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退火温度对透明导电Ga2O3/ITO周期多层膜性能的影响

赵银女

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.018

用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.

关键词: 磁控溅射 , 多层膜 , 透明导电膜 , 退火 , 光学性质 , 电学性质

氧空位对Ga1.5In0.5O3透明导电氧化物性能的影响

赵银女

材料科学与工程学报

Ga1.5In0.5O3是一种潜在的紫外透明导电材料.用第一性原理计算了含氧空位的Ga1.5In05O3的结构参数、生成焓、能带结构、态密度、光吸收和光反射.氧空位的位置影响Ga1.5In0.5O3化合物的晶格常数和生成焓,含氧空位的Ga1.5In0.5O3是间接带隙半导体,其带隙宽度较本征Ga1.5In0.5O3带隙值变宽.氧空位VO(1)、VO(2)和VO(3)在Ga1.5In0.5O3中分别引入0.237eV、0.239eV和1.384eV的施主杂质能级,在吸收光谱中出现杂质吸收现象.氧空位降低Ga1.5In0.5O3吸收主峰和反射主峰的强度,在近红外区含VO(1)和VO(2)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较大,含VO(3)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较小.

关键词: Ga2(1-x)In2xO3化合物 , 氧空位 , 电子结构 , 第一性原理

Sn掺杂Ga1.375In0.625O3透明导电氧化物的第一性原理计算

赵银女

材料科学与工程学报

用第一性原理计算了Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的Ga原子(Ga1.25In0.625Sn0.125O3)和Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的In原子(Ga1.375In0.5Sn0.125O3)的结构、电子能带和态密度.Ga1.25In0.625 Sn0.125O3半导体材料比Ga1.375In0.5 Sn0.125O3材料具有大的晶胞体积和强的Sn-O离子键.在Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体中,Sn原子优先取代In原子.Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体显示n型导电性,杂质能带主要由Sn 5s态组成.Ga1.375In0.5Sn0.125O3半导体的光学带隙大于Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体的光学带隙.Ga1.25In0.525Sn0.125O3具有小的电子有效质量,Ga1.375In0.5Sn0.125O3具有多的相对电子数.

关键词: Sn掺杂Ga1.375In0.625O3 , 电子结构 , 第一性原理 , 掺杂位置

赵连城院士简介

功能材料

关键词:

专栏特约编辑赵永庆

中国材料进展

关键词:

银纳米材料

宁远涛 , 赵怀志

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2003.03.012

简略介绍了各种形式银纳米材料的制备方法以及银纳米材料的热学、低温、电学、力学、光学和光电等性质,初步分析了银纳米材料作为微电子材料、光学材料、催化材料、环保材料及高强高导材料的现有和潜在应用.

关键词: 金属材料 , 银 , 纳米材料 , 制备 , 性质 , 应用

银的分析

高平 , 徐清忠 , 高东曙 , 郑小纯 , 邹洪威 , 李延辉

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2004.08.015

针对黄金行业生产中可能遇到的各种含银物料,结合前人的实践经验,对不同质量分数、不同性质的含银样品的分析方法进行了综合探讨.

关键词: 灰吹质量法 , 湿法 , 小试金质量法 , 冰铜相 , 测定

从氯化银中提取银的方法

宋裕华 , 王维国

黄金 doi:10.11792/hj20130614

通过对几种从氯化银中提取银的方法进行比较，提出了一种新的提银方法———氯化银直接水合肼提银（无氨）。该方法与氯化银传统提银方法相比，不仅工艺简单、回收率高，同时还具有还原纯度高、易操作，以及操作环境好、生产成本低等优点，是值得推广的工艺方法。

关键词: 氯化银 , 水合肼 , 提银 , 方法

热浸涂银/氯化银和银/卤化银参比电极对比研究

尹鹏飞 , 侯文涛 , 许立坤 , 王均涛 , 辛永磊

腐蚀科学与防护技术

使用热浸涂--电化学还原法制备了银/氯化银(Ag/AgCl)和银/卤化银(Ag/AgX)参比电极. 通过SEM观察发现电化学还原后的Ag/AgCl和Ag/AgX参比电极表面均有还原不均匀的现象. XRD分析表明, AgX晶体为AgCl和AgBr的固溶体, AgCl和AgX的晶型都为面心立方结构. 电化学性能测试表明Ag/AgCl参比电极的极化电阻和温度系数比Ag/AgX 参比电极小, Ag/AgCl电极电位稳定性略优于Ag/AgX电极. 在Br^-含量不同的溶液中测试表明Ag/AgCl参比电极电位受Br^-变化影响比Ag/AgX参比电极小.

关键词: 参比电极 , Ag/AgCl , Ag/AgX

热浸涂银/氯化银和银/卤化银参比电极对比研究

尹鹏飞 , 侯文涛 , 许立坤 , 王均涛 , 辛永磊

腐蚀科学与防护技术

使用热浸涂-电化学还原法制备了银/氯化银(Ag/AgCl)和银/卤化银(Ag/AgX)参比电极.通过SEM观察发现电化学还原后的Ag/AgCl和Ag/AgX参比电极表面均有还原不均匀的现象.XRD分析表明,AgX晶体为AgCl和AgBr的固溶体,AgCl和AgX的晶型都为面心立方结构.电化学性能测试表明Ag/AgCl参比电极的极化电阻和温度系数比Ag/AgX参比电极小,Ag/AgCl电极电位稳定性略优于Ag/AgX电极.在Br-含量不同的溶液中测试表明Ag/AgCl参比电极电位受Br-变化影响比Ag/AgX参比电极小.

关键词: 参比电极 , 银/氯化银 , 银/卤化银