祝莹莹
,
邓文
,
孙顺平
,
江海峰
,
黄宇阳
,
曹名洲
,
熊良钺
稀有金属材料与工程
测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.
关键词:
TiAl合金
,
d-d电子相互作用
,
缺陷
,
正电子湮没技术
邓文
,
阮向东
,
黄宇阳
,
周银娥
,
祝莹莹
,
罗里熊
金属学报
测量了Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga等金属的正电子湮没辐射Doppler展宽谱。采用双探头符合技术，可大幅度地降低谱线的本底，并获得正电子与原子内层电子湮没对谱线的贡献。实验结果表明：谱线的本底随样品与高纯Ge探头之间距离的增加而减小； Ni的商谱(以单晶Al为参考)的谱峰随谱线本底的降低而升高；元素周期表中第四周期的Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu金属的商谱的谱峰随原子的3d 电子数目的增多而升高。
关键词:
正电子湮没
,
coincidence technique
,
background
邓文
,
祝莹莹
,
周银娥
,
黄宇阳
,
曹名洲
,
熊良钺
稀有金属材料与工程
测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关.在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应.在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性.
关键词:
TiAl合金
,
电子密度
,
缺陷
,
正电子湮没
邓文
,
阮向东
,
黄宇阳
,
周银娥
,
祝莹莹
,
罗里熊
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.01.007
测量了Al,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga等金属的正电子湮没辐射Doppler展宽谱.采用双探头符合技术,可大幅度地降低谱线的本底,并获得正电子与原子内层电子湮没对谱线的贡献.实验结果表明:谱线的本底随样品与高纯Ge探头之间距离的增加而减小;Ni的商谱(以单晶Al为参考)的谱峰随谱线本底的降低而升高;元素周期表中第四周期的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu金属的商谱的谱峰随原子的3d电子数目的增多而升高.
关键词:
正电子湮没
,
符合技术
,
本底
,
3d电子
邓文
,
周银娥
,
祝莹莹
,
黄宇阳
,
刘起秀
,
熊良钺
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.016
用正电子湮没技术研究了石墨和纳米碳中的缺陷和电子动量.结果表明, 纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体.纳米碳中存在开空间小于单空位的自由体积以及开空间相当于约10个空位聚集体的微孔洞.石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性: 沿石墨晶体的[0 001]晶向的自由电子(即2Pz电子)的动量最大; 偏离该方向越大, 自由电子的动量越小; 垂直于[0 001]晶向的自由电子的动量最小.而纳米碳中自由电子动量的分布表现出各向同性.
关键词:
正电子湮没
,
石墨
,
纳米碳
,
缺陷
,
电子动量
桂南
,
樊建人
工程热物理学报
本文采用离散颗粒单元法对流化床内颗粒运动及其与固定埋管受热面的相互作用进行颗粒直接数值模拟,其中颗粒之间的碰撞采用Tsuji等提出的软球碰撞模型处理,而流场的计算采用大涡模拟,其亚网格应力为Smagorinsky涡黏性模型,流动工况为两维鼓泡流化床.磨损量的估计是基于祝京旭等人的埋管磨损试验研究的结论,并结合本文数值模拟的结果,揭示了流化床埋管磨损量及其分布的若干规律.
关键词:
流化床
,
埋管磨损量
,
离散单元法
,
大涡模拟
