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整流器输出电压波动导致电泳针孔缺陷的案例分析

魏由洋 , 陈俊炜 , 周杰 , 袁超 , 沈伟清 , 蒋小月 ,

涂料工业

阴极电泳广泛应用于汽车涂装,电泳针孔是阴极电泳过程中的常见缺陷.本文介绍了实际生产过程中的电泳针孔问题,根据针孔缺陷形态特征,通过电压-时间跟踪的潜水艇试验以及通过fluke示波器对整流器的输出电压进行测试,确认了整流器的电压输出波动是此次针孔缺陷的原因.通过逐个替代法,确认了整流器中的问题元器件,在对问题元器件进行更换后,整流器输出状态恢复正常,电泳针孔问题消除.

关键词: 电泳针孔 , 整流器 , 电压波动

定向凝固多晶硅铸锭炉石英坩埚的改进与热场优化

吴元庆 , 赵洋 , , 周涛 , 边玉强 , 陆晓东 , 张鹏

人工晶体学报

针对定向凝固多晶硅铸锭炉内温场的分布特点,利用COMSOL 5.0模拟软件优化设计了定向凝固多晶硅铸锭炉内部坩埚形状,并对优化后铸锭炉内的温场分布进行了详细分析.结果表明:将坩埚底面由平底结构改进为凸底结构,可优化铸锭坩埚内的温场分布,使长晶界面的等温线趋于水平分布,进而可有效解决中心区域结晶过早、边角区域结晶过慢和边角区热诱导缺陷、杂质密度大等铸锭过程中存在的基本问题.

关键词: 多晶硅 , 坩埚形状 , 温场 , 数字模拟 , 等温线

太阳电池用金属背反镜的吸收损耗

陆晓东 , 赵洋 , , 张鹏 , 吴元庆 , 张宇峰 , 周涛

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.14.031

利用频域有限差分法计算获得的金属背反镜吸收损耗谱及其光电流密度谱,分析了c-Si、a-Si和GaAs三种材料电池的银背反镜的吸收损耗情况.分析过程中,电池结构采用两种形式,即平板型和织构型,且两种形式的电池结构具有相同的有源层厚度、减反膜结构、缓冲层结构、银背反镜厚度.分析表明:直接带隙a-Si和GaAs材料的银背反镜损耗小于间接带隙c-Si材料;平板型电池银背反镜的TE模损耗随入射角增加而减小,TM模损耗随入射角增加而增加;织构型电池银背反镜吸收谱的吸收峰较平板型电池多,相应的银背反镜的损耗也较平板型电池大;TM模激励的等离子体振荡吸收效应在织构型电池中表现明显.

关键词: 金属背反镜 , 吸收损耗 , 平板型电池 , 织构型电池

非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗I~V特性的影响

陆晓东 , 宋扬 , 赵洋 , , 张金晶

人工晶体学报

利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗I~V特性的影响.结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗I~V特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗I~V特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗I~V特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×1017时,暗I~V特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×1017时,暗I~V特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小.此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制.

关键词: 晶硅电池 , 暗I~V特性曲线 , 理想因子 , 总电流密度

非晶硅太阳电池用Ag背反镜的吸收损耗

陆晓东 , , 宋扬 , 赵洋 , 张金晶

人工晶体学报

利用频域有限差分法,分析了两种典型非晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗.研究表明:平板型非晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由银材料的本征吸收和非晶硅有源层导模共振效应引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的非晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型非晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰的峰值大于平板型非晶硅电池的吸收峰峰值.

关键词: 非晶硅太阳电池 , 背反射镜 , 吸收损耗 , 频域有限差分法

太阳电池背反镜的吸收损耗性质研究

陆晓东 , 赵洋 , , 宋扬 , 张金晶

人工晶体学报

基于频域有限差分法和入射光场在平板型和织构型非晶硅电池内的传输过程,详细分析了Ag背反镜的吸收性质.研究表明:导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收是两种电池结构Ag背反镜的主要吸收机制;在长波段,平板型电池结构的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收均较弱,其Ag背反镜的吸收很小(小于3%),而织构型电池结构可产生较强的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收,其Ag背反镜的吸收较大(某些特殊波长的吸收达50%);织构型电池结构可有效拓展入射光单程通过有源层被完全吸收的波长范围.

关键词: 频域有限差分法 , 太阳电池 , 金属背反镜 , 吸收损耗

基于暗I-V特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究

宋扬 , 陆晓东 , , 赵洋 , 吕航 , 张宇峰

人工晶体学报

暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据.

关键词: 晶硅电池 , 暗I-V特性曲线 , 理想因子 , 杂质 , 缺陷

离子注入对铜失行为的影响

周佩德

中国腐蚀与防护学报

本文用表面光反射,电化学库仑还原、扫描和透射电子显微镜研究了经Cr、Ta和惰性气体离子注入后的高纯铜,暴露在含H_2S大气中的失行为。暴露试验是在H_2S浓度为0.006—6VPM,25℃和100%RH条件下进行的。结果表明,Cr、Ta离子注入显著地提高了铜的抗失能力,Xe离子注入效果较小,而Ar离子注入无改进效果。阴极还原曲线显示经Cr、Ta离子注入的试样上形成的失膜,比未经离子注入铜上形成的膜薄,其结构组成亦不同。电子衍射结构分析和扫描电镜(附WDAX)分析进一步证明,Cr离子注入抑制了铜表面膜中金属硫化物的形成。

关键词:

基于组态的包钢耐火配料系统设计

胡万里

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2010.01.023

介绍了利用组态作为监控,可编程控制器作为下位机,实现了耐火厂散料配料系统的自动化生产,该系统具有手动功能和自动功能,手动功能具有现场手动和上位机手动功能,自动功能具有全自动和半自动功能.该系统可实现配方和配料制度的任意更改,投资低,故障少,自动化程度高.

关键词: 组态 , 配料 , 上位机

”字型左手材料结构的设计与仿真

孙振 , 竹有章 , 何星 , 杨成莱 , 李磐石

材料科学与工程学报

针对目前由金属开口谐振环与金属杆构成的左手材料结构存在构造比较复杂、工艺实现较难的缺点,设计实现了一种基于金属条的改进结构一””字型结构.通过理论分析和电磁仿真软件Ansoft HFSS 10模拟仿真,利用散射参量法提取参数结果表明该结构可以在X波段实现介电常数和磁导率同时为负.讨论研究了该左手结构的金属条宽度、中间缺口宽度、中间条宽度三个结构尺寸参数变化对谐振频率和透射峰幅值的影响,结果表明三个参数的变化都会对二者产生影响,其中金属条宽度改变对透射峰值影响幅度相对较大,缺口宽度改变对谐振频率影响幅度相对较大.

关键词: 金属条 , 左手材料 , 负折射率 , 谐振频率 , S参数

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