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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

立民 , 刘振刚 , 董守义 , 于美燕 , 郝霄鹏 , 崔得良 , 徐现刚 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.005

研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.

关键词: 纳米晶 , 表面氧化 , 活化 , 配位键

用水热方法合成氮化硼过程中反应原料种类的影响

李凯 , 廉刚 , 姜海辉 , 高志增 , 崔得良 , 赵显 , , 陶绪堂 , 蒋民华

功能材料

利用选相原位合成方法制备了立方氮化硼(cBN),研究了硼源和氮源种类对产物物相的影响.利用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTIR)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)以及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行了表征.结果表明:如果利用硼酸作为反应原料,可以在优化的条件下得到纯相cBN;当硼酸被硼酸铵取代时,制备的样品变成了六方氮化硼(hBN)和cBN的混合物.另一方面,用三聚氰胺取代部分NaN3作为氮源时,样品几乎是纯相的hBN.对上述结果进行了简要分析,并在此基础上给出了水热合成氮化硼过程中反应原料的选择原则.

关键词: 立方氮化硼 , 选相原位合成方法 , 物相控制

GaP纳米晶对溶剂热合成氮化硼的物相和微观形貌的影响

董守义 , 郝霄鹏 , 于美燕 , 李凯 , , 蒋民华 , 崔得良

功能材料

研究了溶剂热方法合成氮化硼纳米晶过程中异种晶粒对氮化硼微观形貌和物相的影响,结果表明:在不改变反应原料种类的情况下,当体系内加入GaP纳米颗粒时,制备的氮化硼纳米晶呈现"树枝"状形貌,且样品中立方氮化硼为主要物相.文中对这种微观形貌的成因进行了简单讨论.

关键词: 溶剂热方法 , 氮化硼 , 微观形貌 , 非均相成核

合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

刘振刚 , 于美燕 , 白玉俊 , 郝霄鹏 , , 于乃森 , 崔得良

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.009

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

关键词: 磷化镓 , 纳米晶 , 纳米棒 , X射线衍射 , 关键因素

二氧化锆多孔纳米固体的制备与性质表征

刘秀琳 , 徐红燕 , 李梅 , 孟宪平 , , 蒋民华 , 崔得良

功能材料

利用溶剂热压方法,以ZrO2(5%Y2O3)纳米粉和几种不同的溶剂为原料,制备了一种新型的体块ZrO2多孔纳米固体,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、压汞仪和差热-热重(DTA-TGA)分析方法对样品进行了表征.进一步地,我们研究了溶剂的种类、温度和压力对ZrO2多孔纳米固体的孔容及孔径分布的影响,并对ZrO2多孔纳米固体的热稳定性进行了初步分析.测试结果表明:制备的ZrO2多孔纳米固体的孔径分布范围很窄,孔容为0.1~0.2cc/g,比表面积为30~50m2/g,孔隙率为35%o~45%;另外,通过改变溶剂的种类、温度和压力可以在一定程度上调变多孔纳米固体的孔径、孔容及比表面积.

关键词: 溶剂热压方法 , ZrO2(5%Y2O3)纳米粉 , 体块多孔纳米固体 , 孔容

利用苯热合成方法制备氮化硼纳米环

陈志 , 赖泽锋 , 孙传涛 , 伦宁 , 陆希峰 , , 崔得良

功能材料

利用苯热合成方法,以BCl3和NaN3为原料制备了氮化硼纳米晶,研究了影响氮化硼微观形貌的关键因素(例如,反应温度、原料的混合速度等).在此基础上,通过调整两种原料的混合反应速度制备了BN纳米环,并利用涡旋诱导作用对BN纳米环的生成机理进行了初步讨论.

关键词: 氮化硼 , 纳米环 , 苯热合成 , 微观形貌 , 涡旋诱导

纳米氮化铝常压溶剂热合成及其光致发光

于美燕 , 立民 , 郝霄鹏 , 董守义 , 徐现刚 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.004

低温常压下,在有机溶剂中制备出了氮化铝纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,样品中立方相和六方相共存;经XRD和TEM分析,样品中颗粒的平均粒度约为50nm;在样品的PL谱中,在475nm有一个非常强的由氮空位引起的发射峰,而在550nm有一个由AlN的本征缺陷及纳米颗粒的表面效应引起的宽且弱的发射峰.

关键词: AlN纳米晶 , 合成 , 光致发光

利用纳米ZnO粉制备厚膜气敏传感器的研究

徐红燕 , 刘秀琳 , 崔得良 , 李梅 , , 蒋民华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.025

以ZnO纳米粉(平均粒径30nm)为原料,利用水热热压方法制备了ZnO多孔纳米固体,同时用通常的水热法对ZnO纳米粉进行了预处理(预处理ZnO纳米粉).然后,分别以ZnO多孔纳米固体和预处理ZnO纳米粉为原料,制备了厚膜气敏传感器.本征电阻的测试结果表明,这两种厚膜气敏传感器的本征电阻比用未经处理的ZnO纳米粉(以下简称"原料ZnO纳米粉")制备的厚膜气敏传感器大大降低并很快达到稳定状态.有效地改善了器件工作的稳定性.结合对三种传感器的显微结构分析,对出现上述差异的原因进行了讨论.

关键词: ZnO 多孔纳米固体 , 水热热压 , 水热处理 , 气敏传感器 , 本征电阻

利用铟和磷直接反应合成InP纳米晶

信春雨 , 刘振刚 , 于美燕 , 赖泽锋 , 盖利刚 ,

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2004.04.014

以金属铟和白磷为原料,在苯热条件下直接反应合成了InP纳米晶,研究了反应温度对InP纳米晶物相的影响.XRD和选区电子衍射测试结果证明样品为立方相InP纳米晶.微观形貌观测结果证明:在300℃合成的InP纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少.当温度为200℃时,InP纳米晶的结晶质量较差,如果把温度升高到400℃,InP纳米晶的结晶质量得到进一步改善.

关键词: InP纳米晶 , 溶剂热合成 , 元素直接反应

水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素

于美燕 , 李凯 , 郝霄鹏 , 赖泽峰 , , 崔得良

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.011

在水热条件下成功合成了氮化硼晶体,为了优化实验条件,本文对实验过程中的影响因素进行了研究,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间.通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道,当反应原料摩尔配比N2H4·H2O:H3BO3:NaN3:NH4Cl为1:1:3:1时,在400℃下反应48h是水热法制备氮化硼晶体的最佳实验条件.

关键词: 水热法 , 氮化硼 , 影响因素

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