张家祥
,
王彦强
,
卢凯
,
张文余
,
王凤涛
,
冀新友
,
王亮
,
张洁
,
王琪
,
刘琨
,
李良杰
,
李京鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0433
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低;PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.
关键词:
沟道界面
,
漏电流
,
Al电极
,
TFT特性
范学燚
,
王亮
,
杜志强
,
苏彦庆
,
骆良顺
,
张建兵
,
许纪刚
,
徐达鸣
,
郭景杰
稀有金属材料与工程
通过使用ansoft软件对筒形薄壁件在不同励磁电流的行波磁场作用下的电磁力进行了分析,进一步研究了行波磁场的励磁电流对合金充型能力以及铸件外表面缩陷的影响.结果发现:行波磁场影响合金充型能力的同时也影响了铸件凝固表面质量;随着励磁电流强度的增加,合金充型能力成平方倍的提高,同时也成平方倍的增加了铸件表面缩陷发生的几率;相同励磁电流强度下,励磁电流频率对合金充型能力存在最优值;励磁电流频率在1000 Hz以下变化时,随着励磁电流频率的降低铸件表面缩陷发生的可能性不断减小.
关键词:
薄壁件
,
行波磁场
,
励磁电流
,
充型
,
表面缩陷
王军
,
王燕
,
张峰
,
何石磊
,
韦奉
,
李周波
,
王亮
,
李磊
钢铁钒钛
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2013.04.019
对比了HFW套管、SEW套管与无缝套管的尺寸精度、残余应力和抗外压挤毁强度等.结果表明,同无缝套管相比,HFW套管和SEW套管在尺寸精度、残余应力及抗外压挤毁强度方面有较大的优势,且采用SEW工艺,较好地解决了焊缝冲击韧性低及抗腐蚀性能差的问题.因此,在其他条件相同时,采用SEW套管可解决选用无缝套管带来的抗挤强度不足问题,满足油田用户的需求.
关键词:
高频电阻焊
,
高频焊热张减
,
无缝套管
,
抗挤强度
,
沟槽腐蚀
王亮
,
姜振明
,
赵泉林
,
薛江鹏
,
徐文杰
,
苏宏平
,
高学文
,
叶正芳
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.08.2015021205
以活性焦为吸附剂,采用静态吸附实验考察活性焦对PCP-Na模拟废水的吸附性能,研究了反应时间、温度、pH值、活性焦用量对吸附效果的影响,采用急性毒性法评价吸附前后废水急性毒性的变化.结果表明,在原始pH下,温度40℃,活性焦用量4g·L-1,反应时间180 min时,废水中PCP-Na的浓度由100 mg·L-1降为2.92 mg·L-1,去除率97.07％.吸附后废水的急性毒性下降99.09％.PCP-Na在活性焦表面的吸附是拟二级反应,吸附速率常数为2.52× 10-2 g·mg-1,min-1,其吸附行为可用Lamgmuir等温线模型进行描述;热力学计算结果表明吸附反应是自发和吸热过程.
关键词:
活性焦
,
五氯酚钠
,
吸附动力学
,
吸附热力学
,
急性毒性
王富鑫
,
骆良顺
,
王亮
,
张东徽
,
李新中
,
苏彦庆
,
郭景杰
,
傅恒志
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00326
对Al-xCu (x=30,40,45,50,质量分数,％)合金凝固组织进行了系统的观察.结果表明,随合金中Cu含量由30％(质量分数,下同)增加到50％,合金中初生Al2Cu相形貌由枝晶状逐渐转变为棱面状,表明Al2Cu相的生长方式由非小平面生长转变为小平面生长.冷却速率对初生Al2Cu相生长形貌具有重要影响,冷却速率较低时,初生Al2Cu相为规则的棱面状;随着冷却速率增大,初生Al2Cu相逐渐转变为不规则的非棱面状,表明Al2Cu相的生长方式由小平面生长转变为非小平面生长.对凝固过程中初生Al2Cu相形貌转变研究发现,Cu含量为45％时,初生Al2Cu相形貌由枝晶状向方形转变;Cu含量增加到50％时,初生Al2Cu相形貌由枝晶状转变为网状.
