俞文杰
,
张正选
,
张恩霞
,
钱聪
,
贺威
,
田浩
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008
通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.
关键词:
SOI
,
总剂量辐射
,
背沟道
,
掩埋氧化层
陆兵
,
王贵
,
陈明
,
李保卫
,
黄焦宏
,
金培育
,
刘金荣
,
徐来自
功能材料
用真空高频悬浮炉在高纯氩气保护下制备了Mn5(Ge3-xSbx)(x=0、0.1、0.2、3)合金系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(ΔTad-T),结果表明,用元素Sb替代Mn5Ge3合金中的Ge原子,不能增强合金的磁热效应,但对合金的居里温度有一定影响.
关键词:
金属功能材料
,
磁热效应
,
磁致冷材料
,
Mn5Ge3型合金
陈亚男
,
胡晓钧
,
王建明
,
卞清
,
吴昊
,
秦文
,
王英
,
陈明
材料导报
有机-无机杂化涂料是一种具有广阔应用前景的新型高性能涂料.介绍了溶胶-凝胶法制备有机-无机杂化涂料的原理与方法,对目前研究较多的几种杂化涂料的制备和应用进行了总结.最后提出了溶胶-凝胶法制备杂化涂料还需要解决的问题,并对其发展趋势进行了展望.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
有机-无机杂化涂料
,
制备方法
王正德
,
陈明
,
金培育
,
刘金荣
,
邱巨峰
,
黄焦宏
,
徐来自
,
李保卫
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2003.04.013
用高频悬浮炉熔炼了Gd4(BixSb1-x)3系列合金,利用X光粉末衍射技术确定其结构.在1.3T的磁场下,利用自制的△Tad-T曲线测量仪直接测量了该系列合金的磁热效应.发现Gd4(BixSb1-x)3系列合金在低磁场下具有较大的磁热效应,通过改变Bi的含量,其居里温度在267K～332K温度之间增加,从而在一个较宽的温度范围内能获得较大的绝热温变.在对退火前后的样品进行△Tad-T测量后,发现其热稳定性很好.实验结果说明Gd4(BixSb1-x)3系列合金是一种性能良好的磁致冷材料.
关键词:
磁热效应
,
磁致冷材料
,
Gd4(BixSb1-x)3系列合金
,
居里温度
夏玉学
,
王维彪
,
陈明
,
梁静秋
,
雷达
,
陈松
,
刘丽丽
,
姜锦秀
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.003
采用无氢的化学气相沉积法(CVD)进行碳纳米管的制备技术研究,并成功地制备了φ20～φ80nm左右,长度为50～100μm左右的碳纳米管.通过改变气体的流量等影响因素实现了定向碳纳米管薄膜和多层碳纳米管薄膜以及其它各种形态的碳纳米管的制备.采用微区Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等方法对产物的形貌和结构进行了表征,结果表明采用无氢CVD法可以制备出多种形态的碳纳米管.
关键词:
无氢化学气相沉积
,
碳纳米管
,
催化剂
刘张李
,
邹世昌
,
张正选
,
毕大炜
,
胡志远
,
俞文杰
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.001
综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.
关键词:
控制电路
,
存储单元
,
单粒子效应
,
电荷损失
张子军
,
程旭东
,
李其连
,
邓飞飞
,
高忠宝
,
陈明
,
毛晻
,
杨章富
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.07.015
以ZrOCl2·8H2O为原料采用溶胶凝胶法配置不同浓度的前驱体,用等离子喷涂法制备了ZrO2涂层.用SEM,XRD分析了涂层的显微组织与晶型结构.结果表明,该方法制得的涂层不具备层状组织结构,涂层断面上均匀地分布大小相近的圆状孔隙.涂层的结晶状况随着前驱体料浆的浓度而变化,浓度太大或太小都给涂层带来不利的影响,实验证明0.8mol/L前驱体料浆制备的涂层结晶状况良好;经计算和表征确定涂层内品粒在纳米尺寸范围,明显小于常规方法制备纳米涂层的晶粒.
关键词:
前驱体
,
等离子喷涂
,
纳米涂层
占红明
,
徐征
,
董学
,
陈明
,
金雄
,
布占场
,
邵喜斌
,
李成圭
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0916
为了改善彩色液晶显示器件的色差,提升画面品质,针对(128,192,192)灰阶图形下色差的问题,对色差产生的机理进行了分析.模拟了 RGB 三色像素透过率对该图形下色差的影响.通过分别调整 RGB 彩膜膜厚,不仅相对调整了三色像素下的液晶盒层厚,而且还调整了三色像素的透过率,改善了 RGB 的 Gamma 曲线,对色差进行了补偿优化.实验结果表明,增加 G 像素和减小 B 像素的液晶盒层厚,对色差有明显补偿改善效果；同时,当 RGB 膜厚保持不变时,色差与液晶层厚呈正比关系,液晶层厚每减小1％时,色差约降低0.2.当 RGB 三色液晶盒层厚从(3.47,3.38,3.4)μm 分别调整到(3.5,3.45,3.36)μm 和(3.5,3.44,3.28)μm 时,(128,192,192)灰阶图形下样品色差平均值从13.8分别降低到12.8和12.通过分别调整 RGB 彩膜膜厚,相对调整了三色像素下的液晶层盒厚和液晶量调节,可以一定程度优化补偿色差.
关键词:
色差
,
液晶显示
,
层厚
,
灰阶
王茹
,
张正选
,
俞文杰
,
毕大炜
,
陈明
,
刘张李
,
宁冰旭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.017
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力.
关键词:
绝缘体上硅
,
注氧隔离
,
总剂量辐照
,
纳米晶
何金江
,
陈明
,
朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
,
贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
,
银
,
铂
,
钌
