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硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长

周蔺桐 , 爱生 , 尹传强 , 刘小平 , 周浪

材料科学与工程学报

工业生产的太阳能电池用多晶硅锭内部常出现碳化硅夹杂,影响太阳能电池的转换效率,特别是严重威胁硅片的切割生产过程。本文研究了硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅沉淀生长特性。在熔解实验中发现:即使在碳显著过饱和的情况下,碳化硅仍会熔解在1450℃的硅熔体中,同时熔体中易形核处发生新的碳化硅颗粒析出。在1350℃下进行了硅料中碳化硅沉淀的固相生长实验,结果表明晶体硅中碳化硅沉淀的高温固态生长十分缓慢。这一特性得到理论计算证实,它表明固相生长不可能是多晶硅锭中出现大颗粒碳化硅的原因。

关键词: 硅熔体 , 硅晶体 , 碳化硅

半固态等温处理Ti48Zr18V12Cu5Be17非晶合金的显微组织演变

郭洪民 , 王程 , 温飞马 , 杨湘杰 , 爱生

中国有色金属学报

采用水冷铜模吸铸法制备内生β-Ti晶体相增塑Ti48Zr18V12Cu5Be17块体非晶复合材料,研究该材料在半固态温度区间的显微组织演变及其动力学.结果表明:水冷铜模吸铸的铸态组织和半固态等温处理后的水淬组织均由β-Ti晶体相和基体非晶相组成.半固态等温处理温度和保温时间决定着β-Ti相的最终形态,提高等温处理温度将提高β-Ti相的演变速度.β-Ti相晶粒尺寸D3和保温时间t存在线性关系,生长动力学因子K=3.6 μm3/s,β-Ti相的球化过程是由溶质元素扩散控制的粗化行为.

关键词: 非晶基复合材料 , 半固态 , 水冷铜模 , 显微组织

液晶物理第二液晶的统计理论

李伯符

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.03.009

利用统计物理方法讨论了自由能,在此基础上,详细地推导了只考虑二阶和三阶维里系数近似下,刚性棒状分子的液晶统计理论.介绍了液晶的序参量,讨论了由序参量描述的液晶统计理论.简要地介绍了液晶的相变理论.最后从统计理论出发讨论了液晶的弹性系数与序参数的关系.

关键词: 统计理论 , 自由能 , 相变 , 序参量

液晶物理第三液晶的流体力学理论

李伯符

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.010

讨论了液晶的流体静力学性质,并以魔术螺旋为例分析了力矩平衡条件;讨论了液晶的流体动力学,详细分析了摩擦定律;最后讨论了3种最简单的沿x、 y、 z方向层流。

关键词: 流体静力学 , 流体动力学 , 液晶

评“金属X射线学”

郭可信

金属学报

<正> X射线在金属学及金属物理这一学科中的应用日益广泛,它已经是从事金属研究的科学工作者所不可缺少的工具.同时,金属X射线学也已经成为一门新的边缘学科分支,是金属学及金属物理专业的必修课程.但是,在这方面,迄今为止尚无一本我国科学工作者编写的教材或参考书,仅有的几种译本亦都有内容贫乏与过时的缺点.因此,许顺生同志著的“金属X射线学”的出版是值得欢迎的.本书的内容范围相当广泛,并且是此较全面的.全书共26,可以粗略地分五个部分:第一部分(1—5):基本理论,包括X射线物理及晶体学基础,X射线衍射的几何及强度理论;第二部分(6—10):各种实验方法,如劳厄、周转晶体、粉末及小角度散射法;第三部分(11—15):X射线晶体学的一

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腐蚀科学与防护技术 总目录(1989年至1991年)

腐蚀科学与防护技术

尸公一匀八U月任,l一.1 111土Q自n舀·专论·‘.卷关子缓蚀剂研究的电化学方法·················,············……曹楚南2 ·综合评述·、‘将石油工业防腐蚀技术推进到一个新水平········..·····……梁翁1油田腐蚀状况与腐蚀控制··,························一八·,……张兴儒’1微机在地下腐蚀及其阴极保护中的应用…山·······..···……常....

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“金属学原理”

刘国勋 , 宋维锡 , 宋泝生 , 柯俊 , 守华

金属学报

<正> 随着我国現代化工业的发展,从事金属材料的工作者的队伍迅速扩大,他們迫切需要較深入地掌握金属学及其近代发展。近年来,虽然出版了一些較深入的金属理論的譯著,但是适合于从事金属的生产和使用的一般工作者,使他們能正确系統地掌握現代金属学的基本概念和基本知識的参考书还是較少的。現代冶金丛书中徐著“金属学原理”的出版,可望滿足一部分这种迫切需要。 全书分八。第一金属的結构,介紹了固体金属的結构类型,金属原子大小的概念,晶体中的点、

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