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调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结磁输运研究

郑泽伟 , , 张荣 , 桂永胜 , 蒋春萍 , 马智训 , 郑国珍 , 郭少令 , 施毅 , 韩平 , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.021

通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫-德哈斯振荡的双周期特性,发现在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气(2DEG)的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值2DEG浓度估算为7.2×1012 cm-2,在阈值2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为75 meV.

关键词: 异质结 , 舒勃尼科夫-德哈斯振荡 , 第二子带占据

溶胶-凝胶法制备纳米复合透明保护薄膜

侯艳芳 , , 肖琨 , , 吴广明 , 周斌 , 翟继卫 , 倪星元

功能材料

以正硅酸乙酯、钛酸丁酯、异丙醇铝和γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷为先驱体,通过分步水解法制得SiO2-TiO2-Al2O3复合溶胶,利用提拉法在普通玻璃表面镀制无机-有机复合透明保护薄膜,通过各种测试方法,对SiO2-TiO2-Al2O3复合薄膜的结构和性质进行了分析,结果表明该薄膜具有致密、透明、耐磨擦等性能.由于铝、钛纳米氧化物颗粒的存在,使得硬度及耐磨擦性能比纯SiO2薄膜均有较大的提高.

关键词: 溶胶-凝胶 , 无机-有机复合 , 透明保护薄膜 , 耐磨擦

光导型GaN/Si探测器的研制

江若琏 , 席冬娟 , 赵作明 , 陈鹏 , , 张荣 , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.030

采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.

关键词: Si基GaN , 探测器 , 响应度

AZ91D镁合金化学镀Ni-P及Ni-W-P镀层的结构与耐蚀性

李端阳 , , 任玉平 , 裴文利 , 杨中东 , 王继杰 , 秦高梧

中国腐蚀与防护学报

在AZ91D镁合金上直接化学镀Ni-P和Ni-W-P镀层,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及电化学工作站研究后续热处理对化学镀层组织形貌、相组成及其耐蚀性的影响。结果表明,制备的Ni-P镀层为非晶态,而Ni-W-P镀层为纳米晶结构,两者在3.5%NaCl水溶液中的耐蚀性相当。热处理可以明显提高Ni-W-P镀层的耐蚀能力,但却稍微弱化Ni-P镀层的耐蚀能力,热处理后的Ni-W-P层自腐蚀电位相对于未处理的化学镀Ni-W-P或Ni-P层提高了约150 mV。

关键词: AZ91D镁合金 , Ni-P coating , Ni-W-P coating , corrosion resistance

BZT与CT复合微波陶瓷的结构和性能

董一鸣 , , 康利平 , 张良莹 , 姚熹

材料导报

采用预成瓷的方法,得到单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末,分别作为正负温度系数组元制备复相零温度系数微波陶瓷.预成瓷法可以抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷烧结温度.采用复相方法可以调节温度系数,特别是在940℃烧结的CT含量为5%的样品,其介电常数εr=73.3(1MHz),温度系数αε=27×10-6/℃.

关键词: 电子材料 , Bi2O3-ZnO-Ta2O5系陶瓷 , 复相陶瓷 , 介电性能

Si基GaN上的欧姆接触

赵作明 , 江若琏 , 陈鹏 , 席冬娟 , , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.032

研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10-5Ω.cm2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性.

关键词: Si基GaN , 欧姆接触 , Al , Ti/Al/Pt/Au

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

郑泽伟 , , 陈敦军 , 郑有炓 , 郭少令 , 褚君浩

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011

通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.

关键词: 调制掺杂 , AlxGa1-xN/GaN , 异质结构 , 二维电子气 , 迁移率 , 有效g因子

La替代对Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷介电性能的影响

刘璞凌 , 丁士华 , 杨同青 , , 姚熹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.016

研究了A位La3+替代对Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)陶瓷结构和介电性能的影响.当La替代量x<0.5时,陶瓷相结构为单一的立方焦绿石相.随着La替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸和密度逐渐减小.低温下的介电弛豫现象随着La替代量的增加也发生有规律的变化,介电常数逐渐减小,弛豫峰峰形逐渐宽化,峰值温度向低温方向移动.与La替代量为0.1、0.15、0.3和0.5相对应的弛豫峰的峰值温度分别为-95 ℃、-99 ℃、-109 ℃和-112 ℃.

关键词: BZN陶瓷 , 立方焦绿石相 , 介电弛豫

电子辐照的P(VDF/TrFE)共聚物的铁电弛豫异常现象

陈小刚 , 姚熹 , 张德生 , 宋志棠 , , 张良莹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.001

本文研究了聚偏氟乙烯和三氟乙烯的铁电共聚物P(VDF/TrFE)的铁电弛豫现象,并讨论了铁电弛豫异常想象.比较了VDF不同含量的共聚物在辐照前后铁电性能的改变,电子辐照大大改变了聚合物样品的性能,使VDF含量52%和70%的样品出现了明显的铁电弛豫现象,但发现在VDF含量为80%的样品中存在一种铁电弛豫异常现象:铁电居里峰随着频率的升高而向低温端移动.研究样品的二氟乙烯(VDF)的摩尔含量在52%~80%之间.

关键词: 铁电共聚物 , 电子辐照 , 铁电弛豫 , 铁电异常

硅基AlN应力和压电极化研究

邓咏桢 , 孔月婵 , 郑有炓 , 周春红 , , 张荣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.012

通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化,Raman谱观察到两个声子峰位分别在619.5 cm-1(A1(TO))和668.5 cm-1(E2(high)).通过光学声子E2(high)的频移为13 cm-1计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为5.1 GPa,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6.7×10-3和εxx=-1.1×10-2,产生的压电极化电荷PPE=2.26×10-2 c·m-2,这相当于在Si的表面产生浓度为1.41×1013 c·cm-2的电子积累.同时,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散,在界面处形成了一个过渡层,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主.

关键词: 拉曼谱 , 应力 , 压电极化 , Si-N键

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