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聚酰亚胺/纳米二氧化硅复合薄膜的结构电学性能研究

张明艳 , , 吴宝华 , 范勇 , 雷清泉

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2004.05.001

在聚酰胺酸的二甲基乙酰胺溶液中,采用甲基三乙氧基硅烷为前驱体,水解原位产生二氧化硅纳米粒子的溶胶-凝胶工艺,制备了聚酰亚胺/纳米二氧化硅复合薄膜.采用红外光谱对薄膜进行了表征,并对薄膜的介电常数、介质损耗体积电阻率随二氧化硅含量变化进行了分析讨论.结果表明,二氧化硅的含量在10~15%之间,介电常数、介质损耗体积电阻率达到最大值并与纯聚酰亚胺薄膜的性能提高;二氧化硅含量进一步增加性能下降并比纯聚酰亚胺薄膜的性能有所下降,加入偶联剂能在适当提高二氧化硅含量下提高薄膜的性能.

关键词: 聚酰亚胺薄膜 , 纳米二氧化硅 , 复合

国产无溶剂有机硅浸渍漆TJ 1173与进口漆的性能比较

周光红 , 姜其斌 , 李鸿岩 , 李钦 , , 黎勇 , 李强军

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2010.01.012

介绍了国产TJ1173无溶剂有机硅浸渍漆的各项性能,并从结构性能上与国外瓦克公司的H62C无溶剂有机硅浸渍漆进行了比较.结果表明:TJ1173漆H62C漆的组成基本一致,比较综合性能,国产无溶剂有机硅浸渍漆TJ1173达到了瓦克公司H62C漆的同等水平.

关键词: 无溶剂 , 有机硅浸渍漆 , C级绝缘

无机组分对聚酰亚胺杂化薄膜电性能的影响

张明艳 , 王芳 , 金镇镐 , , 曾恕金 , 范勇 , 雷清泉

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.06.005

初步探讨了聚酰亚胺薄膜在电场作用下的电学行为,采用溶胶-凝胶工艺制备了聚酰亚胺/二氧化硅纳米杂化薄膜,并对薄膜进行浸水24 h处理,利用原子力显微镜对制备的薄膜进行表面形貌表征,讨论了无机组分SiO2水对薄膜电性能的影响.结果表明:无机组分的引入及两相间的界面形态将对杂化薄膜的电学性能产生重大的影响;偶联剂的引入使得两相间产生紧密的微相结合,并对电性能产生一定的影响.

关键词: 聚酰亚胺 , 纳米杂化薄膜 , 偶联剂 , 耐电晕

聚酰亚胺/氧化硅/氧化铝纳米复合薄膜的制备及性能研究

张晶波 , 范勇 , , 王芳

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.01.003

通过正硅酸乙酯甲基三乙氧基硅烷及异丙醇铝在聚酰胺酸的N,N-二甲基乙酰胺溶液中的溶胶凝胶反应,制备了具有一定SiO2Al2O3质量百分含量的聚酰亚胺复合薄膜.并且分别利用原子力显微镜傅立叶变换红外光谱对薄膜进行界面形态微观结构分析.并讨论了无机组分对薄膜的热性能电性能的影响.结果表明,聚酰亚胺复合薄膜中的无机组分的分散性良好,与聚酰亚胺基体形成了很好的纳米复合体系,经试验研究证明了无机组分的引入大大提高了薄膜的耐局部放电学性能耐热性能.

关键词: 聚酰亚胺薄膜 , 氧化硅 , 氧化铝 , 纳米复合 , 溶胶凝胶

变频电机用耐电晕绝缘材料的应用研究进展

姜其斌 , 陈红生 , , 李鸿岩

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2007.06.007

分析了变频电机绝缘材料的工作环境破坏机理,概述了耐电晕绝缘材料的研究及其在变频电机中的应用现状,讨论了我国在该领域存在的问题.提出了今后耐电晕绝缘材料的研究重点.

