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LuxY1-xAlO3:Ce晶体的缺陷研究

丁栋舟 , 李焕英 , , 陆晟 , 潘尚可 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01020

通过提拉法制备了LuxY1-xAlO3:Ce晶体样品. 采用偏光显微镜、场发射扫描电镜、电子探针等手段, 并结合热应力分析, 研究了LuxY1-xAlO3:Ce晶体中的开裂、铱金包裹体、气泡、孪晶、解理等宏观缺陷. 结果表明, 不同形态晶体内热应力合力的方向导致不同的开裂面的取位方式, 加强保温、建立适应晶体形态的合适温场等有助于获得完整晶体. 高温熔体及保护气氛中微量氧对铱坩埚的熔蚀与氧化, 使得晶体中存在有铱金包裹体, 降低炉腔内的氧含量、采用高纯度铱金压铸制作坩埚等措施有助于减少晶体内的铱金包裹体. 适当提高熔体温度以降低粘度、降低炉内气压等措施有助于减少晶体中的气体包裹物. 低镥含量LuxY1-xAlO3:Ce晶体中, a、b轴方向的晶胞参数非常接近, 在应力诱导作用下晶格参数互换易导致在<110>方向上形成孪晶.

关键词: 铝酸钇镥晶体 , crystals , defects

Czochralski法生长Lu2SiO5:e晶体的发光特性

任国浩 , , 陆晟 , 李焕英

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.012

本文使用铱坩埚感应加热Czochralski法成功地生长出了无色透明且尺寸达φ50mm×60mm 的Lu2SiO5:e晶体.XRD结构分析表明, 该晶体为单斜结构.在室温下分别以X射线和紫外光为激发源测量了该晶体的发射光谱,获得的发射波长分别为403nm和420nm,光衰减时间为41ns,光产额达32000p/MeV.发射光谱的双峰结构以及晶体的发光特性证明其发光源于Ce3+离子的5d1→5F5/2 和 5d1→5F7/2跃迁.

关键词: LSO , 晶体生长 , 发光性能

LaBr3∶Ce晶体生长及物理特性的研究

丁言国 , 包汉波 , 李正国 , , 舒康颖

硅酸盐通报

利用垂直Bridgman法生长了尺寸为φ25 mm×80 mm的LaBr3∶3%Ce晶体,晶体的熔点为786℃,XRD表明晶体存在(100)解理面,晶体的择优生长方向为[001].热膨胀测试表明晶体[100]方向热膨胀系数比较大,在室温至600℃范围内平均热膨胀系数达22.9×10-6/K.晶体经加工后,透过率可达到65%.室温下晶体的光致发光呈双发射峰,分别位于358 nm和380 nm.晶体呈单指数衰减,衰减极快,衰减时间拟合为18.3 ns.

关键词: Bridgman法 , LaBr3∶Ce晶体 , 晶体生长 , 解理面 , 光谱

闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

李焕英 , , 陆晟 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00527

用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体, 讨论了晶体生长过程中的几个问题: (1)熔体挥发; (2)晶体开裂; (3)层状包裹. 生长过程中LPS和SiO2均存在挥发, 其中后者占主导; LPS挥发不会造成组分偏析, 因此对生长过程没有负面的影响. 接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因. 层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄, 熔体容易出现组分过冷, 以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.

关键词: 闪烁晶体 , LPS:Ce crystal , defects , inclusions

硅酸镥闪烁晶体的研究进展与发展方向

, 任国浩

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.002

本文首先综述了硅酸镥(Ce:Lu2SiO5)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状,重点阐述了目前的三种晶体生长工艺及其取得的研究进展,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题,提出了硅酸镥闪烁晶体未来研究发展的几个方向为:各向异性研究、开拓新的生长方法、类质同象置换与发光均匀性、晶体余辉及发光机理的研究.

