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氟化锂晶体的研究进展

范志达 , 王强涛 , 尹利君 , 陈刚 , 刘景和 , 李春 , 何庭秋

硅酸盐通报

随着真空紫外光学技术的发展,在深紫外波段透过率最高、截止波段最短的氟化锂晶体重新引起人们的关注.本文结合LiF晶体本身的物理化学性质,综述了氟化锂原料制备工艺、晶体生长方法的研究进展及存在的问题.以提高氟化锂光学元件质量为出发点,总结了原料纯化、晶体生长、加工工艺对光学元件质量的影响和有效的解决措施.

关键词: 氟化锂晶体 , 光学元件 , 晶体生长

用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究

闫泽武 , 王和明 , 蔡以超 , 杨耀源 , 东艳苹 , 范志达

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.008

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌(ZnS)的制备工艺,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响.XRD,XEM及IR表明,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn-H键的形成,使生长的CVD ZnS具有高的红外透过率,提高了材料的光学品质.

关键词: 化学气相沉积法 , 硫化锌 , 缺陷 , 热等静压 , 红外透过率

坩埚下降法生长白宝石晶体的研究

邹蒙 , 范志达 , 李楠 , 徐川 , 黄朝恩

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.009

本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶.我们使用大尺寸异型钼坩埚,高纯氧化铝原料,在中性气氛下,结晶区温度梯度为25～30℃/cm,生长速度为0.8～1.8mm/h,生长方向选C面[0001]取向,成功生长出直径80mm,高度90mm的完整透明的白宝石单晶,在300～5500nm范围内,其光学透过率均在80%以上.实验中采用高性能保温材料使生长过程所需加热功率由20kW下降到15kW,能耗降低达25%;采用双回路加热系统,提高温场稳定性,缩短晶体生长周期.晶体的主要缺陷为顶部(生长后期)出现有5～10mm淡黄色色带(经在氧化性气氛中退火后已消除)和底部有细丝状条纹.

关键词: 布里奇曼法 , 双回路加热系统 , 白宝石单晶

洛宁范庄金银多金属矿床地质特征及找矿潜力分析

王宏运

黄金 doi:10.11792/hj20150804

范庄金银多金属矿床位于熊耳山西段，通过对矿床地质特征及化探异常研究，认为本区金银矿脉分布具有分带性，且与异常分布相吻合，受区内拆离断层和北东向脆性断裂控制，矿床类型为构造蚀变岩型矿床，并对区内找矿标志进行了总结，对区内找矿潜力进行了分析。

关键词: 矿床特征 , 化探异常 , 金银矿床 , 找矿标志 , 找矿潜力 , 范庄金银多金属矿床

40MnBH范的研究

张海 , 于辉 , 姚风臣 , 刘德富

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005

利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.

关键词: 逐步回归 , 淬透性 , 联立方程 , 概率

四平师范学院科技开发中心系列化学镀镍产品介绍

材料保护

关键词:

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材料保护

关键词:

激波内部的导热问题

黄为民 , 刘夷平

工程热物理学报

本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组范诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.

关键词: 激波 , 导热 , 不可逆 , 非平衡态 , 热波

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

王泽温 , 介万奇 , 李宇杰 , 谷智

功能材料

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.

关键词: Hg1-xMnxTe , 范德堡法 , 导电类型 , 霍尔系数

二维石墨烯/h-BN异质结构负热膨胀性质的理论研究

武明义 , 孙强 , 贾瑜 , 梁二军

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.04

二维材料由于存在“膜效应”,即在垂直于薄膜方向的热涨落,使得沿着二维薄膜面内方向出现反常的负热膨胀现象.这种热效应对薄膜的稳定性及电子性质可产生重要影响.基于第一性原理计算和准谐近似,系统地研究了二维单层石墨烯、h-BN和石墨烯/h-BN异质结构的电子、声子以及热膨胀性质,计算了3种结构不同振动模式的格林奈森参数,讨论了引起这3种结构负热膨胀的振动模式.计算表明,由于垂直薄膜方向的热振动,石墨烯和h-BN在薄膜面内均具有较大的负热膨胀系数;它们形成的异质结构依靠弱的范德瓦尔斯相互作用结合在一起,这种层间弱相互作用对薄膜垂直方向的热振动产生影响,使得形成的异质结构的负膨胀系数介于石墨烯和h-BN之间.通过分析异质结构的振动模式,发现引起面内热收缩的ZA振动模式受到了层间范德瓦尔斯相互作用影响,导致异质结构的负热膨胀系数大于石墨烯而小于h-BN.研究表明,可以在实验中通过范德瓦尔斯相互作用来改变层状结构材料的负热膨胀性质,从而提高薄膜材料结构和电子性质的热稳定性.

关键词: 石墨烯 , h-BN , 负热膨胀 , 格林奈森参数 , 范德瓦尔斯相互作用