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氢等离子体处理对类金刚石膜场发射性能的影响

赵立新 , 彭鸿雁 , 陈玉强 , 罗玉杰 , 陈宝玲 , 徐闰 , 黄健 , , 夏义本 , 金曾孙

新型炭材料

采用大功率、高重复频率、准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了直流辉光氢等离子体处理对类金刚石膜的场发射性能的影响.结果表明:氢等离子体处理后,类金刚石膜的场发射性能明显提高,其发射阈值电场由26 V/μm下降到19 V/μm.氢等离子体刻蚀除去了类金刚石膜生长表面的富含石墨的薄层,露出的新表面具有较低的功函数;膜表面的悬键被氢原子饱和,进一步降低了电子亲和势,改善了膜的场发射性能.

关键词: 类金刚石膜 , 氢等离子体处理 , 场发射

膜厚可调CuS对电极的研制与光伏应用

冯忠磊 , 沈悦 , 皇甫民赞 , 吴启霜 , 陈祥 , 曹萌 , 顾峰 ,

人工晶体学报

利用化学浴沉积法在FTO基底上制备了厚度可调CuS对电极(CE).通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计及电化学工作站对CuS对电极的物相结构、微观形貌、光学性质及电化学性能进行了表征.结果表明,在多硫电解液体系中,CuS对电极的电催化活性优于Pt电极;调控沉积周期,可进一步优化CuS对电极表面形貌及电化学性能;CuS对电极最佳沉积周期为6个周期(C),此时电荷转移电阻达到最小值0.67Ω/cm2,与CdSe胶态量子点敏化TiO2光阳极组装的电池,能量转换效率可达2.11%.

关键词: 材料 , CuS , 对电极 , 化学浴沉积法

溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究

时彬彬 , 闵嘉华 , 梁小燕 , 张继 , , 邢晓兵 , 段磊 , 孟华 , 杨升

人工晶体学报

用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ~Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.

关键词: 溶剂熔区移动法 , Cd0.9Zn0.1Te , 红外透过率 , PICTS

Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

杨炬 , 桑文斌 , 钱永彪 , 史伟民 , , 刘冬华 , 闵嘉华 , 李志峰 , 苏宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.004

本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1~2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4%左右,红外透过率大于60%,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.

关键词: CdZnTe晶体 , 布里奇曼法 , CdZnTe熔体平衡分压 , γ探测器

降温速率对CdZnTe晶体内Te夹杂相的影响

张涛 , 闵嘉华 , 梁小燕 , 滕家琪 , 时彬彬 , 杨升 , 张继 ,

稀有金属材料与工程

采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe (CZT)单晶.生长完成后,选取了10~60 K/h不同速率降温处理.采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应.结果表明,10~30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(>10 μ.m),40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸<10 μm)为主.同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大.此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能.40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明:大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳.

关键词: Te夹杂相 , 降温速率 , CdZnTe

CuPc/C_(60)薄膜太阳能电池的制备及膜厚对其光电性能的影响

周文静 , 史伟民 , 伍丽 , 李爱民 , 唐健敏 , 秦娟 , , 夏义本

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.016

本文采用CuPc作为电子给体,C_(60)作为电子受体制备了ITO/CuPc/C_(60)/Al异质结太阳能电池.实验表明器件中活性层(CuPc/C_(60))对太阳能电池的光电性能有很大的影响.主要原因是有机物的激子扩散长度大约是十几纳米左右,产生的激子大多数在未到达异质结之前就已经复合.本文讨论了活性层(CuPc/C_(60))的厚度比,并获得其最优比例.

关键词: 有机太阳能电池 , 酞菁铜 , 富勒烯 , 厚度

碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究

彭兰 , , 闵嘉华 , 张继 , 陈军 , 梁小燕 , 严晓 , 夏义本

功能材料

研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺.采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响.结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm.和75r/min,研磨速度为1μm/min;机械抛光采用粒度0.5μm的Al2O3抛光液,最佳的抛光液浓度为6.5%(质量分数),抛光速度为0.28μm/min.AFM测试得到机械研磨后晶片表面粗糙度Ra值为13.83nm,机械抛光4h后,Ra降低到4.22nm.

关键词: 碲锌镉 , 机械研磨 , 机械抛光 , 研抛速度 , 粗糙度

系统压强对微波等离子体化学气相沉积金刚石成核的影响

志明 , 夏义本 , 杨莹 , 方志 , , 居建华 , 张伟丽 , 范轶敏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.026

为了在氧化铝上制备(100)定向织构的金刚石薄膜,必须先提高金刚石的成核密度。在微波 等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,采用低压成核的方法,在氧化铝陶瓷上沉积出高成核密 度的金刚石薄膜。扫描电镜显示其成核密度可达108cm-2。在此基础上,沉积出(100)织构的金 刚石薄膜。

关键词: MPCVD , 金刚石膜 , 氧化铝 , 气体压力 , 成核密度

掺氮类金刚石薄膜激光退火的Raman光谱研究

居建华 , 夏义本 , 张伟丽 , , 史伟民 , 黄志明 , 李志锋 , 郑国珍 , 汤定元

功能材料

采用功率密度分别为300、750和1500W/mm2的氩离子激光器,对由射频等离子化学气相沉积(RF-CVD)法制备的掺氮类金刚石薄膜进行了激光退火处理.并用傅立叶红外吸收光谱和显微Raman等手段,对所得样品进行了研究.结果表明:C-N键比C-H键更为稳定,一方面氮原子的引入制约了C-H键的生成,在激光退火中减少了因C-H键分解而引起薄膜的石墨化;另一方面生成的C-N键不易受热分解;因此随着氮含量的增加,薄膜中C-N成分增加,从而提高了类金刚石薄膜的热稳定性.

关键词: 类金刚石薄膜 , 激光退火 , 拉曼光谱 , 热稳定性

掺氮类金刚石薄膜激光退火的Raman光谱分析

居建华 , 夏义本 , 张伟丽 , , 史伟民 , 黄志明 , 李志锋 , 郑国珍 , 汤定元

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.010

采用显微拉曼光谱研究了掺氮的类金刚石薄膜,该薄膜分别经过能量密度为300,750和 1500W/mm2氩离子激光的退火处理。分析结果表明氮原子在类金刚石薄膜中形成了C-N键制 约了C-H键的形成。由于C-N键的键能比C-H键的键能大得多,因此在激光退火过程中C-N 键不易分解。所以随着氮含量的增加,类金刚石薄膜的激光退火后石墨化程度明显降低,具有比较 好的热稳定性。而非掺氮的类金刚石薄膜由于C-H键含量比较高,因此激光退火后容易石墨化。

关键词: 类金刚石薄膜 , 激光退火 , 拉曼光谱 , 热稳定性

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