李兴鳌
,
杨建平
,
左安友
,
高雁军
,
袁作彬
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任山令
,
李永涛
材料导报
采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu_3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响.结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体,只有明显的Cu晶体.随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13～28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大.
关键词:
氮化铜薄膜
,
直流磁控溅射
,
基底温度
,
热稳定性
李兴鳌
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刘祖黎
,
左安友
,
袁作彬
,
杨建平
,
姚凯伦
材料导报
采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜.XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱.AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加.铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率.
关键词:
氮化铜薄膜
,
磁控溅射
,
电阻率
左安友
,
袁作彬
,
杨建平
,
李兴鳌
材料导报
用直流磁控溅射方法,在氮气分压为0.5Pa、不同的基底温度下,于玻璃基底上制备了Cu3N薄膜.当基底温度为100℃及以下时,温度越高薄膜的结晶程度越好.当基底温度在100℃以上时,随着基底温度的升高,薄膜的结晶程度逐渐减弱,200℃时结晶已很弱,300℃时已完全不能形成Cu3N晶体.薄膜的电阻率随基底温度的变化不大,薄膜的沉积速率随基底温度的升高在18～30 nm/min之间近似地线性增大,薄膜的显微硬度随基底温度的升高而略有降低.对基底温度为室温和100℃下制备的氮化铜薄膜进行不同温度下的真空退火,研究了它们的热稳定性.XRD测试表明,薄膜在200℃时开始出现分解,350℃时完全分解.比较在基底温度为室温和100℃下制备的样品,发现室温下制备的氮化铜薄膜比100℃下制备的氮化铜薄膜稳定.
关键词:
氮化铜薄膜
,
直流磁控溅射
,
X射线衍射
,
热稳定性
袁作彬
,
左安友
,
李兴鳌
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.033
利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性.XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子显微镜图像表明Al掺杂之后使得氮化铜晶粒形状变得不规则,晶界变得模糊,说明Al掺杂会抑制氮化铜晶体的生长;通过光学透射谱计算得到光学带隙,Al掺杂降低了氮化铜薄膜的光学带隙,并随着掺杂含量的增加而逐渐减小,实现了Al掺杂氮化铜薄膜光学带隙的连续可调,带隙减小源于Al外层电子的局域态进入氮化铜的带隙间,增加了中间态.同时四探针的测试也表明掺杂之后电阻率变小.
关键词:
氮化铜
,
薄膜
,
Al掺杂
,
光学特性
,
电学特性
李利剑
,
高丙寅
钢铁
本文论述了在安钢原、燃料条件下用洗精煤替代原煤作燃料的烧结生产可行性研究及效果.实践证明,烧结生产用洗精煤替代原煤作燃料,可使烧结矿SiO2降低,TFe提高,高炉技术经济指标改善.
关键词:
洗精煤
,
固体燃料
,
烧结生产
臧疆文
,
张群
,
刘新娣
,
张则刚
,
柯建新
,
杨恒远
钢铁
为解决不加铺底料烧结的弊端,研究了用褐铁矿作烧结铺底料.研究结果表明:用梧桐沟褐铁矿作烧结铺底料可以取得较好的烧结生产指标,烧结后梧桐沟褐铁矿的烧失降至0.48 %,TFe提高到63 %;转鼓指数降至80 %;可以利用烧结过程产生的热量使结晶水充分脱除,并使碳酸盐充分分解.
关键词:
褐铁矿
,
铺底料
,
烧结
应自伟
,
许力贤
,
姜茂发
,
廉树杰
,
田青
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2002.03.004
用纽曼铁矿和海南铁矿作铺底料的烧结杯试验表明:两种块矿替代烧结矿作铺底料都有利于提高烧结生产率,降低烧结能耗,改善烧结矿强度和低温还原粉化指标,后者效果更显著.在烧结过程中,两种块矿铺底料不发生爆裂,还可脱除结晶水及硫等有害杂质.
关键词:
铺底料
,
烧结生产率
,
强度
,
RDI
