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掺铒硼酸钙氧钆(GdCOB:Er)晶体的光谱分析

, 张树君 , 韩建儒 , 陈焕矗

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.013

生长并测量了新型激光晶体GdCa4O(BO3)3:Er(简称GdCOB:Er)的透过谱,计算了Er3+离子在晶体中的吸收截面.由积分吸收截面的公式拟合出唯象强度参量Ω2=2.531×10-20cm2,Ω4=2.716×10-20cm2,Ω6=1.891×10-20cm2,并应用Judd-Ofelt理论计算出子强度fJ,J、辐射跃迁几率AJ,J、荧光辐射寿命τ及积分发射截面σ.并根据这些光学参量,讨论了GdCa4O(BO3)3:Er晶体用作激光晶体的可能性.

关键词: Er3+离子 , 激光晶体 , GdCOB晶体 , 光谱性能 , 引上法晶体生长 , 吸收截面

新型激光自倍频晶体Cr:Nd:GdCa4O(BO3)3

张树君 , , 韩建儒 , 周广勇 , 邵宗书 , 陈焕矗 , 侯学元 , 孙渝明 , 李宇飞 , 刘恩泉

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.001

首次利用提拉法生长了优质铬离子敏化激光自倍频晶体Cr:Nd:GdCa4O(BO3)3(Cr:Nd:GdCOB),发现当铬离子和钕离子双掺时,由于协同效应使铬离子容易进入GdCOB晶体中,测量了Cr:Nd:GdCOB和Nd:GdCOB晶体的室温透过谱和荧光谱.Cr:Nd:GdCOB晶体在蓝紫外区比Nd:GdCOB晶体具有更强的吸收,适合于利用闪光灯泵浦.利用闪光灯泵浦分别对长度为7mm,沿最佳倍频方向(θ=66.8°,φ=132.6°)切割的Cr:Nd:GdCOB和Nd:GdCOB晶体进行自倍频实验.Cr:Nd:GdCOB的激发阈值为0.9J,而Nd:GdCOB的激发阈值为1.0J.在10J的输入能量时,Cr:Nd:GdCOB输出绿光能量为2.46mJ,而Nd:GdCOB输出绿光能量为1.96mJ,说明在该晶体中,铬离子对钕离子有很好的敏化作用.

关键词: 激光晶体 , 自倍频晶体 , Cr:Nd:GdCOB晶体 , 敏化 , 引上法晶体生长

具有准同型相界(MPB)组成的化合物(Sr1-x Bax)2NaNb5O15的晶体生长及性质研究

仪修杰 , 陈焕矗 , , 韩建儒 , 曹文武 , 翟剑庞 , 杨长红 , 姜付义

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.014

用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB)存在于x=0.45~0.50之间;SBNN晶体是不一致熔融的化合物,在晶体成长过程中,Sr2+的分凝系数比Ba2+的大,因此具有高浓度Ba2+的SBNN晶体很难生长.晶体的居里温度是243℃,在此温度下的相变是弥散的,随频率的增加,介电常数降低.

关键词: 四方钨青铜 , Czochralski法 , 准同型相界 , 正交相 , 四方相

NaY(WO4)2∶Sm3+晶体的生长与上转换发光

, 张树君 , 宋峰 , 郭红沧 , 刘雪松 , 韩建儒 , 陈焕矗

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.007

用Czochralski 法生长了高光学质量、大尺寸的NaY(WO4)2∶Sm3+单晶.测量了晶体在室温下的吸收谱,对跃迁的能级进行了指认.在946nm泵浦下测量了晶体的上转换荧光发射谱.研究了NYW晶体中Sm3+上转换发光的机制.

关键词: NaY(WO4)2晶体 , Sm3+离子 , 上转换

GdCa4O(BO3)3:Yb晶体沿倍频方向的生长和自倍频性质

张树君 , , 王璞 , 刘雪松 , 杨勇 , 韩建儒 , 陈焕矗

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.005

本文首次报道了利用倍频方向的籽晶生长GdCa4O(BO3)3:Yb(GdCOB:Yb)晶体,通过控制温场及生长速度可以得到高光学质量的晶体.分析了晶体的生长习性及孪晶的形成.通过与b向生长的晶体相比较,认为以倍频方向生长的晶体加工器件时,可以极大地提高利用率(从50%提高到90%).测量了晶体的室温透过谱和荧光谱.利用976nm的激光二极管及列阵二极管作为泵浦源,测量了晶体沿最佳倍频方向的激光输出及自倍频性质.

关键词: GdCOB:Yb晶体 , 最佳倍频方向 , 转换效率 , 引上法晶体生长

用提拉法生长的GdCa4O(BO3)3晶体的结构缺陷研究

张树君 , 张吉果 , , 韩建儒 , 陈焕矗

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.010

利用相衬显微镜结合化学腐蚀法,进行了沿 010 方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3(GdCOB)晶体中的缺陷观察.发现位错是 010 方向生长的晶体中的重要缺陷.在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑,位错塞积,平底蚀坑及尖底蚀坑.位错密度随晶体长度的变化而变化.在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2,而在晶体的初始部位位错密度很低,只有40/cm2.在晶体的X,Z及 401 方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同,可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体,自发极化方向沿z轴方向.

关键词: GdCOB晶体 , 化学腐蚀 , 位错 , 自发极化

掺镨硼酸钙氧钆(GdCOB:Pr)晶体的光谱性能

, 张树君 , 韩建儒 , 陈焕矗 ,

功能材料

首次生长了新型激光晶体GdCa4O(BO3)3:Pr简称(GdCOB:Pr),测量了它的室温透过谱,并在530nm激光激发下测量了晶体的荧光发射,分析并标定了Pr3+离子的能级跃迁对应的峰值.分析了掺杂稀土离子对晶体紫外吸收边的影响.

关键词: Pr3+离子 , GdCOB晶体 , 光谱性能

蓝紫光倍频材料硫氰酸汞镉晶体生长动力学和机理的研究

, 于锡玲 , 张树君 , 孙大亮 , 钟真武 , 袁多荣

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.003

利用倒置相差显微镜观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体(CdHg(SCN)4)在3%的KCl溶液中的生长形貌:在(100)面上呈现为生长直线台阶列,在锥面上呈现生长丘.在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率,发现晶体在过饱和度低于2.5%时不生长.计算了晶体不同面的界面相变熵因子.通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制.

关键词: 生长动力学 , CMTC晶体 , 生长丘 , 表面形貌

氧化物晶体与薄膜最新研究进展

木村秀夫 , 赵洪阳 , 姚启文 , , 王小林

人工晶体学报

在工业发展的进程中,氧化物材料在电子学领域中应用最为广泛.到目前为止,即使是对于氧化物晶体材料,从纳米科技角度来说,研究的趋势是降低尺寸直到很小的尺度.近年来,氧化物的研究目标也发生了显著的变化.本文介绍了作者课题组的与氧化物晶体及薄膜有关的三个研究方向.

关键词: 体晶体 , 薄膜 , 压电性 , 铁电性 , 多铁性 , 光催化

掺镁铌酸钾锂晶体的生长与介电特性

, 张树君 , 陈焕矗 , 张沛霖 , 钟维烈

功能材料

首次用提拉法生长了K3Li2Nb5O15:Mg晶体,在10~700K的温度范围内,研究了该晶体的c、a方向片的介电温度特性,测量了频率在5×102~5×108Hz范围内介电常数的频率依赖关系.结果表明除了在623K附近有铁电-顺电相变以外,还在80K左右存在铁电-铁电相变,其介电弛豫频率约为250MHz左右.

关键词: 掺杂 , 相变 , 介电性

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