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TiO2纳米棒阵列薄膜的制备及其光催化还原Cr(Ⅵ)

王滨松 , 夏华 , , 肖林飞

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.01.2014032402

采用水热法在导电玻璃( FTO)上合成具有一维结构的TiO2纳米棒阵列薄膜.用扫描电子显微镜,广角X?射线粉末衍射,紫外可见分光光谱等手段对薄膜进行了表征,研究了不同浓度钛酸四丁酯和水热反应时间对FTO?TiO2纳米棒阵列薄膜形貌的影响及FTO?TiO2纳米棒阵列薄膜光催化还原Cr(Ⅵ)的反应性能.结果表明,当钛酸四丁酯浓度为0.05 mol·L-1和水热反应时间为20 h时制备的FTO?TiO2纳米棒阵列薄膜形貌最优,一维FTO?TiO2纳米棒阵列薄膜光催化还原Cr(Ⅵ)的性能优于商业化二氧化钛 P25制备的薄膜.

关键词: FTO-TiO2纳米棒 , 阵列 , 薄膜 , 光催化 , 还原 , Cr(Ⅵ)

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

408块火烧驱油注气井腐蚀原因分析及对策

韩霞

腐蚀科学与防护技术

针对408块注气井(408-试1)油、套管的腐蚀特点,通过对火烧驱油注气井油、套管腐蚀产物、腐蚀介质、凝析水量的分析研究,确定火烧驱油注气井油、套管的腐蚀原因一方面是由于高压氧气以及空气中的凝析水造成的,另一方面与油、套管材质的耐蚀性不够有关.通过材质以及防腐涂层的筛选等手段,在目前油管和套管内外防腐涂层、不锈钢油管和套管在国内尚无工程实例的情况下,总结出408块注气井防腐措施,包括:油、套管材质采用相对耐蚀的P110;注气采用干燥洁净的空气.

关键词: 火烧驱油 , gas injection well , anti corrosion countermeasure

408块火烧驱油注气井腐蚀原因分析及对策

韩霞

腐蚀科学与防护技术

针对408块注气井(408-试1)油、套管的腐蚀特点,通过对火烧驱油注气井油、套管腐蚀产物、腐蚀介质、凝析水量的分析研究,确定火烧驱油注气井油、套管的腐蚀原因一方面是由于高压氧气以及空气中的凝析水造成的,另一方面与油、套管材质的耐蚀性不够有关.通过材质以及防腐涂层的筛选等手段,在目前油管和套管内外防腐涂层、不锈钢油管和套管在国内尚无工程实例的情况下,总结出408块注气井防腐措施,包括:油、套管材质采用相对耐蚀的P110;注气采用干燥洁净的空气.

关键词: 火烧驱油 , 注气井 , 腐蚀原因 , 防腐对策

家坡铁矿矿井设施腐蚀情况调查分析

董彩常 , 孙金香 , 张波 , 黄桂桥

腐蚀与防护

家坡铁矿设施和设备的腐蚀情况以及影响腐蚀的大气、水和土壤等环境因素进行了分析,得出井下设施和设备腐蚀严重的主要原因为:使用材料耐蚀性低、环境/介质腐蚀性强和防腐蚀措施不力等。

关键词: 铁矿 , 井下设备 , 腐蚀 , 分析

408火烧驱油注气井油套管腐蚀安全评估与防护

龙媛媛张春茂王遂平姬杰杨为刚

腐蚀科学与防护技术

    对胜利油田408火烧驱油注气井油管腐蚀产物进行了X射线衍射分析(XRD)及扫描电镜(SEM)、电子探针元素能谱显微分析(EPMA/EDS.结果表明:上部管柱主要是氧腐蚀;下部腐蚀严重部位为氧加速的酸性垢下腐蚀穿孔.油、套管在目前的生产条件下运行存在较大风险.并给出了相应防护措施.

关键词: 火烧驱油 , gas injection well , cause of corrosion , assessment for corrosion safety , protection meaeare

408火烧驱油注气井油套管腐蚀安全评估与防护

龙媛媛 , 张春茂 , 王遂平 , 姬杰 , 杨为刚

腐蚀科学与防护技术 doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2008.05.021

对胜利油田408火烧驱油注气井油管腐蚀产物进行了X射线衍射分析(XRD)及扫描电镜(SEM)、电子探针元素能谱显微分析(EPMA/EDS).结果表明:上部管柱主要是氧腐蚀;下部腐蚀严重部位为氧加速的酸性垢下腐蚀穿孔.油、套管在目前的生产条件下运行存在较大风险.并给出了相应防护措施.

关键词: 火烧驱油 , 注气井 , 腐蚀原因 , 安全评估 , 防护措施

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

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