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KF/MgO催化碳酸二甲酯与月桂醇酯交换合成碳酸二月桂酯

范燕平 , , 杨先贵 , 姚洁 , 王公应

催化学报 doi:10.3724/SP.J.1088.2010.90421

研究了KF/MgO催化剂对碳酸二甲酯(DMC)与月桂醇酯交换反应制备碳酸二月桂酯(DDC)的催化性能.考察了催化剂KF负载量及焙烧温度对反应的影响,并采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电镜和N_2吸附-脱附等对催化剂进行了表征.结果表明,催化剂KF/MgO在空气中较高温度焙烧后生成新相K_2MgF_4和K_2CO_3,它们为催化剂的主要活性组分.催化性能测试结果表明,该催化剂具有良好的催化活性,KF的最佳负载量为30%,催化剂的最佳焙烧温度为873K.还考察了反应条件对KF/MgO催化剂性能的影响.当在反应物月桂醇:DMC摩尔比=4,催化剂用量为反应物总质量的0.75%,反应时间为4h的条件下,反应性能最佳,DMC转化率和DDC收率分别为86.7%和86.2%.

关键词: 碳酸二甲酯 , 酯交换 , 碳酸二月桂酯 , 氟化钾 , 氧化镁 , 负载型催化剂

常压水热法制备纳米钛酸钡粉体的分散性研究

冯秀丽 , , 杨争 , 王公应

材料导报

系统地研究了以廉价的偏钛酸为原料,常压水热法一步合成纳米钛酸钡粉体的分散性问题.通过考察PEG加入方式和加入量,得出了钛酸钡粉体的改性方法.采用PEG分散偏钛酸,保证PEG与偏钛酸摩尔比0.02∶1的条件下制备出分散性良好的钛酸钡粉体.经IR分析表明PEG在偏钛酸颗粒表面产生吸附;TEM分析表明改性后的偏钛酸粉体为分散的球形,钛酸钡粉体为方形,无明显团聚.热分析表明PEG在400℃挥发完全,对粉体的进一步加工不会造成影响.

关键词: 纳米粒子 , 钛酸钡 , 团聚 , 分散剂 , 聚乙二醇2000

苯氨基甲酸甲酯分解催化剂Bi-Zn复合氧化物的制备及其催化性能

戴云生 , , , 王公应

催化学报

采用共沉淀法制备了一系列Bi-Zn复合氧化物催化剂并将其用于催化苯氨基甲酸甲酯(MPC)分解制备苯基异氰酸酯(PI).用热重、X射线衍射和傅里叶变换红外光谱考察了Bi/Zn摩尔比和焙烧温度对催化剂物相结构和表面性质的影响.结果表明,Zn的加入使Bi_2O_3由α晶相转变为活性更高的β晶相,500℃焙烧时Bi-Zn前驱体分解较为完全,析出Bi_2O_3粒子的同时伴生较多Bi_(7.65)Zn_(0.35)O_(11.83)晶相.在Bi/Zn摩尔比为2/1,焙烧温度为500℃条件下制得的催化剂活性最高,此时MPC转化率为86.O%,PI选择性为91.7%,优于单独使用Bi_2O_3时的催化性能.

关键词: 苯氨基甲酸甲酯 , 苯异氰酸酯 , 催化分解 , 氧化铋 , 氧化锌 , 复合氧化物

熔融酯交换法原位合成炭黑/聚碳酸酯导电复合材料

张廷健 , 杨先贵 , , 胡静 , 刘绍英 , 王公应

复合材料学报

利用原位聚合法合成具有导电性能的炭黑(CB)/聚碳酸酯(PC)复合材料.在聚合反应过程中,CB与PC在较低黏度下更好地混融,而且通过负载催化剂连接CB和PC分子,使CB参与PC链增长过程,从而使CB有效分散.与传统的熔融共混法相比,利用原位聚合法制备的CB/PC导电复合材料的渗滤阈值低,当复合材料的体积电阻率为1.56×106 Ω ·mm时,CB的质量分数仅为4.32%.通过SEM观察发现,原位法得到的样品中CB与PC充分混融,形成导电网络更充分有效.利用原位聚合法得到的样品的正温度系数(PTC)的对数值达到4.69,具有作为自控温材料的潜力.

关键词: 导电聚碳酸酯 , 炭黑 , 熔融酯交换 , 原位合成 , 正温度系数

水披覆转工艺

绪建

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.04.007

介绍了水披覆转工艺流程.指出了前处理、喷底漆、烘干、转、补膜和喷面漆等各工艺注意事项.对影响转膜质量的各种因素包括活化剂、界面剂、转温度等进行了讨论.

关键词: 水披覆转 , , 工艺流程 , 活化剂

合理选用烫工艺参数

许小锋 , 刘继光

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.02.019

论述了电化铝烫印加工过程中电化铝箔的选择,烫印版的制作与安装,烫工艺参数的确定与烫质量的关系.

关键词: 电化铝烫 , 烫印版 , 印刷品 , 电化铝箔

带钢板形质量对表面横折的影响

高荣 , 吴庚亮

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2010.06.014

针对冷轧平整横折缺陷进行了分析,重点阐述了轧制板形质量和轧制外形对退火粘结和横折的影响,提出轧制板形质量的控制要求,有效地控制了横折缺陷.

关键词: 带钢 , 轧制板形 , 表面 , 横折

钇改性PZT薄膜的极化刻研究

仇萍荪 , 罗维根 , 丁爱丽

无机材料学报

铁电PZT薄膜的极化刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化刻.

关键词: 铁电薄膜 , Y-dopped PZT(40/60) thin films , imprinting

钇改性PZT薄膜的极化刻研究

仇萍荪 , 罗维根 , 丁爱丽

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.024

铁电PZT薄膜的极化刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化刻.

关键词: 铁电薄膜 , Y-PZT薄膜 , 刻(imprinting)

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