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利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

冯团辉 , 卢景霄 , 张宇翔 , 小勇 , 杨仕娥 , 李瑞 , 靳锐敏 , 王海燕

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.

关键词: 快速热退火 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 晶粒尺寸 , 暗电导率

用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

张宇翔 , 王海燕 , 陈永生 , 杨仕娥 , 小勇 , 卢景霄 , 冯团辉 , 李瑞 , 郭敏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.

关键词: 多晶硅薄膜 , 快速光热退火 , 固相晶化

磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究

张晋敏 , 小勇 , 李晶 , 周鹏 , 郑玉祥 , 王松有 , 张冬青 , 陈良尧

功能材料

采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室温下分别测量了TbFeCo薄膜的极向Kerr回线和横向Kerr回线,发现所制备TbFeCo薄膜不具有垂直磁化性质,而呈现出面内磁化性质.

关键词: 放电等离子烧结(SPS) , 磁光薄膜 , 椭偏光谱 , 磁光Kerr效应

等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

陈永生 , 杨仕娥 , 卢景霄 , 小勇 , 张宇翔 , 王海燕 , 李瑞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.039

本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.

关键词: 微晶硅薄膜 , 晶化率 , 等离子体增强化学气相沉积

掺铝氧化锌薄膜表面织构机制的研究

小勇 , 林清耿 , 冯红亮 , 陈永生 , 杨仕娥 , 谷锦华 , 卢景霄

功能材料

采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究.研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成.它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键.

关键词: 氯化铵 , 掺铝氧化锌薄膜 , 表面织构

非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

陈永生 , 卢景霄 , 张宇翔 , 王生钊 , 杨仕娥 , 小勇 , 李秀瑞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.047

采用RTA方法对PECVD沉积的a-Si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法.通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理.研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用.

关键词: 多晶硅薄膜 , 快速热退火 , 固相晶化

氧分压与沉积速率对ITO薄膜性能的影响

郭战营 , 许安涛 , 张庆丰 , 小勇

人工晶体学报

本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响.研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势.对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善.

关键词: ITO薄膜 , 电子束蒸发 , 性能 , 禁带宽度

对柱状多晶硅薄膜的制备研究

张丽伟 , 赵新蕖 , 卢景霄 , 小勇 , 陈永生 , 靳瑞敏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.052

在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大.本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的.再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关.

关键词: SEM , RTP , 柱晶 , 多晶硅薄膜

热处理对Agx O薄膜结构及成份的影响

小勇 , 刘萍 , 陈永生 , 王海燕 , 卢景霄

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.036

利用X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子谱(XPS)研究了热处理对AgxO样品的结构及成份的影响.研究结果表明所有制备的AgxO样品基本为无定型,并且AgO和Ag2O两种成份共存;两组具有代表性的AgxO样品经过高温热处理后分别呈现了(Ag+Ag2O)和Ag2O的多晶结构,结构及成份的巨大差异与样品制备条件息息相关;AgO和Ag2O两种成份的热分解临界温度分别为200℃和300℃;热处理过程中,伴随着AgxO的热分解及体内的氧原子向样品表面的扩散过程,并且Ag2O具有相对致密的结构.

关键词: 热分解 , 反应溅射 , 临界温度 , 扩散系数

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