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Mg3N2粉末的合成和光致发光性质研究

薛成山 , , 孙莉莉 , 孙传伟 , 庄惠照 , 王福学 , 杨兆柱 , 秦丽霞 , 陈金华 , 李红

稀有金属材料与工程

Mg粉在800℃氨气流中氨化60 min,可得到高质量的Mg3N2粉末.XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.996 57 nm.SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌.PL测试表明,在激发波长为490 nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545 nm的绿光发光峰.

关键词: 氮化 , Mg3N2粉末 , 光致发光

溶胶-凝胶法制备GaN颗粒

刘亦安 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 田德恒 , , 孙莉莉 , , 王福学

稀有金属材料与工程

以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氨化 , GaN晶粒

溶胶-凝胶法制备GaN颗粒

刘亦安 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 田德恒 , , 孙莉莉 , , 王福学

稀有金属材料与工程

以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氨化 , GaN晶粒

溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用

, 薛成山 , 孙莉莉 , 孙传伟 , 庄惠照 , 王福学 , 杨昭柱 , 秦丽霞

功能材料

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Mg薄膜,然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米棒的形貌,纳米棒的直径在200~600nm之间.我们对镁层的作用进行了简单探讨.

关键词: GaN , 磁控溅射 , 纳米棒

氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

孙莉莉 , 薛成山 , , 孙传伟 , 庄惠照 , 张晓凯 , 王福学 , 陈金华 , 李红

功能材料

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50~150nm之间.

关键词: 磁控溅射 , 氨化 , GaN薄膜 , Ti

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

, 薛成山 , 庄惠照 , 田德恒 , 刘亦安 , 孙莉莉 , 王福学 ,

稀有金属材料与工程

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.

关键词: 磁控溅射 , 氨化 , 氮化镓纳米棒 , 光致发光

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

, 薛成山 , 庄惠照 , 田德恒 , 刘亦安 , 孙莉莉 , 王福学 ,

稀有金属材料与工程

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.

关键词: 磁控溅射 , 氨化 , 氮化镓纳米棒 , 光致发光

氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , , 孙丽丽 , 杨兆柱 , 李红

功能材料

研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.

关键词: GaN , Ga2O3/In , 氨化 , 磁控溅射

氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜

薛成山 , 王福学 , 庄惠照 , 张晓凯 , , 孙丽丽 , 陈金华 , 秦丽霞

功能材料

研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.

关键词: GaN , Ga2O3/In2O3 , 氨化 , 磁控溅射

氮化铟粉末的热稳定性

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , , 孙丽丽 , 杨兆柱 , 张晓凯

稀有金属材料与工程

用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究.结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In2O3.

关键词: 热稳定性 , InN , In2O3

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