关键词: 硅酸镥 , 闪烁晶体 , 研究进展

掺铈LaBr3晶体闪烁性能的各向异性

丁言国 , 汪玲 , 包汉波 , 史宏声 , , 舒康颖

人工晶体学报

利用Bridgman法生长掺杂铈离子浓度为3at%的LaBr3晶体,将其加工出具有(100)和(001)晶面的晶体样品,尺寸为9 mm ×9 mm×14 mm.为了研究Ce∶ LaBr3晶体的光学各向异性效应,分别测试了晶体沿[001]和[100]方向上的荧光光谱、能量分辨率、相对光输出以及衰减时间,同时晶体解理面的XRD测试表明实验中晶体样品的一个面为(100).实验结果表明Ce∶ LaBr3晶体的荧光光谱、能量分辨率、衰减时间以及相对光输出没有呈现出明显的各向异性效应.

关键词: LaBr3晶体 , 各向异性 , 布里奇曼法 , 闪烁性能

硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究

, 陆晟 , 李焕英 , 史宏声 , 任国浩

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.027

本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体,讨论了晶体生长中遇到的问题,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷.开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的,其中热应力是导致开裂的主要因素,优化生长工艺条件可完全避免开裂.晶体中存在两种包裹物,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱,氧化镥很可能是未参加反应的原料,也有可能是氧化硅挥发而导致氧化镥析出.

关键词: 硅酸镥 , 闪烁晶体 , 晶体生长 , 缺陷

Lu2Si2O7:Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

李焕英 , , 陆晟 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.003

用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,讨论了晶体生长过程中的几个问题:(1)熔体挥发;(2)晶体开裂;(3)层状包裹.生长过程中LPS和SiO2均存在挥发,其中后者占主导;LPS挥发不会造成组分偏析,因此对生长过程没有负面的影响.接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因.层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄,熔体容易出现组分过冷,以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.

关键词: 闪烁晶体 , LPS:Ce晶体 , 缺陷 , 包裹物

LuxY1-xAlO3:Ce晶体的缺陷研究

丁栋舟 , 李焕英 , , 陆晟 , 潘尚可 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01020

通过提拉法制备了LuxY1-xAlO3:Ce晶体样品.采用偏光显微镜、场发射扫描电镜、电子探针等手段,并结合热应力分析,研究了LuxY1-xAlO3:Ce晶体中的开裂、铱金包裹体、气泡、孪品、解理等宏观缺陷.结果表明,不同形态晶体内热应力合力的方向导致不同的开裂面的取位方式,加强保温、建立适应晶体形态的合适温场等有助于获得完整晶体.高温熔体及保护气氛中微量氧对铱坩埚的熔蚀与氧化,使得晶体中存在有铱金包裹体,降低炉腔内的氧含量、采用高纯度铱金压铸制作坩埚等措施有助于减少晶体内的铱金包裹体.适当提高熔体温度以降低粘度、降低炉内气压等措施有助于减少晶体中的气体包裹物.低镥含量LuxY1-xAlO3:Ce晶体中,a、b轴方向的晶胞参数非常接近,在应力诱导作用下晶格参数互换易导致在<110>方向上形成孪晶.

关键词: 铝酸钇镥晶体 , 缺陷 , 热应力

Cs2NaGdBr6∶Ce单晶生长及闪烁性能研究

王映光 , 魏钦华 , , 史宏声

人工晶体学报

Cs2NaGdBr6∶ Ce(CNGB∶ Ce)是新近发现的性能优异的闪烁晶体,本文用Bridgman法成功制备出尺寸达φ25×25 mm3的CNGB∶Ce单晶,并测试了CNGB∶Ce晶体的相关闪烁性能.荧光光谱和X射线激发发射光谱测试结果表明CNGB∶Ce晶体主要有两个发射峰,分别位于383 nm和418 nm附近,分别对应于Ce3+的5 d→4f12F5/2和5d→4f12F7/2跃迁发射.γ射线能谱测试表明CNGB∶Ce晶体的光输出约为LaBr3∶Ce晶体的2/3,在662 keV处的能量分辨率为6.2%,衰减时间为76 ns左右,这些特点使得CNGB∶Ce晶体有望成为实用化的新型闪烁晶体.

关键词: 溴钆钠铯单晶 , 布里奇曼 , 能量分辨率 , 闪烁性能

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