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利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶La0.67Ca0.33MnOz薄膜.研究了薄膜输运特性及其与温度的关系,发现薄膜的金属-半导体转变温度Tp(约172K)远低于其居里温度(约247K);在平行于膜面的1T磁场下,77K～302K温度范围内,没有磁电阻(MR)峰,而是在Tp温度以下,有一宽的平台,平台处MR值约为21%～24%,在Tp温度以上,MR随温度上升而迅速降低;在77K温度下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应.上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关.在77K温度下,还观察到了退磁效应引起的磁电阻垂直备向异性.

关键词: 金属有机物分解 , 磁电阻 , 晶界 , 各向异性

多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

祝向荣 , 沈鸿烈 , 沈勤我 , 邹世昌 , TsukamotoKoichi , YanagisawaTakeshi , ItoToshimitsu , HiguchiNoboru , OkadaYasumasa , OkutomiMamoru

无机材料学报

利用固相反应法制备了多晶立方结构的La－Pb－Mn－O体材料．材料的铁磁相变温度T_c为257K，其金属－半导体转变温度T_p为251K．外加磁场分别为5T和13T时，材料的巨磁电阻（GMR）峰值分别达到72％和85％．在77K～室温的温度范围内，材料都具有GMR效应，T_p附近具有GMR峰值效应．GMR效应与自旋极化子行为有关，而T_p附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外，与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关．另外，多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内，尤其是温度远低于T_p时的GMR效应也有贡献．在T_p处；晶粒间自旋极化隧道效应被抑制，导致低场GMR效应的消失．

关键词: 巨磁电阻 , null , null

多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

祝向荣 , 沈鸿烈 , 沈勤我 , 邹世昌 , Tsukamoto Koichi , Yanagisawa Takeshi , Ito Toshimitsu , Higuchi Noboru , Okada Yasumasa , Okutomi Mamoru

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.013

利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度TC为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K～室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处,晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.

关键词: 巨磁电阻 , 金属-半导体转变温度 , 多晶

Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究

潘强 , 沈鸿烈 , 李铁 , 祝向荣 , 沈勤我 , 邹世昌

功能材料

用超高真空电子束蒸发方法成功制备了以不同厚度Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品,与以Cr为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品比较,样品的矫顽力大大减小,因而样品的磁灵敏度有了较大地提高.当Fe过渡层的厚度为7nm时样品的磁电阻值最大.另外,温度更强烈地影响以Fe为过渡层样品的磁电阻值,在77K下样品的磁电阻曲线表现出明显的不对称性,它来源于低温下fcc Fe过渡层的反铁磁性转变.

关键词: 巨磁电阻效应 , Co/Cu/Co三明治 , 过渡层

具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究

潘强 , 沈鸿烈 , 祝向荣 , 李铁 , 沈勤我 , 邹世昌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.003

研究了覆盖层为铁磁性的Fe和非铁磁性的Ti、Cu的Co/Cu/Co三明治在室温和低温下的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时,Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值没有明显变化，但以Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小，而Ti、Cu覆盖层对三明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时，覆盖层使Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻值显著增加，表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层Co所形成的界面密切相关。

关键词: 巨磁电阻效应 , Co/Cu/Co三明治 , 覆盖层

金属有机物分解法制备的 La－ Sr－ Mn－ O薄膜的磁输运特性

祝向荣 , 沈鸿烈 , 邹世昌 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.005

利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202) 择优取向的多晶 La1－ x－ SrxMnOz 薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下，观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征， 10 kOe磁场下，磁电阻值达到 5％。在 77 K 低温下，薄膜具有显著的低场磁电阻效应， 2 kOe 磁场下的磁电阻值达到 11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变，转变温度远低于其居里温度；在 8 kOe磁场下，薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷 (包括晶界及疏松 )有关。

关键词: 薄膜 , 金属有机物分解法 , 磁电阻