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前驱体对合成3DOM SiO2材料微观结构的影响

李石 , 赵东风 , 郑经堂 , , 孙慧 , 刘伟

硅酸盐通报

以自然沉积的聚苯乙烯(PS)胶体晶体为模板,分别以正硅酸乙酯(TEOS)的醇盐溶液和溶胶溶液为前驱体对PS模板进行填充,通过煅烧除去模板,得到了三维有序大孔(3DOM) SiO2材料.由SEM照片观察发现,当以TEOS的醇盐溶液为前驱体时,获得的3DOM SiO2结构不易控制,缺陷较多.而以TEOS的溶胶溶液为前驱体时获得的3DOM SiO2结构良好,孔径大小均匀,排列整齐,可以看成是PS模板的逆复制,说明前驱体溶液的选择对3DOMSiO2材料的微观结构有显著的影响.XRD分析显示,制备的3DOM SiO2孔壁为无定形结构.

关键词: 胶体晶体 , 前驱体 , 三维有序大孔材料 , 二氧化硅

三维有序大孔二氧化钛光催化降解有机废水研究

李石 , 赵东风 , 郑经堂 , 万勇 , , 孙慧

硅酸盐通报

以聚苯乙烯(PS)为胶晶模板,一定比例钛酸四丁酯、乙醇、醋酸、盐酸和水配制的溶胶溶液为前驱体,通过浸渍和低温固化过程,使溶胶在PS模板间隙内进行填充并原位凝胶,最后通过煅烧除去模板,得到三维有序大孔(3DOM) TiO2材料.将获得的3DOM TiO2材料作为一种新型光催化剂降解罗丹明B和甲基橙有机废水,同时对其降解过程中的反应动力学进行了分析.结果表明,3DOM TiO2材料具有良好的光催化降解性能,并且降解反应复合一级动力学方程.

关键词: 胶晶模板 , 三维有序大孔TiO2材料 , 有机废水 , 反应动力学

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

阴极电泳涂装线线方案

金荣刚

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2003.01.009

笔者根据几年来的阴极电泳涂装线线经验,介绍了新建阴极电泳涂装线的清洗、槽、试生产运行调试及日常管理的关键问题及注意事项.

关键词: 阴极电泳涂装线 , 清洗 , , 运行调度 , 日常管理

中高能核数据评价和库国际概况

庄友祥 , 王记民

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.04.013

简要介绍了中高能核数据评价和库的国际概况, 较细致地讨论了中高能核反应实验测量、理论计算、积分检验、评价和库等, 并对我国今后中高能核数据工作提出了建议.

关键词: 核反应 , 核数据 , 中高能 , 评价 , 数据库

油库埋地管道阴极保护

胡士信 , 陈向新 , 致远等

腐蚀科学与防护技术

对已油库埋地管道有极保护,解决了埋地30多年的老管道的腐蚀控制问题。

关键词: 油库管道 , oil store , cathodic protection

龙钢铁烧结烟气脱硫工艺抉择实践

芮义斌 , 赵宏

金属世界 doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2010.01.017

介绍了龙钢铁烧结烟气脱硫工艺抉择过程中重点关注的原料特点、烟气参数、选择的原则、选择的依据等因素,较详细地介绍了龙钢铁石灰-石膏法湿式脱硫工艺流程,并从工程建设角度,对选择该工艺后可能出现的腐蚀和磨损问题进行了应对策略分析.

关键词: 烧结机 , 烟气 , 脱硫 , 磨损 , 腐蚀

350mm三机架冷连轧机穿带张过程分析

徐光

钢铁研究 doi:10.3969/j.issn.1001-1447.1999.02.011

350mm三机架冷连轧机穿带过程中张力的张过程进行了计算分析,讨论了主传动系统静动态速降对穿带张的影响,有助于对连轧张力的深入理解.

关键词: 冷连轧机 , 穿带张 静、动态速降

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

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