阚晓阳
,
刘鹏涛
,
周卯旸
,
赵秀娟
,
陈春焕
,
任瑞铭
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2015.4.004
对工业纯钛表面进行不同时间的空化水射流处理,用光学显微镜和扫描电子显微镜对处理后试样的表面形貌、显微组织结构等进行了分析,并对空蚀损伤进行了研究.根据空蚀损伤程度和淹没式水射流的流动特性,可以把损伤区分为一次空化水射流损伤区和混合空化水射流损伤区.一次射流区在水射流处理5min时,表面就出现塑性变形坑、空蚀针孔和形变孪晶.随着水射流处理时间的延长(20 ～ 30min),在孪晶界等区域开始出现裂纹萌生和扩展,水射流处理60min时已出现表面金属大量剥落的严重损伤.混合射流区的损伤速度明显低于一次射流区,但在横截面金相组织中却出现比一次射流区密度更大、厚度更大的孪晶层.一次射流区的硬化层深度小于混合射流区.空化水射流处理5min到30min粗糙度迅速增加,30min后粗糙度上升缓慢,处理60min时,粗糙度达到2.92μm.
关键词:
空化水射流
,
空蚀
,
孪晶
,
工业纯钛
魏星
,
乔忠良
,
薄报学
,
陈静
,
张苗
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.002
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.
关键词:
湿法刻蚀
,
脉冲阳极氧化
,
斜率效率
曾云
,
李晓磊
,
张燕
,
张国樑
,
王太宏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:
短沟道
,
绝缘衬底上硅
,
双极MOS场效应晶体管
,
阈值电压
王洪涛
,
王茺
,
胡伟达
,
杨洲
,
熊飞
,
杨宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.003
本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟.计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阚值电流的影响,并对模拟结果进行了系统的理论分析,数值模拟结果和解析模型能够在亚阈值区很好的吻合.
关键词:
短沟道n-MOSFET
,
亚阈值电流
,
解析模型
,
数值模拟
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压
周华杰
,
徐秋霞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.002
利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟.模拟结果显示体硅Fin-FET器件能够有效的抑止短沟道效应,具有驱动电流大、散热好、成本低等优点.为了获得好的亚阚值特性,Fin的厚度要比较薄,同时Fin的高度不能太低,以保持足够的高度来抑止短沟道效应.沟道可以采用低掺杂或未掺杂设计,从而减少沟道内杂质对载流子的散射作用和杂质涨落效应对器件性能的影响.另外,为了获得合适的器件阈值电压,体硅FinFET器件应当采用功函数在中间带隙附近的材料做栅电极,同时采用适当的功函数调节方法来获得合适的阈值电压.
关键词:
体硅
,
FinFET
,
新结构
季振国
,
王玮丽
,
毛启楠
,
席俊华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.011
本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标.分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系.结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阚值电压线性增大.因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压.
关键词:
ZnO薄膜
,
压敏电阻器
,
阈值电压
,
薄膜厚度
梁基照
,
杨铨铨
高分子材料科学与工程
分析了炭黑填充聚合物导电复合材料的非线性导电行为和机理,基于有效介质理论及以炭黑聚集体的等效球形单元为基本单元,建立了描述其非线性导电行为的聚集体结构模型.进而推导出复合体系导电率与炭黑体积分数之间的关系式及其逾渗阈值的计算式.克服了有效介质理论只能得到逾渗用值为1/3而不能解释低于1/3的逾渗阚值的不足.应用这些表达式预测了导电复合体系的导电率和逾渗阈值,并与实验结果进行了比较,结果表明:预测值与实验结果有较好的一致性.
关键词:
炭黑
,
有效介质
,
导电复合材料
,
聚集体
,
逾渗阈值
