吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料
用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
图形化的衬底电极
,
两级场放大
吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.008
采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳纳米管的场致电子发射.该阴极制备工艺简单、发射特性优异,且容易实现大面积制备,可以应用到大面积场发射显示器件中.
关键词:
碳纳米管
,
场发射阴极
,
银台阵列
,
电泳淀积
,
电化学淀积
曹连振
,
蒋红
,
宋航
,
李志明
,
赵海峰
,
吕文辉
,
刘霞
,
郭万国
,
阎大伟
,
孙晓娟
,
缪国庆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.
关键词:
碳纳米管
,
线阵列
,
热化学气相淀积
,
场发射特性
王辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
蒋红
,
缪国庆
,
李志明
,
赵海峰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.010
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417 nm和436 nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合.
关键词:
光致发光
,
碳化硅
,
HFCVD
缪国庆
,
殷景志
,
金亿鑫
,
蒋红
,
张铁民
,
宋航
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.015
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
铟镓砷
,
探测器
蒋红
,
金亿鑫
,
宋航
,
缪国庆
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.012
本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料.由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率.将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测.根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%.我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征.结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料.反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%.
关键词:
MOCVD
,
分布布喇格反射镜
,
反射率
邓泽超
,
刘海燕
,
张晓龙
,
褚立志
,
丁学成
,
秦爱丽
,
王英龙
人工晶体学报
在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜.通过扫描电子显微镜、拉曼散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析.结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小.结合朗缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论.
关键词:
纳米Si晶薄膜
,
脉冲激光烧蚀
,
空间分布
,
朗缪尔探针
孙清
,
李谷丰
,
邓乾民
,
刘杰民
,
时国庆
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.10.2015031001
为实现对环境及食品样品中黄曲霉毒素B1的高灵敏检测，通过优化一系列试剂盒参数，研制了一步间接竞争ELISA检测试剂盒．优化后的包被缓冲液为90 mmol·L－1、pH 4．6的柠檬酸缓冲液，最佳反应pH值为7．4，抗体包被浓度为0．2μg·mL－1， HRP?BSA?AFB1稀释比为1／4000，标品稀释液为含7％甲醇的PBST溶液．优化后试剂盒IC50值为66 pg·mL－1，检测限为7．6 pg·mL－1，检测线性范围为10—810 pg·mL－1．试剂盒对不同AFB1添加水平（0．5μg·kg－1，1μg·kg－1）的玉米、豆粕和鱼粉样品平均回收率为108．4％—134．8％．对玉米、豆粕和鱼粉样品各20份盲样测试结果表明，试剂盒检测结果与HPLC?MS／MS检测结果吻合．
关键词:
ELISA
,
黄曲霉毒素B1
,
残留
,
试剂盒
李成明
,
徐重
,
田林海
,
吕反修
,
唐伟忠
中国有色金属学报
用朗缪尔单探针技术对离子渗金属中的等离子体参数进行了诊断,讨论工艺参数对等离子体参数的影响.结果表明,随着工件阴极电压、源极电压和气压的增加,等离子体密度增大.利用等离子体参数结合放电特征对工艺参数进行了优化限定.讨论了等离子体参数对渗层成分的影响.
关键词:
等离子体参数
,
工艺参数
,
表面成分
侯潇
,
许秋华
,
孙圆圆
,
王悦
,
李静
,
周新木
,
李永绣
稀土
doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201604001
测定了龙南足洞原地浸析多年后的尾矿中不同空间位置上的稀土和铵残留量,以及尾矿中的粘土矿物对稀土和铵的吸附等温线.结果表明,粘土矿物对稀土的吸附符合朗格缪尔等温线方程,对低浓度稀土有强吸附能力;而对铵的吸附等温线呈直线关系,不符合朗格缪尔等温线方程.尾矿粘土中铵的纯水浸出实验证明,尾矿中的铵可被水浸出而流失.用粘土矿物对稀土和铵的吸附特征差别和矿层内部的渗透特征差别解释了注液区域矿层内部从全风化层到半风化层方向铵和稀土残留量的上升趋势.因此,尾矿中铵和稀土含量的分布可以直接反映原地浸出效果的好坏以及铵的流失情况,用于讨论离子吸附型稀土矿床的内部结构与渗流特征.
关键词:
原地浸矿
,
离子吸附型稀土
,
尾矿
,
渗流特征
,
铵残留量
