定.选用Agilent TC-C18色谱柱(250 mm×4.6 mm,5 μm),以磷酸盐缓冲液和乙腈为流动相进行梯度洗脱,流速1.5 mL/min,柱温35 ℃,检测波长210 nm.61种药物的回收率均大于80%,相对标准偏差为0.94% ~11.23% .采用乙腈沉淀蛋白,方法简便、快速、回收率高且稳定,能够作为系统毒物分析的通用前处理方法.该蛋白沉淀方法与HPLC-DAD技术结合,可应用于61种药物的分析.

关键词: 蛋白沉淀 , 高效液相色谱法 , 系统毒物分析 , 常见中枢神经系统药物 , 药物筛查 , 血浆

GaN基稀磁半导体的离子注入研究动态

, 石瑛 , 蒋昌忠

材料导报

离子注入掺Mn的GaN基稀磁半导体,由于具有高于室温的居里温度及一系列独特性质而受到广泛重视.综述了GaN基稀磁半导体离子注入的近期研究成果,讨论了能量、剂量、温度、束流、退火条件等因素对GaMnN结构和性能的影响,并对GaMnN中铁磁性的起源,就理论和实验两方面的结果作了讨论.

关键词: GaN , 稀磁半导体 , 离子注入

型金矿的再定义

周余国 , 刘继顺 , 欧阳玉飞 , 何兆波 , 高启芝

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.11.003

介绍了卡型金矿称谓的演变及不同学者在卡型金矿认识上的差异,通过分析这些不同称谓演变和认识上的差异,结合笔者多年来在滇黔桂"金三角"地区的找矿实践和思考,认为:对卡型金矿应"只求同"(要求其最基本的表面的特征相同或相似),"须存异"(容矿岩石、产出地质背景、成因等有所不同),卡型金矿本身不具有成因意义,不是一种成因类型;判别卡型金矿有4条标准;依据4条标准,将卡型金矿定义为区带上_集中分布的(超)微细、浸染、中低温热液矿床.

关键词: 型金矿 , 判别标准 , 再定义

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