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低介电常数纯硅数分子筛薄膜的制备与表征

袁昊 , 解丽丽 , 田震 , 王利军

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.029

介绍了一种制备具有低介电常数氧化硅分子筛薄膜的新方法.以正硅酸乙酯为硅源,四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂和碱源,采取水热晶化技术,通过原位法在硅晶片表面制备出纯二氧化硅透明分子筛薄膜;采用紫外光解法脱除分子筛薄膜孔道内的模板剂,制备出具有低介电性能的氧化硅分子筛薄膜.使用FT-IR,XRD和SEM对样品进行了结构表征,并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数,采用纳米硬度计测量薄膜的弹性模量和硬度.

关键词: 紫外光解法 , 有机模板剂 , 氧化硅分子筛薄膜

洗涤剂助剂的应用及研究进展

田震 , 李庆华 , 解丽丽 , 王利军 , 陈彪

材料导报

综述了洗涤剂助剂的研究进展.重点介绍了沸石类助剂包括4A和P型沸石的结构、钙镁离子交换性能、交换速度和液体携带量等,并与X及AX型沸石及其它类型的洗涤剂助剂进行了比较.分析对比表明,沸石类助剂对洗涤剂性能的提高及生产工艺的改善具有明显的优势,特别是有较好离子交换性能的MAP型沸石及较高液体携带量的AX型沸石有更加广阔的应用前景.

关键词: 洗涤剂 , 助剂 , 沸石 , 应用

TFA-MOD方法制备YBCO超导薄膜生长研究

崔旭梅 , 陶伯万 , 熊杰 , 田震 , 刘兴钊 , 李言荣

功能材料

TFA-MOD方法是制备YBCO涂层导体的最有应用前景的方法之一.本文采用TFA-MOD方法在LaAlO3单晶基片上生长YBCO薄膜并系统地研究了高温退火不同的停留时间对其影响.XRD分析表明退火时间较短时仍有明显的YBCO(00l)取向,但也有其它杂相峰存在,而延长退火时间可以使杂相峰消失而得到纯的且强度更高的YBCO(00l)取向.SEM分析表明未完全结晶的YBCO薄膜表面晶粒大小不一致,而且气孔较多.而结晶良好的YBCO薄膜表面平整致密,空洞较少.随着退火时间的增加YBCO颗粒尺寸在增大.但是,退火时间太长,会有大的空洞,甚至出现裂纹.超导电性能测试表明,随着退火时间的增加超导临界电流(Ic)在增加,但是退火时间达到60min后,Ic即达到最大值,表明60min就能使前驱膜在该实验条件下完全的结晶形成取向良好的YBCO薄膜,YBCO薄膜的生长速度达到0.16nm/s.

关键词: YBCO超导薄膜 , 临界电流密度 , TFAMOD

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