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一个实用的生产用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料Turbo-Disc MOCVD生长模型

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018

在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.

关键词: MOCVD , Turbo-Disc , 生长动力学 , GaInP

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.

关键词: MOCVD , 双晶衍射 , GaAlInP , 拟合

应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD 外延生长模式

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.012

应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程,优化调整反应参数实现了优质外延.

关键词: 原子层外延 , MOCVD , 亚原子外延

郭志猛庄奋强

郭志猛 , 庄奋强 , 林涛 , 吴峰松 , 殷声

金属学报

根据电化学原理, 得到高阻值衬层穿透性裂纹的电沉积电流与时间的关系曲线, 利用计算机数据采集及处理系统, 对高阻值衬层进行分析与检测, 由此可以定量确定裂纹的大小, 再通过观测在裂纹处所沉积的金属（或采用电极扫描技术）来确定裂纹的位置及表面形状, 最终可以实现对高阻值衬层的快速无损探伤.

关键词: 高阻值衬层 , null , null , null

ZnSe的结构和热力学性质的研究

王雨田 , 孙慧卿 , 郭志友 , 曾坤 , 赵华雄

功能材料

采用第一性原理的平面波极软赝势的密度泛函理论研究了ZnSe的结构,在0K时晶格常数、体弹性模量及其对于压强的一阶导数.计算结果与实验值和其它理论计算的结果相符.通过准谐德拜模型,计算出不同温度和压强下的热容和德拜温度热膨胀系数.发现ZnSe的热容随着压强的增加而减小,德拜温度随着压强的增加而增加.并成功地获得了0GPa下体弹性模量、热容和热力学温度的关系.

关键词: 泛函密度 , 准谐德拜近似 , 热力学性质

AlGaInN四元系氮化物分离研究

黄琨 , 范广涵 , 刘颂豪 , 李述体 , 郭志友

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.05.026

氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件.可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长.所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性,得出了AlGaInN不稳定的二相区间,并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系.希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用.

关键词: 光电子学 , 相分离 , 价力场 , AlxGayIn1-x-yN , LED