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对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题,并实现了技术突破.

关键词: 化学机械抛光 , 全局平面化 , 多层布线 , ULSI , 二氧化硅

Expanded Industrial Experiments of Free-alkali Recovery from Sodium Tungstate Solution by the Membrane Electrolysis Process

刘玉岭 , 古海云 , 檀柏梅 , 桑建新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.02.012

关键词:

锗对CZ Si中新施主的影响

张维连 , 孙军生 , 檀柏梅 , 张恩怀 , 张颖怀

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.011

等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.

关键词: CZ Si , 等价掺杂(Ge) , 新施主 , 热处理

硅单晶片研磨液的研究

刘玉岭 , 檀柏梅 , 孙光英 , 蒋建国

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.06.008

论述了研磨液在硅单晶片加工中所起的重要作用以及当今国内外研磨液的发展状况,通过实验研究有效地解决了目前研磨液存在的悬浮、金属离子的去除及表面颗粒吸附问题,并对研磨液的污染及其净化处理进行了分析.

关键词: 研磨液 , 悬浮 , 金属离子 , 颗粒吸附 , 表面活性剂

FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究?

邓海文 , 檀柏梅 , 张燕 , 高宝红 , 王辰伟 , 顾张冰

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.06.038

在化学机械抛光(CMP)过程中,加入苯并三氮唑(BTA)抑制 Cu 界面和布线条的腐蚀.但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一.采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来表征BTA的去除效果.通过改变 FA/OⅡ型螯合剂的浓度完成一系列对比实验,确定最佳的清洗效果.通过对比实验得知,当清洗液中螯合剂的浓度为1．50×10－4~200×10－4时,此时清洗液的pH 值＞10,能有效去除Cu-BTA 钝化膜以及其它残留的有机物,接触角下降到29°,表面的粗糙度较低.

关键词: CMP后清洗 , FA/OⅡ螯合剂 , Cu-BTA钝化膜 , 接触角 , 粗糙度