杜江锋
,
赵金霞
,
于奇
,
杨谟华
材料导报
采用X射线光谱R(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究.当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga_2O_3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2.SE测试结果表明,GaN线性氧化速率约为40nm/h,呈抛物线生长,最终平均氧化速率约为25nm/h.在300～800nm测试范围内,Ga_2O_3折射率为1.9～2.2,与文献测试结果相符.但在300～400nm测试范围内存在反常色散现象,这与GaN在此波段的强吸收有关.
关键词:
GaN
,
热氧化
,
Ga_2O_3
,
XPS
,
SE
杜江锋
,
赵金霞
,
罗谦
,
于奇
,
夏建新
,
杨谟华
功能材料
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究.所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得.应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响.研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关.
关键词:
GaN
,
椭圆偏振光谱
,
InN
,
Ga2O3
夏珍珠
冶金分析
doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.010052
称取一定量的载金炭进行火试金配料,经过熔炼、灰吹得到金银合粒,使用硝酸分金得到金粒,再通过计算得到载金炭中银含量,从而建立了火试金重量法测定载金炭中银含量的方法.经过试验,确定了火试金配料中试样量、氧化铅加入量、灰吹温度等最佳试验条件.根据目前国内载金炭的生产水平,在载金炭国家标准物质加入一定量的共存元素,进行了银量测定的干扰试验,结果表明载金炭中共存元素(Cu、Fe、Pb、Cd、Zn、Bi、Cr、Ca、Mg、As)对银测定无影响.将方法用于3个载金炭国家标准物质中银的测定,测定值与认定值基本吻合,相对标准偏差(RSD,n=11)为0.82%~4.2%.
关键词:
载金炭
,
银
,
火试金
马丽军
,
李正旭
,
钟英楠
,
阚春海
,
肖千鹏
,
赵可迪
黄金
doi:10.11792/hj20170419
研究了杂质元素对火试金重量法测定粗金中金量的影响,并通过一系列实验分别确定了粗金中铜、铁、锌、镍、铂、钯、硒、碲、锑、铋、钛、钨12种杂质元素适用于该方法的上限量值,及杂质元素超上限量值时所采取的措施,保证了方法的适用性,对指导黄金冶炼企业准确测定粗金中金量具有重要的意义.
关键词:
粗金
,
火试金
,
重量法
,
杂质
,
增量
胡光辉
,
李大树
,
黄奔宇
,
蒙继龙
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2006.07.019
分析了化学镀镍浸金过程中金层厚度不均的现象及其产生的原因.试验发现,面积不同的铜面发生电气互联时容易造成金厚不均的现象,而无电气互联情况时,金厚均匀性比较好.导致金厚不均的原因有两种情况,一种是电势影响,二是双极性效应.
关键词:
化学镀镍
,
浸金
,
双极性效应
