余德超
,
谈定生
,
王松泰
,
郭海亮
,
韩月香
,
王勇
,
范君良
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.10.010
介绍了压延铜箔镀铜粗化工艺的工艺流程和工艺条件.讨论了粗化处理及固化处理过程中铜离子含量、硫酸含量及电流密度等因素对压延铜箔表面质量及抗剥离强度的影响.得到了适合压延铜箔的粗化条件(20g/L CU2+,70g/L的硫酸,适量添加剂,Jk=40~50A/dm2,θ=30℃,t=3~5s)和固化条件(60~70 g/L Cu2+,90~105 g/L硫酸,适量添加剂,Jk=20~30 A/dm2,θ=50℃,t=6~8s).经该粗化工艺处理后的压延铜箔与印制板基板结合力良好.
关键词:
印制板
,
压延铜箔
,
镀铜
,
粗化工艺
,
固化
,
抗剥离强度
,
结合力
余德超
,
谈定生
,
郭海亮
,
韩月香
,
赵为上
,
王勇
,
范君良
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2007.06.005
研究了硫酸盐-柠檬酸体系电镀锌-镍合金工艺.该锌-镍合金作为印制板用压延铜箔的阻挡层.考察了镀液主要成分及工艺条件对压延铜箔性能的影响,并对各因素进行分析,由此确定了压延铜箔电镀锌-镍合金工艺条件.经测试,使用该工艺处理的压延铜箔与印制板基板具有良好的结合力,并具有较强的耐腐蚀性.
关键词:
印制板
,
压延铜箔
,
结合力
,
电镀锌-镍合金
赵为上
,
谈定生
,
王勇
,
范君良
,
韩月香
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2006.04.004
讨论了电解铜箔镀镍工艺,并对镀镍后铜箔的一些性能进行了测试,通过与镀锌电解铜箔的一些性能比较,发现镀镍电解铜箔解决了镀锌电解铜箔存在的一些弊端,尤其是提高了电解铜箔的耐化学腐蚀性以及在对由镀镍电解铜箔制成的覆铜箔板进行蚀刻时明显地减少了侧蚀现象.
关键词:
电解铜箔
,
镀镍
,
耐化学腐蚀
,
侧蚀现象
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
张海
,
于辉
,
姚风臣
,
刘德富
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005
利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.
关键词:
逐步回归
,
淬透性
,
联立方程
,
概率