王泽温
,
介万奇
,
李培森
,
谷智
,
刘长友
,
李强
,
查钢强
,
汪晓芹
稀有金属材料与工程
采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右.化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%.本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
电学参数
,
霍尔迁移率
刘长友
,
介万奇
,
张滨滨
,
查钢强
,
王涛
,
谷智
人工晶体学报
采用物理气相输运法( PVT),以Cr2+∶ ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体.紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770nm左右出现了强吸收；Cr2+浓度在1019 atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度.荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm；室温荧光寿命为5.52×10-6s.数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18cm2和2.3×10-18 cm2.
关键词:
硒化锌
,
Cr2+掺杂
,
物理气相输运法
刘长友
,
介万奇
,
王涛
,
查钢强
,
谷智
,
孙晓燕
功能材料
以七水硫酸锌（ZnSO4.7H2O）和碳酸氢铵（NH4HCO3）为原料,以聚乙二醇-400（PEG-400）为模板,通过室温固相反应制备了碳酸锌（ZnCO3）和碱式碳酸锌（ZnCO3.3Zn（OH）2.H2O,basic zinc carbon-ate,BZC）。通过XRD测试及其半定量成分分析,研究了PEG-400剂量和NH4HCO3与ZnSO4.7H2O摩尔比x值对合成产物物相的影响。总结了PEG-400模板辅助合成ZnCO3和BZC的反应机制。结果表明,PEG-400包覆ZnSO4.7H2O颗粒形成模板,模板层的厚度影响固相反应的微观机制———薄层单向扩散与厚层互扩散,局部微环境的酸碱性决定着产物物相,酸性抑制ZnCO3水解,碱性促进ZnCO3水解生成BZC。由据此设计的较高x值（x=3.0）、较低PEG-400剂量（70μL）的合成工艺,制备了单相BZC粉体。
关键词:
碳酸锌
,
碱式碳酸锌
,
固相反应
,
合成
王泽温
,
介万奇
,
李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
谷智
,
李国强
,
张龙
,
介万奇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.002
在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证.与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度.
关键词:
HgMnTe
,
垂直Bridgman法
,
变速生长
,
固液界面迁移
,
组分均匀性
刘长友
,
谷智
,
王涛
,
查钢强
,
介万奇
功能材料
研究了低浓度（0.01～0.20mol/L）N2H4.H2O条件下ZnO微晶的低温水热结晶特性。N2H4.H2O弱碱性和N2H5＋吸附配位性影响ZnO微晶的形核和各晶面的生长速率。随着N2H4.H2O浓度的提高,ZnO微晶分别呈板条状、六角片状和六角棒束状。碱性分散剂和超声的分散作用影响主要在成核阶段;受分散剂弱碱性的影响,0.20mol/L N2H4.H2O显现出强的还原性,N2气泡模板生长机制使所制ZnO微晶呈六角管状晶须束。
关键词:
氧化锌
,
水热合成
,
结晶习性
,
水合肼
许岗
,
谷智
,
坚增运
,
惠增哲
,
刘翠霞
,
张改
人工晶体学报
为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.
关键词:
碘化汞
,
物理气相沉积
,
最低生长温度
谷智
,
李国强
,
介万奇
功能材料
研究了表面处理工艺对ZnTe的Raman光谱的影响,结果表明,ZnTe的LO(Γ)特征峰对表面处理工艺敏感,该特征峰的强度与半峰宽的比值(I/H)越大,晶体表面晶格完整性越高.对机械抛光的ZnTe晶片依次进行化学抛光、去除表面氧化物,I/H值分别出现不同程度的增加,表面晶格完整性逐渐提高.以514.5nm激光激发ZnTe,荧光峰掩盖了200～3000cm-1内Raman散射峰,拟合得到ZnTe的禁带宽度是2.255eV.
关键词:
ZnTe
,
表面处理
,
Raman光谱
,
显微荧光光谱