关键词:
Al-Cu合金
,
Al2Cu相
,
生长形貌
唐蓓蓓
,
郭明星
,
姜维
,
尹淑慧
,
张曼霞
,
王亮
,
张艺鸣
,
郑磊
,
孟悦琦
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140156
采用水热合成法制备出片状结构钼酸锌,并以其为原料,添加石墨(G)或导电碳(Cc),利用喷涂法分别制备出ZnMoO4、ZnMoO4-G和ZnMoO4-Cc对电极催化材料,应用于染料敏化太阳能电池(DSCs)中.实验结果表明:以ZnMoO4为对电极材料的DSC光电转换效率为4.19％,在分别添加石墨及导电碳制备成复合对电极材料后,其相应的光电转换效率分别提高到6.56％及7.36％.其中,ZnMoO4-Cc对电极与相同条件下铂对电极的光电转换效率(7.81％)相当.电化学阻抗(EIS),循环伏安法(CV)及Tafel极化曲线测试结果表明,ZnMoO4、ZnMoO4-G和ZnMoO4-Cc三种材料均具有一定的导电性和电催化性能.
关键词:
染料敏化太阳能电池
,
水热合成
,
钼酸锌
,
光电性能
,
电催化性
王亮
,
王文青
,
李鑫
,
吴成龙
,
郑云友
,
宋泳珍
,
李伟
,
李正勳
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122702.0204
通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响.研究结果表明:在一定范围内随着压力的不断增大,PR的刻蚀速率逐渐增大,同时刻蚀的均匀性也逐渐变好,H/V逐渐变大；增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小,而刻蚀均匀度数值有先减小后增大的趋势；增加单组分O2流量时PR灰化速率变化不明显,但刻蚀的均匀性逐渐变好,H/V比值先增大后减小；当O2和SF6的流量比例不变时,同时增加O2和SF6流量,PR灰化速率会先增加后减小,均匀性数值和H/V比值先减小后增大.
关键词:
干法刻蚀
,
增强型阴极等离子耦合
,
PR灰化速率
姜晓辉
,
张家祥
,
王亮
,
郭建
,
沈奇雨
,
曲连杰
,
张文余
,
田宗民
,
阎长江
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0194
树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(e≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率.文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等.通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶工艺,成功地将树脂引入TFT-LCD中.
关键词:
树脂材料
,
ITO刻蚀
,
ITO刻蚀液
,
涂胶工艺
张家祥
,
卢凯
,
郭建
,
姜晓辉
,
崔玉琳
,
王亮
,
阎长江
,
曲连杰
,
陈旭
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142901.0055
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本.采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率.无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44％;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同.
关键词:
无退火工艺
,
透过率
,
氧化铟锡层
,
TFT特性
王亮
,
吴晓明
,
王富鑫
,
骆良顺
,
苏彦庆
,
史亚鸣
,
郭景杰
,
傅恒志
材料科学与工艺
doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160224
以真空非自耗电弧炉制备的低成本Ti－6Al－2.5V－1.5Fe－0.15O合金为对象，研究了不同冷却速率下固溶及时效温度对合金组织及性能的影响，发现固溶温度主要影响初生α相的含量.固溶冷却方式影响α的类型.单相区固溶时，初生α相消失，β晶粒内出现α片层集束，固溶淬火组织主要由残余未转变的β相以及针状的α′；随着固溶温度的升高，针状马氏体α′相增多；两相区固溶后，时效组织均有固溶时产生的α相、时效α相以及残留的β相.时效温度较低时，α相形核能较低，元素扩散困难，需借助过饱和β相析出弥散相形核，因而针状α相细小而弥散；时效温度升高，α相形核以及长大驱动力大，时效α相易长大变粗.经固溶时效处理，合金强度随着温度升高先小幅升高后显著降低，塑性先增大后因晶界粗化以及粗片状α集束而降低.
关键词:
Ti合金
,
固溶温度
,
时效温度
,
合金组织
,
力学性能
