张玲
,
石建敏
,
连玄
,
邱东
,
雷家荣
,
梁建华
,
周晓松
,
彭述明
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.005
利用蒙特卡罗方法和252Cf中子源研究了在准直热中子入射束下,15%~30%(质量分数)碳化硼含量的Al-B4C复合材料的中子吸收系数和宏观截面.结果表明,Al-B4C复合材料的中子吸收系数随碳化硼含量增加而增大,相同碳化硼含量的材料其中子吸收系数随厚度的增加按指数规律变化;252Cf中子源测试得到的中子吸收系数比0.0253 eV单能热中子计算得到的吸收系数低0.5%~4.3%;Al-B4C复合材料的宏观截面随着碳化硼含量的增加呈线性递增的关系,而且理想热中子0.0253 eV下的递增率(0.97925 cm-1/%)大于252Cf中子源构建0~1 eV中子下的递增率(0.58537cm-1/%).
关键词:
Al-B4C复合材料
,
中子吸收系数
,
蒙特卡罗
,
252Cf中子源
,
宏观截面
梁士金
,
新型炭材料
对渗气阴极真空电弧法制备的四而体非晶炭(ta-c)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化.应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的淌除(程度).样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故.
关键词:
炭膜
,
表面
,
等离子体
,
石墨化