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先进金属材料的第二相强化

吕昭平 , 蒋虽合 , 何骏阳 , 周捷 , 宋温丽 , 吴渊 , 王辉 , 刘雄军

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2016.00383

归纳总结了本课题组近几年来在几种典型的先进金属材料(高性能钢铁材料、高熵合金及块体非晶合金)中应用第二相强化机制的研究工作. 研究发现, 通过调控第二相与基体组织的界面特性和性能匹配, 可以有效调控第二相的尺寸、体积比及形貌等特征, 从而大幅度提高这些材料的综合力学性能.

关键词: 金属材料 , 第二相强化 , 相界面 , 力学性能

先进金属材料的第二相强化

吕昭平 , 蒋虽合 , 何骏阳 , 周捷 , 宋温丽 , 吴渊 , 王辉 , 刘雄军

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2016.00383

归纳总结了本课题组近几年来在几种典型的先进金属材料(高性能钢铁材料、高熵合金及块体非晶合金)中应用第二相强化机制的研究工作.研究发现,通过调控第二相与基体组织的界面特性和性能匹配,可以有效调控第二相的尺寸、体积比及形貌等特征,从而大幅度提高这些材料的综合力学性能.

关键词: 金属材料 , 第二相强化 , 相界面 , 力学性能

再结晶及低温时效对Fe-6.5 wt%Si薄板磁性能的影响

蒋虽合 , 毛卫民 , 杨平 , 叶丰

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.17.023

观察了高硅钢温轧板再结晶及低温时效过程中轧向和横向磁性能的差异及变化，通过取向分布函数、光学显微及 X 射线慢速扫描分析了织构、晶粒尺寸以及有序相的析出对铁损及不同磁场下磁感应强度的影响。结果表明，高硅钢虽然具有低的磁晶各向异性，织构仍是决定磁感值的关键因素，优化织构还可降低铁损。D03有序相的析出可降低饱和磁致伸缩系数，有益于降低低频铁损值，但其作用相比晶粒尺寸较小。退火后慢冷过程中依次发生B2及D03有序化，磁感B50的降低应是慢冷导致 B2有序化及其有序度升高所致。等温时效过程以 D03有序化为主，由于 D03相在B2相中析出，时效过程中磁感没有变化。

关键词: 高硅钢 , 织构 , 有序相 , 磁性能

Fe-6.5Si合金D03有序化及对磁性能的影响

蒋虽合 , 毛卫民 , 杨平 , 叶丰

物理测试

用X射线直接比较法表征Fe-6.5％Si合金DO3有序化,衍射强度受织构及三相多数衍射峰重叠影响而造成困难.选择DO3{111}特征峰与三相重叠峰DO3{444}、A2B2{222}比较,由于衍射面均为晶体学{111}晶面,结合有序化转变的特征可知该方法可避免织构的影响,两峰强度的比值实为D03相体积分数与表示其次近邻有序化程度参数的乘积.用方法表征了Fe-6.5％Si合金(温轧板A2相区退火后空冷)500℃时效过程中的DO3有序化.结果表明,空冷首先使其转变为亚稳定的D03相,时效前期以B2相析出为主,后期两相分离及D03相有序化程度升高.分析认为该合金相的含量、有序化程度及分布形态均影响其磁性能.

关键词: Fe-6.5％Si , D03有序化 , X射线 , 磁性能

硅片的直接键合

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键合 , 直接键合

铜线性能及键合参数对键合质量的影响

曹军 , 丁雨田 , 郭廷彪

材料科学与工艺

为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.

关键词: 伸长率 , 拉断力 , 表面 , 超声功率 , 键合压力

硅/硅键合新方法的研究

刘玉岭 , 王新 , 张文智 , 徐晓辉 , 张德臣 , 张志花

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.

关键词: 硅 , 锗 , 键合 , 机理

Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强度要求(对于 2mm× 2mm芯片).