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4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究

赵有文 , , 卢伟 , 杨俊 , 董志远 , 刘刚 , 高永亮 , 杨凤云 , 王风华 , 王俊 , 刘京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超

人工晶体学报

采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2.对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试, 其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀.与液封直拉法(LEC)相比, VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加.然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inchVGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片.由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长.通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率.对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究.

关键词: 磷化铟(InP) , 垂直温度梯度凝固(VGF) , 孪晶 , 组份过冷

低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

杨俊 , , 卢伟 , 刘刚 , 高永亮 , 董志远 , 王俊 , 杨凤云 , 王凤华 , 刘京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超 , 赵有文

人工晶体学报

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.

关键词: 锑化镓(GaSb) , 液封直拉法(LEC) , 单晶 , 衬底

AlN原料的钨网炉高温提纯

刘京明 , 刘彤 , 杨俊 , 陶东言 , , 董志远 , 赵有文 , 李百泉

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.026

商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长.与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果.本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著.还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律.

关键词: 氮化铝 , 钨网炉 , 杂质 , 提纯

提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究

赵有文 , , 孙文荣 , 杨子祥 , 焦景华 , 赵建群 , 曹慧梅 , 吕旭如

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.012

通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶.测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料.

关键词: 磷化铟(InP) , 液封直拉法(LEC) , 孪晶 , 均匀性 , 固液界面

半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷

赵有文 , 董志远 , , 孙文荣 , 杨子祥 , 吕旭如 , 王应利

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.015

在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片.在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷.通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关.迁移率低、热稳定性差的掺铁半绝缘磷化铟材料中有大量的能级位于0.1~0.4eV之间的缺陷.高温退火非掺磷化铟抑制了这些缺陷的产生,获得了迁移率高、均匀性好的高质量半绝缘材料.根据这些结果,我们提出了一种通过控制化学配比制备高质量半绝缘磷化铟材料的方法.

关键词: 磷化铟 , 半绝缘 , 缺陷

脖河铜矿达矿地质特征及资源/储量估算

江训普 , 黄德镛 , 陈雷 , 钟彩彩

黄金 doi:10.11792/hj20160306

脖河铜矿达矿Ⅲ1-4号矿群共有5个矿体。通过研究达矿的地质特征,基本查明了Ⅲ1-4号矿群5个矿体的形态、产状、空间位置及厚度、品位的变化情况;基于地质块法在探矿区范围内对Ⅲ1-4号矿群进行了资源/储量的估算,获得了5个铜矿体332+333总金属量18559.57 t,为脖河铜矿今后的进一步资源开发规划提供了依据。

关键词: 地质特征 , Ⅲ1-4号矿群 , 资源/储量 , 估算 , 脖河铜矿达矿

广西高金矿区鸡公岩矿地质特征及矿床成因

肖振 , 王广南

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.11.005

鸡公岩矿段位于高金矿区东部,为高金矿区的重要矿.详细阐述了高金矿区鸡公岩矿地质特征,并对矿床成因进行了分析,为进一步勘查开发高金矿区各矿提供了依据.

关键词: 地质特征 , 矿床成因 , 金矿区

InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析

胡炜杰 , 赵有文 , , 王应利 , 王俊

人工晶体学报

利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成.结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响.通常情况下,InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而随着As的挥发,使抛光片表面化学计量比明显富铟.通过适当的化学处理控制其表面的化学组分,减小了表面粗糙度,从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底.

关键词: InAs单晶 , 衬底 , 表面

化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究

赵有文 , 董志远 , 魏学成 , , 李晋闽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.045

利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.在无籽晶自发成核的条件下,使用碳辅助增强质量传输方法,得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底,得到了直径为30mm、厚2mm左右的ZnO单晶体.比较了不同温度条件下晶体生长的结果并进行热力学过程和现象了分析.用光荧光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质.

关键词: 氧化锌 , 化学气相传输 , 单晶生长

R22水平管液蒸发汽化规律可视化研究

田华 , 马一太 , 代宝民

工程热物理学报

液式蒸发是广泛应用在大中型制冷热泵系统的蒸发换热模式之一.通过可视化手探索汽泡核化及生长规律进而揭示液蒸发机理,是一条重要的研究手.为了直接观测到水平管液蒸发汽化规律,本文设计了可视化试验台.通过对液式汽化现象的观测和分析发现,汽泡在加热壁面上的汽化核心分为稳定型和不稳定型;汽泡从在壁面上出现到脱离壁面的汽泡生长时间大约在4~5 ms之间;汽泡脱离直径大约在1.4~1.8 mm之间;同时发现,提高蒸发温度和热流密度均能促进汽化过程.

关键词: 液蒸发 , 汽化规律 , 可视化 , 汽化核心 , 生长时间

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