金路
,
高振威
,
怀静
,
张雪
,
郭文瑞
,
周露
,
陈君红
,
袁志文
,
汤宇航
,
栾敬帅
,
范海波
,
马杰
功能材料
采用阳极氧化法，在醇（丙三醇、乙二醇）-水NH4F电解液体系中制备高度有序的TiO2纳米管阵列。采用场发射扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）对TiO2纳米管阵列的形貌和晶型结构进行表征，讨论了阳极氧化法制备工艺（阳极氧化电压、氧化时间、电解液）对TiO2纳米管的形貌、结构及其甲基橙光催化降解性能的影响；分析了退火温度对TiO2阵列的物相及其光催化性能的影响。研究结果表明，采用高电压、增加氧化时间有利于TiO2纳米管阵列光催化的提高，在其它参数相同的情况下，采用丙三醇作为电解液制备获得的TiO2纳米管阵列较乙二醇体系具有更加优异的光催化性能。
关键词:
TiO2纳米管
,
阳极氧化
,
光催化
,
甲基橙
肖云
,
魏国升
,
王瑛
腐蚀与防护
采用失重法、电化学阻抗谱法、极化曲线法测试了25℃时栾树籽提取物(KPSE)在5％ H2SO4溶液中对A3碳钢的缓蚀作用.结果表明,栾树籽提取物缓蚀剂质量浓度为15 g/L时,缓蚀率高达93.88％.因其在钢铁表面吸附而起缓蚀作用,吸附模型符合Langmuir吸附等温式.运用相关公式,求出△G的值在-20～0 kJ/mol之间,属于物理吸附；求出腐蚀反应的Ea,△H*和△S*值,并讨论了缓蚀机理.极化曲线表明栾树籽提取物是混合型缓蚀剂.
关键词:
栾树籽提取物
,
缓蚀率
,
硫酸
,
缓蚀机理
曾雄智
,
皮建辉
,
梁宋平
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.06.007
敬钊毒素-Ⅰ(JZTX-Ⅰ)是一种能够抑制心肌钠通道失活的新型蜘蛛神经毒素,该文结合高效液相色谱与色氨酸荧光测定技术研究了JZTX-Ⅰ的磷脂膜结合活性.脂质体共沉淀实验表明,JZTX-Ⅰ具有不依赖于带负电荷磷脂组成的生物膜结合活性.当加入由酸性或中性磷脂构成的脂质体后,JZTX-Ⅰ能够分别产生6.4和4.7 nm的蓝移以及7.4和8.0 nm的红移激发漂移,显示JZTX-Ⅰ能够插入磷脂膜,同时该分子疏水表面的色氨酸残基处于一个运动受限的界面区域.荧光淬灭实验进一步证实,与脂质体结合能够减少该毒素分子表面色氨酸残基的溶剂暴露.该研究结果为阐明JZTX-Ⅰ的离子通道门控调节机制提供了新的信息.
关键词:
高效液相色谱
,
荧光谱
,
单层小脂质体
,
敬钊毒素-Ⅰ
全妙华
,
曾雄智
,
皮建辉
,
邓梅春
,
梁宋平
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.04.011
应用芴甲氧羰基(Fmoc)固相方法化学合成了敬钊毒素-V(JZTX-V)分子N-端酪氨酸残基剪切体(Y1-JZTX-V),并且通过反相高效液相色谱和质谱对不同条件下的氧化复性结果进行监测,从而得到该剪切体的最佳氧化复性条件:0.1 mol/L Tris-HCl缓冲液、pH 7.50、1 mmol/L还原型谷胱甘肽(GSH)、0.1 mmol/L氧化型谷胱甘肽(GSSG)、样品浓度为0.05 mg/L、复性温度为4 ℃.膜片钳电生理实验结果显示敬钊毒素-V剪切体Y1-JZTX-V对大鼠背根神经节(DRG)细胞上表达的河豚毒素不敏感型(TTX-R)与河豚毒素敏感型(TTX-S)钠电流均有抑制作用,其半数抑制浓度(IC50)分别为(160±2.5)nmol/L和(39.6±3.2)nmol/L.与天然的敬钊毒素-V相比,该剪切体对大鼠DRG细胞上的TTX-S钠电流的抑制作用基本一致,但对TTX-R钠电流的抑制作用却大大降低,表明敬钊毒素-V分子N-端的酪氨酸残基是一个与TTX-R钠通道结合活性相关的氨基酸残基.
关键词:
化学合成
,
敬钊毒素-V剪切体
,
复性
,
钠离子通道
张瑞龙
金属学报
<正> 引言 在社会主义经济建设的大跃进中,钢材和毛坯供不应求,特别是大型铸钢和锻钢生产远远不能满足需要的形势下,让球墨铸铁与钢帅并肩作战,球墨铸铁广泛的代替钢料的意义是非常深远的。而大量生产球墨铸铁的情况下,就暴露了镁的供应不足。用一般钟罩法处理,大量的镁都燃烧和蒸发消耗掉,劳动条件非常恶劣,而且球化还不稳定。更引起注意的是镁用多了,给国防工业带来了损失。
关键词:
于敬敦
,
吴幼林
,
崔秀岭
,
张陆
中国腐蚀与防护学报
０８ＣｕＰＶＲＥ钢耐大气腐蚀的机理于敬敦，吴幼林，崔秀岭，张陆（冶金部钢铁研究总院）一、前言我国研制的０８ＣｌｌＰＶＲＥ耐候钢，在成都郊外经两年大气暴晒试验以及室内加速试验，表明其耐蚀性能明显优于碳钢，与日本耐候钢ＳＰＡ－Ｃ的水平相当．为深入研究０８ＣｌｌＰＶＲＥ钢的耐蚀特性，选用碳钢和ＳＰＡ－Ｃ耐候钢作为对比试样，通过多种方法进行测试分析，以揭示０８ＣｌｌＰＶＲＥ钢的耐蚀机理．二、试样与测?...
关键词:
焦栋茂
,
王新征
,
李洪涛
,
郭烈萍
,
蒋百灵
人工晶体学报
基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/ Si…Al/ Si/ glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/ Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/ Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始品核数量增加的贡献.随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始品核位置并进行外延生长来实现的.经500℃退火1 h后,Al/ Si薄膜的截面形貌巾出现了沿Si(111)晶面生长的栾品组织.
关键词:
退火时间
,
非晶硅薄膜
,
晶化
,
扩散
