张战刚
,
刘杰
,
侯明东
,
孙友梅
,
苏弘
,
耿超
,
姚会军
,
罗捷
,
段敬来
,
莫丹
,
古松
,
刘天奇
,
习凯
,
翟鹏飞
,
曹殿亮
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195
重离子实验结果表明，具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大，甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米，被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形；“L”型和“田”型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后，对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。
关键词:
单粒子效应
,
静态随机存储器
,
各向异性布局
,
多位翻转
习凯
,
刘杰
,
张战刚
,
耿超
,
刘建德
,
古松
,
刘天奇
,
侯明东
,
孙友梅
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.081
随着微电子器件集成度增加，由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著；尤其是它极易引发多位翻转，严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布，分析得出以下规律：入射离子单核能越高，其产生δ电子分布的径向范围越大；单核能相同的不同种离子，原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次，通过模拟一款45 nm 静态随机存储器的单粒子翻转效应，说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时，多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降；在多位翻转率峰值和布喇格峰之间，多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低，在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。
关键词:
单粒子效应
,
δ电子分布
,
多位翻转
,
Geant4
蒋冬舜
,
孙友梅
,
马朋
,
段敬来
,
刘杰
,
耿超
,
侯明东
,
姚会军
,
罗捷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.522
单粒子效应(SEE)加速器地面模拟需要离子束具有较好的均匀度，针对回旋加速器单粒子效应模拟的束流特点，建立了一套以位置灵敏平行板雪崩探测器(Parallel Plate Avalanche Counter， PPAC)为基础的均匀度探测系统并完成了带束测试，对它的结构、工作原理、均匀度获得方法及带束测试结果进行描述。为验证PPAC测量结果准确性，在带束测试过程中，前方同时放置PET膜测量穿过PPAC探测器的粒子分布，与离子径迹测量结果对比，给出PPAC的均匀度的测量误差在5%之内。探测器具有50 mm×50 mm的灵敏面积和小于1 mm的位置分辨，符合单粒子效应实验对束流均匀度测量的要求。
关键词:
PPAC
,
单粒子效应
,
地面模拟
,
束流均匀度
,
固体径迹探测器
耿超
,
李孝远
,
林熠
,
罗春华
,
谢文刚
,
邓玉良
,
李达
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.358
针对0.13μm CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)体硅外延工艺下FPGA(Field Programmable Gate Arrays)配置片反熔丝PROM(Programmable-Read-Only-Memory)进行了单粒子效应(Single Event Effects SEEs)的加速器地面模拟试验研究。以PROM的存储容量、数据类型和工艺差异性为研究变量，考核与验证其在不同种类和能量粒子入射的系列性加速器地面SEEs模拟试验。研究结果表明，相对于8 Mbits PROM而言，空片16 Mbits PROM抗辐射性能最优，且从翻转饱和截面上说，16 Mbits的PROM具备更高的可靠性，优于国外同系列的芯片类型，试验用PROM芯片的单粒子锁定阈值>99.0 MeV·cm2/mg。另一方面，研究0.13μm CMOS普通与深阱工艺技术下PROM芯片单粒子翻转效应异同性的实验数据表明，在高LET(Linear Energy Transfer)处的两者抗辐射性能并无明显变化，但是低LET处(LET翻转阈值)的加固效果较为明显，即抗辐射技术能力主要体现在LET翻转阈值的提升而非翻转截面的减小。
关键词:
重离子
,
反熔丝PROM
,
单粒子锁定
,
单粒子翻转
张来新
,
胡小兵
合成材料老化与应用
简要介绍了纳米超分子化学的产生、发展及应用,重点综述了:①超分子纳米材料的合成及应用;②新型超分子纳米材料制备的新方法及其应用;③新型超分子纳米材料的合成及在医药学方面的应用.并对纳米超分子化学的发展进行了展望.
关键词:
纳米超分子化学
,
合成
,
应用
郝兰众
,
李燕
,
刘云杰
,
邓宏
功能材料
介质铁电超晶格薄膜是一类新型的薄膜材料,已逐渐开始受到重视,成为研究的热点.本文主要分析了铁电超晶格薄膜的结构特点、组分材料、介电铁电性能;介绍了其在实际中的应用以及在近几年的发展;概括了几种常用的介质铁电超晶格薄膜的生长技术及其影响因素;最后对铁电超晶格薄膜的发展和应用前景进行了展望.
关键词:
铁电超晶格
,
y薄膜
,
分子束外延
曾立英
,
赵永庆
,
李丹柯
,
李倩
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.05.002
对一种超塑性温度相对较低的双相钛合金SPZ的超塑性能进行了研究.结果表明:740～800℃,应变速率恒为1.11×10-3s-1时,SPZ合金的最大拉伸延伸率均超过1600%;760°C,合金的超塑延伸率可高达2149%.760℃,应变速率高达1.11×10-2s-1时,合金的超塑延伸率仍可达1380%.也就是说,700℃/1hAC处理后,SPZ合金在试验温度范围内具有低温高速超塑性.SEM观察发现,超塑变形前,合金的晶粒细小均匀,平均晶粒尺寸只有0.89μm;应变速率为2.22×10-3s-1,740℃,760℃变形后SPZ合金的晶粒尺寸分别为1.51μm,2.33μm.超塑性变形的微观机制是以晶界滑动为主,晶内变形以及位错蠕变起了协调作用.
关键词:
低温超塑性
,
双相钛合金
,
延伸率
,
细晶组织
,
变形机制
管志平
,
马品奎
,
宋玉泉
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00078
材料的拉伸断裂问题同时也是断裂延伸率问题,而材料的超塑性以其大的断裂延伸率为主要特征.自超塑性现象发现以来,人们从来没有停止过对超塑性大延伸率变形本质的探索.这方面的文献特别多,但主要集中在超塑性微观机理和变形机制方面,而对于超塑性变形力学规律方面的研究则相对较少.实际上,超塑性大延伸率与其力学稳定性密切相关,并由其特殊的断裂机制所决定.因此,本文首先从超塑性的微观断裂机制出发,着重回顾超塑性孔洞的形核、生长和连接的微观物理机制的研究进展.然后,主要从宏观力学稳定变形出发,回顾国内外有关超塑性拉伸过程中颈缩的产生和发展导致的断裂延伸率或极限应变的力学分析的研究工作,并作了相应的归类和评述.结论指出:尽管超塑性断裂机制的研究很多,但是缺乏统一的认识,仍需要长期的基础性工作.目前的首要任务就是从超塑性拉伸宏观力学规律出发,依据现代数值分析技术深入研究其力学稳定变形机制,以便揭示超塑性大延伸率现象的力学本质.在分析过程中,应采用精确定量的本构方程,并考虑变形路径等外部条件的影响.
关键词:
超塑性
,
拉伸
,
断裂延伸率
,
极限应变
,
孔洞
