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在其他加工参数固定的条件下,对Ld_(10)铝合金试件进行处理,然后采用扫描电镜对膜层表面显微结构进行观测分析,研究由KOH、KF、Na_2SiO_3、(NaPO_3)_6构成的溶液中各种成分浓度的变化对膜层表面放电孔径的影响.结果表明:KOH浓度变化对膜层孔径影响最小;随着Na_2SiO_3浓度的增加,膜层放电孔径先减小后快速增加;而增加KF和(NaPO_3)_6的浓度时,膜层孔径都会逐渐减小,最后趋向一个最小值.实验表明:调整好上述溶液的配比,可在试样表面获得最小放电孔径为350 nm的微弧氧化膜层.

关键词: 放电孔径 , 微弧氧化 , 膜层

恒流微弧氧化工艺参数对膜层表面粗糙度的影响

潘明强 , 韦东波 , 迟关心 , 狄士春

材料保护

铝合金微弧氧化膜表面粗糙度的影响因素较多,膜表面的粗糙度对其应用有影响,过去研究甚少,为了找出改善和控制膜层表面粗糙度的方法,在恒流模式下利用双极性脉冲电源对LD10铝合金试件进行了微弧氧化处理,采用TR200粗糙度仪检测了膜层表面粗糙度,分析了加工参数对膜层表面粗糙度的影响.结果表明:在一定范围内单独缩短微弧氧化时间、减小正向或负向电流密度、提高频率、降低占空比,都有利于降低膜层表面粗糙度;但温度过高或过低都不利于降低膜层表面粗糙度,只有在30～40 ℃的工作液中处理获得的膜层表面粗糙度才最佳.在30 ℃、电流密度10 A/dm2、脉冲频率200 Hz、占空比24%时,可获得最佳表面粗糙度(Ra 1.2 μm)的硬质微弧氧化膜层.

关键词: 微弧氧化 , 恒流 , 粗糙度 , 加工参数 , 铝合金

我国铝/镁合金微弧氧化技术的研究及应用现状

潘明强 , 迟关心 , 韦东波 , 狄士春

材料保护

微弧氧化技术是一种直接在Al,Mg,Ti等有色金属表面原位生长陶瓷膜的表面处理新技术.处理过程简单,工艺环保,处理后膜层性能优越,多年来对其研究十分活跃.为此,总结了近年来国内对铝合金、镁合金微弧氧化研究取得的成果,分析了当前国内微弧氧化技术研究的水平和现状,在此基础上对微弧氧化技术的总体发展趋势和应用前景进行了展望.

关键词: 微弧氧化 , 陶瓷膜 , 铝合金 , 镁合金 , 研究进展 , 应用状况

结构迟豫对Zr基大块非晶敏感因子的影响

喻更生 , 罗联 , 翟甲友 , 林建国

稀有金属材料与工程

采用Rockwell压痕测试和SEM、DSC技术研究了铸态和退火Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5大块非晶的剪切带和焓变特征.样品在玻璃转变温度以下等温退火,DSC放热峰随着退火温度的增加不断减少,这表明自由体积不断减少.对压痕周围剪切带形态的观察表明,退火样品中被激活的剪切带减少,剪切带之间的夹角2θ不断变化,铸态大约为88°,经过633K保温1h减小为79°.由Mohr-Coulomb准则可知,通过测量2θ可以确定压力敏感因子,随着退火温度的升高,原子间相互摩擦的作用加剧,导致压力敏感因子增加.

关键词: 大块非晶 , 剪切带 , 压力敏感因子

含氟共聚聚酰亚胺的合成与性能研究鲁云华,赵洪斌,迟海军,董岩,肖国勇,胡知之

鲁云华 , 赵洪斌 , 迟海军 , 董岩 , 肖国勇 , 胡知之

绝缘材料

以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.

关键词: 聚酰亚胺 , 共缩聚 , 含氟 , 结构与性能

Ti-Ni形状记忆合金环超弹阻尼器的阻尼特性研究

熊九郎 , 林萍华 , 董寅生 , 李爱群

功能材料

应用Ti-Ni形状记忆合金环作耗能元件设计了一种新型的阻尼器,介绍了Ti-Ni合金环的制备及热处理工艺,并测试了其力学性能.分析了加载卸载过程中力-位移曲线与环内应力的关系.当无档板对Ti-Ni合金环进行横向约束时,由于环内的应力没达到应力诱发马氏体相变的临界应力,表现为线弹性,并且回复力非常小.当档板对环施加水平约束,出现滞迟耗能.随着位移的增加,回复力和滞迟环的面积都大幅度增加,滞迟环形状发生变化.小位移时,滞迟环为透镜状,当位移达到一定值时,滞迟环为倒三角形.倒三角形的滞迟环与双折线形滞迟环相比,在振动控制过程中具有更好的阻尼效果.

关键词: 形状记忆合金 , Ti-Ni合金环 , 超弹性 , 热处理 , 阻尼器

铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性

宋鹏程 , 危健 , 吴克 , 侯玉敏 , 阎守胜

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.02.002

在4.2到25K范围内测量了20纳米稀掺杂铜铌超薄膜(Cu99Nb1, Cu95Nb5)的电阻及磁导随温度的变化,没有观察到超导的迹象,而且样品的磁导都表现出典型的弱局域性质.通过与理论的拟合,得到描述弹性散射,非弹性散射,自旋-轨道散射和磁散射的特征磁场和特征迟豫时间.Cu95Nb5的各种特征迟豫时间均比Cu99Nb1的小.铌的加入不仅很大地影响了杂质引起的电子-电子散射,同时也是导致样品的弹性散射时间与自旋-轨道散射时间之比τ0/τso偏离 Abrikosov-Gorkov关系的主要原因.

关键词: