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MPCVD法在基片边缘生长大颗粒金刚石的研究

满卫东 , 翁俊 , 吴宇琼 , 吕继磊 , , 汪建华

人工晶体学报

本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出品粒尺寸达500 μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石.在实验中,利用SEM和Raman光谱对基片边缘区域和中央区域所沉积的金刚石颗粒进行了表征.结果表明,边缘处沉积的金刚石颗粒与中央区域沉积的金刚石颗粒相比,具有更大的晶粒尺寸和更好的质量.通过仔细观察实验条件,对边缘效应产生的原因进行了分析,发现由于基片边缘放电,使得基片表面的电场强度和温度分布发生变化,从而导致基片边缘区域的等离子体密度和温度高于中央区域,高等离子体密度和温度的综合作用是使得在基片边缘能以较高的沉积速率沉积出大尺寸金刚石颗粒的主要原因.

关键词: MPCVD , 边缘效应 , 大颗粒金刚石

高掺杂Si/BDD薄膜电极的制备及电化学性能

陈朋 , 满卫东 , 吕继磊 , 朱金凤 , , 汪建华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.03.010

近年来,掺硼金刚石(BDD)膜因具备独特的优异性能而作为电极材料已经受到很大的关注.本文通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜,并用四探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω·cm,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学性质.结果表明,与Pt电极相比(1.8V和-1×10-3~3×10-4A),BDD电极具有很宽的电化学窗口(2.8~3.2V),较低的背景电流(-3×10-6~2×1O-6A);选用高掺杂的硅作基底使导线从导电基底接入,能够为Si/BDD电极提供更多工作面积从而节约制备成本;在铁氰化钾电解液中,表面所进行的电化学反应具有较好的准可逆性,并且电极表面具有较好的稳定性.对有机物苯酚的催化氧化检测发现:与Pt电极相比,BDD电极氧化能力强,且氧化产物简单彻底,因此可以作为一种理想的电极材料.

关键词: 化学气相沉积 , 掺硼金刚石(BDD)膜 , 电化学性能 , 循环伏安法

,二和三Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一、二和三 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一线状和二网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: , , , Si基纳米线 , 制备

材料的研究

李燕 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文 , 周晓燕

材料导报

主要论述了低材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一ZnO量子线;描述了低材料的发展前景.

关键词: 材料 , 介质超晶格 , 金属超晶格 , ZnO量子线

氮化镓低材料

陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.013

本文综述了本实验室近年来在半导体低材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

关键词: 氮化镓低材料 , 生长动力学 , 形貌稳定性

基于二方孔光栅的平面三显示

孔令胜 , 王天聪 , 蔡盛 , 钟兴 , 张雷 , 徐开 , 金光 , 乔彦峰 , 贾继强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029

狭缝光栅实现平面三显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一狭缝光栅和二透镜阵列提出了一种基于二方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二方孔光栅的平面三显示原理可行.其像质因子略小于一狭缝光栅的像质因子,但继承了一狭缝光栅和二透镜的优点,是实现平面三显示的一种新的发展方向.

关键词: 平面三显示 , 纵横视差 , 像质因子

结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低结构尤其是一结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 结构 , 电荷迁移 , 发光

RIM充模模拟

任世杰 , 戴干策

高分子材料科学与工程

采用混合数值方法对三RIM充模过程进行了数值模拟,即在模腔宽度上采用有限元法,而在厚度方向上采用有限差分方法,对三问题进行求解.采用这种方法,避开了直接求取三有限元所带来的困难.同时采用了任意拉格朗日-欧拉法处理流动前缘.文中对数值结果进行了讨论.

关键词: 反应注射成型 , 充模 , 数值模拟

量子态存储

丁冬生 , 周志远 , 史保森

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.008

量子通信网络主要由用于存储和操纵量子态的存储单元和联络存储单元之间的信息载体构成.光子是信息载体的最佳选择,存储单元可以由固态材料或气态原子组成.相对于二空间,编码于一个高维空间的光子可以携带更大的信息量.若能够实现编码于高维空间的量子态存储,则在增大存储单元存储容量的同时,还可以提高网络的信道容量和传输效率,因而高量子态的存储研究成为当前量子信息领域的热点领域.简要回顾了国内外在高量子态存储方面的进展,着重介绍了近期基于冷原子系综实现单光子条件下高量子态存储的突破性进展,提出了构建高量子网络需要解决的关键问题.

关键词: 量子光学 , 量子存储器 , 编码态 , 轨道角动量 , 存储

加热炉内钢坯二导热差分方程的一简化

伊智 , 张卫军 , 陈海耿 , 李国军 , 吴小冬

中国冶金

利用总括热吸收率法对加热炉内钢坯加热过程进行模拟.分别对板坯和方坯导热差分方程进行一和二简化,比较其结果.在方坯的情况下,采用田中功模型进行描述.分析了二模型与田中功模型的差别,并调整田中功模型下的总括热吸收率值,使其与二模型结果基本相同.

关键词: 模型 , 模型 , 田中功模型 , 总括热吸收率

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