关键词: 变频电机 , 绝缘材料 , 耐电晕 , 破坏机理

C级无溶剂有机硅浸渍漆的应用工艺研究

, 姜其斌 , 黎勇 , 陈红生 , 李强军 , 蔡彬芬

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.04.004

介绍了C级无溶剂有机硅浸渍漆(TJ1173)的性能应用工艺.应用工艺表明:无溶剂有机硅浸渍漆是一种高性能绿色环保的新型绝缘材料.其优异的耐高低温性能、绝缘性能满足C级绝缘要求,浸渍固化应用工艺简便,适用于电机的真空压力浸渍绝缘处理并获得无气隙的整体性绝缘结构.

关键词: 有机硅 , 无溶剂浸渍漆 , 真空压力浸渍

有机硅绝缘浸渍漆的现状及发展趋势

, 姜其斌 , 黎勇 , 陈红生 , 李强军 , 李钦

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.06.006

概述了国内外有机硅浸渍漆的现状,分析比较了有溶剂有机硅浸演漆无溶剂有机硅浸渍漆以及缩合型和加成型两种固化机理的异同点,展望了有机硅浸渍漆的发展趋势,即加成型无溶剂有机硅浸渍漆是绝缘漆产品未来的发展方向.

关键词: 有机硅 , 浸渍漆 , 无溶剂

高效液相色谱-荧光检测法测定钊毒素-Ⅰ的磷脂膜结合活性

曾雄智 , 皮建辉 , 梁宋平

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.06.007

钊毒素-Ⅰ(JZTX-Ⅰ)是一种能够抑制心肌钠通道失活的新型蜘蛛神经毒素,该文结合高效液相色谱与色氨酸荧光测定技术研究了JZTX-Ⅰ的磷脂膜结合活性.脂质体共沉淀实验表明,JZTX-Ⅰ具有不依赖于带负电荷磷脂组成的生物膜结合活性.当加入由酸性或中性磷脂构成的脂质体后,JZTX-Ⅰ能够分别产生6.44.7 nm的蓝移以及7.48.0 nm的红移激发漂移,显示JZTX-Ⅰ能够插入磷脂膜,同时该分子疏水表面的色氨酸残基处于一个运动受限的界面区域.荧光淬灭实验进一步证实,与脂质体结合能够减少该毒素分子表面色氨酸残基的溶剂暴露.该研究结果为阐明JZTX-Ⅰ的离子通道门控调节机制提供了新的信息.

关键词: 高效液相色谱 , 荧光谱 , 单层小脂质体 , 钊毒素-Ⅰ

钊毒素-V剪切体Y1-JZTX-V的化学合成与氧化复性及其钠通道活性鉴定

全妙华 , 曾雄智 , 皮建辉 , 邓梅春 , 梁宋平

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.04.011

应用芴甲氧羰基(Fmoc)固相方法化学合成了钊毒素-V(JZTX-V)分子N-端酪氨酸残基剪切体(Y1-JZTX-V),并且通过反相高效液相色谱质谱对不同条件下的氧化复性结果进行监测,从而得到该剪切体的最佳氧化复性条件:0.1 mol/L Tris-HCl缓冲液、pH 7.50、1 mmol/L还原型谷胱甘肽(GSH)、0.1 mmol/L氧化型谷胱甘肽(GSSG)、样品浓度为0.05 mg/L、复性温度为4 ℃.膜片钳电生理实验结果显示钊毒素-V剪切体Y1-JZTX-V对大鼠背根神经节(DRG)细胞上表达的河豚毒素不敏感型(TTX-R)与河豚毒素敏感型(TTX-S)钠电流均有抑制作用,其半数抑制浓度(IC50)分别为(160±2.5)nmol/L(39.6±3.2)nmol/L.与天然的钊毒素-V相比,该剪切体对大鼠DRG细胞上的TTX-S钠电流的抑制作用基本一致,但对TTX-R钠电流的抑制作用却大大降低,表明钊毒素-V分子N-端的酪氨酸残基是一个与TTX-R钠通道结合活性相关的氨基酸残基.

关键词: 化学合成 , 钊毒素-V剪切体 , 复性 , 钠离子通道

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