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大气腐蚀的模拟加速试验方法研究(摘要)金蕾,唐其环,彭长灏,牟献良(中国兵器工业第五九研究所,重庆630039)试样材料为20fi4比学成分《ql.):C017SI020.Mfl04(1.P001,50017,Cfl002、N1001.Cll001、A1001试验方法采用表1列出的加速试验TablelAcceleratedtestingconditions!相关性由于本研究中只m了一种材料,因此不能采用相关系数法定量计算,对相关性只作定性评价1刽1、2分别是加速试验和户外暴露试验结果从图中曲线看,加速试验

关键词: null , accelerated testing , correlation analysis , carbon steel

某型榴弹炮海上运输及存放中炮膛的防护处理

肖敏 , 牟献良 , 舒德学 , 方天赐

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2003.06.018

对4种炮膛防护工艺进行了中性盐雾试验以及大气暴露试验,通过试验对比得到了优选品种,说明了推荐原因.

关键词: 火炮 , 防锈油脂 , 盐雾试验 , 大气腐蚀 , 防锈

重庆嘉陵江石门大桥斜拉索腐蚀状况初步调查

牟献良 , 田月娥 , 文邦伟 , 周漪

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.06.031

以重庆石门大桥斜拉索的更换为契机,开展了斜拉索腐蚀状况的初步调查,调查发现斜拉索主要存在钢丝腐蚀、防护套老化、捆扎用铁丝腐蚀问题.其中,钢丝普遍出现了镀锌层严重腐蚀以及浅度基体锈点或锈斑,防护套老化产生的裂纹和孔洞影响了钢丝的服役寿命,提出了联合开展相关研究的建议.

关键词: 石门大桥 , 桥梁 , 斜拉索 , 腐蚀 , 调查

2A11铝合金/碳钢偶接件在强化自然环境条件下的腐蚀特性

王玲 , 宣卫芳 , 牟献良

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.05.001

采用户外周期喷淋试验,研究了2A11铝合金与Q235钢组成的偶接件在强化自然环境条件下的腐蚀行为与规律.结果表明:2A11铝合金的偶接部位发生严重腐蚀,腐蚀严重部位主要在距接触边缘5～10mm的范围内；铝合金的腐蚀质量损失随暴露时间的延长而不断增大；电偶腐蚀和缝隙腐蚀并存是铝合金偶接部位腐蚀严重的主要原因,大气环境中沉积的Cl-以及海水中的Cl-和SO42-共同作用,加速了铝合金的腐蚀.

关键词: 铝合金 , 偶接 , 自然环境加速试验 , 大气腐蚀

胶东牟乳成矿带板块碰撞成矿作用及找矿方向

杨喜安 , 赵国春 , 刘家军 , 宋玉波 , 董汉文 , 高建伟

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.02.003

胶东牟乳成矿带位于山东半岛的东部,控矿构造为一系列近似平行且等间距的NNE向的断层.对胶东胶莱盆地、东西向构造、牟乳成矿带及其西部变质核杂岩区的金矿床的控矿构造特征进行了研究,并对牟乳成矿带及其西部变质杂岩区的金矿床的成矿时代、地球化学特征进行了对比.研究表明,胶东胶莱盆地、东西向断裂、牟乳成矿带及其西部变质核杂岩区金矿床的控矿构造是伊佐奈岐板块和欧亚大陆板块碰撞过程产生的一系列构造;胶东牟乳成矿带为拆离断层上盘发育的断层系控矿,预测在牟乳成矿带下部,即在拆离断层附近可能存在品位更高、厚度更大的矿床.

关键词: 胶莱盆地 , 牟乳成矿带 , 拆离断层 , 控矿构造

良渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 良渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产良率