林致远
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马骏
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林亮
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杨成绍
,
邹志翔
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黄寅虎
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文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0460
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
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非晶硅
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薄膜电晶体
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双栅极
林致远
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杨成绍
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邹志翔
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操彬彬
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黄寅虎
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文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0370
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40％.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低.对于H ADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现.对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响.对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20 V],下降达50％,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
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薄膜电晶体
,
Poole-Frenkel
郭志猛
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庄奋强
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林涛
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吴峰松
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殷声
金属学报
根据电化学原理, 得到高阻值衬层穿透性裂纹的电沉积电流与时间的关系曲线, 利用计算机数据采集及处理系统, 对高阻值衬层进行分析与检测, 由此可以定量确定裂纹的大小, 再通过观测在裂纹处所沉积的金属（或采用电极扫描技术）来确定裂纹的位置及表面形状, 最终可以实现对高阻值衬层的快速无损探伤.
关键词:
高阻值衬层
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null
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