谭毅
,
廖娇
,
李佳艳
,
石爽
,
王清
,
游小刚
,
李鹏廷
,
姜辛
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.04.004
利用电子束熔炼技术制备Inconel 740合金,研究热处理状态下合金的组织演变过程与显微硬度的分布情况,分析热处理过程中合金相析出规律与相分布特点.结果表明:合金宏观组织良好,夹杂物含量较少,晶粒尺寸在2mm左右.标准热处理后的组织主要为奥氏体,并有大量孪晶,晶界上碳化物M23C6呈连续分布,同时也有G相和η相析出.晶内析出大量球形、尺寸大小约为30nm的强化相γ'.电子束熔炼制备的Inconel 740合金在标准热处理状态下的显微硬度明显高于传统方法制备的同种合金,约高120HV0.1.
关键词:
电子束熔炼
,
Inconel 740合金
,
组织
,
显微硬度
李佳艳
,
游小刚
,
谭毅
,
郭素霞
人工晶体学报
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
关键词:
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
吸杂
,
电阻率
游小刚
,
谭毅
,
魏鑫
,
李佳艳
,
石爽
材料热处理学报
利用电子束熔炼技术制备了镍基740高温合金,用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪和维氏硬度计对740合金显微组织与硬度进行了表征,研究了固溶温度与时间对740合金显微组织与硬度的影响.结果表明,当固溶温度低于1210℃时,随着固溶温度的增加,TiNiSi相逐渐固溶到基体中.在1210℃进行固溶,随着固溶时间的增加,基体中一次MC碳化物尺寸减小.当固溶温度为1220℃时,长时间的固溶处理导致M23C6碳化物的分解,时效后晶界的G相由筏化的γ'相转变而来.1210℃与1220℃固溶处理2h后时效处理得到的二次相平均尺寸均小于30 nm,其体积分数均为40％左右.在1230℃固溶将会导致固溶微孔的形成.740合金的维氏硬度值随固溶时间的增加变化不大,时效后合金的硬度显著增加,其值由位错之间以及位错与二次相的相互作用决定.
关键词:
固溶处理
,
电子束熔炼
,
高温合金
,
γ'相
游小刚
,
谭毅
,
李佳艳
机械工程材料
通过原位反应在石墨坩埚切片表面成功制备了SiC涂层,并对其进行了循环热氧化试验,研究了SiC涂层的形成机理以及烧结温度和时间对涂层厚度的影响,并评价了涂层对提高石墨抗热氧化性及抗热冲击性的作用.结果表明:原位反应制备的SiC涂层厚度较为均匀;不同温度下的原位反应由不同的动力学过程控制;当温度接近硅熔点时,长时间加热能显著增加SiC涂层的厚度;烧结温度越高,SiC涂层的厚度越大;石墨表面的SiC涂层能够提高石墨基体的抗热氧化及抗热冲击性,且涂层厚度越大,作用越显著.
关键词:
原位反应
,
SiC涂层
,
石墨坩埚
陈泽民
,
路品
,
贾岩
材料保护
为了克服传统锌系磷化工艺的诸多缺点,在传统的锌系磷化液中加入马丙共聚物和铜脲配位化合物,通过正交试验优选出了一种环保、单组分、低温无渣的新型磷化工艺,并将此工艺制得的磷化膜的性能、形貌、成分与普通锌系磷化膜进行比较.结果表明:最佳的新型磷化工艺为1.0g/L铜脲配位化合物,1.5 g/L氧化锌,15.0mL/L磷酸,10.0 mL/L马丙共聚物,磷化时间15 min,磷化温度20℃;最佳工艺时磷化液游度酸度8点,总酸度30点;新型工艺制得的磷化膜为均匀致密的球状结晶,耐蚀性、漆膜附着力、抗冲击力均优于普通锌系磷化膜.
关键词:
低温锌系磷化
,
铜脲配位化合物
,
马丙共聚物
,
性能
,
形貌
张发生
,
戴韧
工程热物理学报
本文在平面叶栅风洞上实验测量了设计工况下，具有压力面及吸力面单排离散气膜孔射流的导向叶栅卜游流场，对比研究不同射流比时叶型损失的变化。实验中主流与射流采用相同的工质。结果表明：压力面射流及吸力面射流时，平均总压损失随射流比的增加均表现出先减小后增大的变化趋势，但是损失增大或减小的数值不同，吸力面射流及压力面射流都会使尾迹区发生改变。高压射流气体的动量和质量对损失数值的影响，在小射流比时可以忽略，但是在大射流比时则必须要考虑，才能准确地反映叶型流动损失。
关键词:
平面叶栅
,
气膜射流
,
损失系数
,
叶片尾迹
