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LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察

陈坚邦 , 安生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.005

使用STEM、SEM观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤. 切片损伤层深度约30.3 μm, 磨片损伤层深度小于20 μm. 还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑, 认为这是单晶生长时, 磷挥发造成的. 同时离晶体表面100~150 μm范围内有镓凝聚物, 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的.

关键词: 扫描透射电镜(STEM) , 扫描电镜(SEM) , 磷化镓 , 缺陷

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

安生 , 钱嘉裕 , 韩庆斌 , 邓志杰

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.015

介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.

关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 , 单晶生长 , 位错

掺锌(100) GaSb 单晶的生长

黎建明 , 屠海令 , 安生 , 邓志杰 , 罗志强

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.001

采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高,位错密度缓慢增加,数值约为 (2~3.2)×103cm-2,当掺锌浓度大于 3×1019cm-3 以后, GaSb 发生简并,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高.采用重掺锌母合金作掺杂剂,可减少锌的损失,较好地控制掺杂浓度.

关键词: GaSb , 有效分凝系数 , 位错密度 , 简并

重掺碲(100) GaSb 单晶的研制

黎建明 , 屠海令 , 安生 , 罗志强

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.004

采用 LEC 工艺,通过特殊的过滤措施,可以批量拉制重掺碲的 GaSb 单晶材料.计算结果表明,在该生长系统及工艺条件下,碲在 GaSb 中的有效分凝系数约为0.38.GaSb 单晶 EPD 测试表明:EPD 沿径向分布呈"W"型,数量约为1×103cm-2;沿晶体生长方向(100)变化不大.

关键词: GaSb , 有效分凝系数 , EPD

不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究

黎建明 , 屠海令 , 安生 , 陈坚邦

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.02.018

用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30 μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5 μm)也随着磨砂粒径的减小而减小. 一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2. 机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55 nm.

关键词: 锑化镓 , 切片 , 磨片 , 抛光 , 损伤层

退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

黎建明 , 屠海令 , 安生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.042

LEC GaAs 晶片经高温退火后, 残余应力得以部分释放; 从而减小残余应力诱生断裂的可能性, 提高了GaAs晶体的断裂模数. 原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa, 经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高, 约为150 MPa, 断裂模数最高值达163 MPa.

关键词: GaAs , 断裂模数 , 退火

化合物半导体材料的光电应用现状

安生 , 邓志杰 , 俞斌才

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.031

在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势.以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景.量子结构光电器件由于具有一系列独特性能,将越来越受到重视.

关键词: 化合物半导体材料 , 光电器件 , 发光二极管 , 激光二极管 , 太阳电池 , 光探测器 , 量子结构

光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

黎建明 , 屠海令 , 安生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.001

用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械抛光的断裂模数再其次,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高,其平均值约为135 MPa.光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降.

关键词: GaAs , 光学加工 , 断裂模数 , 损伤层

408块火烧驱油注气井腐蚀原因分析及对策

韩霞

腐蚀科学与防护技术

针对408块注气井(408-试1)油、套管的腐蚀特点,通过对火烧驱油注气井油、套管腐蚀产物、腐蚀介质、凝析水量的分析研究,确定火烧驱油注气井油、套管的腐蚀原因一方面是由于高压氧气以及空气中的凝析水造成的,另一方面与油、套管材质的耐蚀性不够有关.通过材质以及防腐涂层的筛选等手段,在目前油管和套管内外防腐涂层、不锈钢油管和套管在国内尚无工程实例的情况下,总结出408块注气井防腐措施,包括:油、套管材质采用相对耐蚀的P110;注气采用干燥洁净的空气.

关键词: 火烧驱油 , gas injection well , anti corrosion countermeasure

408块火烧驱油注气井腐蚀原因分析及对策

韩霞

腐蚀科学与防护技术

针对408块注气井(408-试1)油、套管的腐蚀特点,通过对火烧驱油注气井油、套管腐蚀产物、腐蚀介质、凝析水量的分析研究,确定火烧驱油注气井油、套管的腐蚀原因一方面是由于高压氧气以及空气中的凝析水造成的,另一方面与油、套管材质的耐蚀性不够有关.通过材质以及防腐涂层的筛选等手段,在目前油管和套管内外防腐涂层、不锈钢油管和套管在国内尚无工程实例的情况下,总结出408块注气井防腐措施,包括:油、套管材质采用相对耐蚀的P110;注气采用干燥洁净的空气.

关键词: 火烧驱油 , 注气井 , 腐蚀原因 , 防腐对策

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