武松
,
闫金良
,
焦淑娟
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.008
用第一性原理计算不同Nb掺杂浓度的n型Nb掺杂SrTiO3,研究了Nb掺杂浓度对SrTiO3的形成焓、电子结构和光学性能的影响.在Nb掺杂SrTiO3中Nb替位Ti原子,与实验结果一致.Nb掺杂SrTiO3的费米能级进入导带底部,Nb掺杂SrTiO3呈现n型半导体特征.从微观角度分析了Nb掺杂浓度对导电性的影响,1.11at％ Nb掺杂SrTiO3在可见光范围有强吸收,是一种有潜在应用的光催化材料;而1.67at％和2.5at％Nb掺杂SrTiO3是潜在的透明导电材料.
关键词:
半导体掺杂
,
电学性能
,
光学性能
,
电子结构
