陈朝
,
傅仁武
,
陈松岩
,
刘宝林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.042
用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET.直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S,界面态密度NSS=9.56×1011cm-2.设计计算的特征频率fT=97.1GHz,最高特征频率fmax=64.7GHz,尚未发现器件性能的漂移现象.本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分.
关键词:
磷化铟(InP)
,
绝缘栅场效应管(MISFET)
,
光电集成(OEIC)
任先培
,
程浩然
,
何发林
,
陈朝
材料导报
晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注.综合评述了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展.介绍了硼氧缺陷、铁硼对以及铜相关的缺陷导致光衰减的基本机制,着重阐述了硼氧缺陷的产生率、钝化率以及相应的激活能大小与硼氧含量的关系.最后介绍了减弱或避免光衰减的一些措施.
关键词:
光衰减
,
晶体硅太阳电池
,
硼氧缺陷
,
铁硼对
,
铜相关缺陷
谢生
,
陈松岩
,
陈朝
,
毛陆虹
功能材料
采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质.测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75.FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少.通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器.
关键词:
氮化硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
钝化
,
磷化铟
,
开管Zn扩散
蔡志华
,
田洪涛
,
陈朝
,
周海光
,
孙书农
,
Pavel K.Kashkarov
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.05.015
Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂,形成PN结.用电化学C-V方法和扫描电子显微镜对辐照后的样品进行分析研究,给出激光辐照功率、辐照时间等工艺参数对结深、浓度分布影响.在n-InP片表面得到受主浓度分布均匀、高掺杂(～1019cm-3)、浅结(～1μm)的P-InP.初步分析其掺杂机理是激光诱导下所形成的合金结过程.
关键词:
InP
,
激光诱导
,
Zn掺杂
郑淞生
,
陈朝
,
罗学涛
材料导报
磷是多晶硅中的一种主要杂质元素,目前国内外采用冶金法除磷的工艺主要包括酸洗除磷、合金定向凝固除磷和真空除磷工艺.其中,酸洗除磷工艺可以很有效地去除磷杂质,但仍未达到太阳能级多晶硅小于0.1×10-4%(质量分数)的要求.采用合金定向凝固工艺可以去除80%以上的磷杂质,但目前对凝固后硅中残留溶剂金属的去除方法还有待进一步的研究.通过真空感应熔炼实验已将磷含量从15×10-4%(质量分数)降低至0.8×10-5%(质量分数),并对除磷的热力学条件进行了初步探索.
关键词:
多晶硅
,
冶金法
,
除磷
谢生
,
陈朝
,
毛陆虹
功能材料
为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法.实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰.用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二板管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性.
关键词:
锌扩散
,
磷化铟
,
电化学电容-电压
,
电流-电压特性
孙岚
,
陈朝
,
林昌健
功能材料
用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列,SEM和XRD的观察和测量表明,CdS纳米线尺寸均匀、排列规整,具有六方纤锌矿结构,Cd和S的化学计量比为1:1.CdS纳米线阵列的光致发光测量显示,激发波长为325nm时,CdS纳米线阵列在450nm处有一强的PL峰,在484nm处还有一肩峰.对其光致发光机理进行了分析.
关键词:
Gds纳米线
,
氧化铝模板
,
直流电沉积
,
光致发光
蔡靖
,
陈朝
,
罗学涛
材料导报
硼是多晶硅太阳电池的受主元素,影响太阳电池的光电转换效率和稳定性.硼在硅中的物理性质很稳定,通过定向凝固、真空熔炼等方法很难去除.主要介绍了冶金法除硼的研究进展,包括吹气造渣除硼、等离子体除硼、合金定向凝固除硼工艺.同时,介绍了本实验室采用冶金法除硼的最新实验结果.
关键词:
高纯冶金硅
,
冶金法提纯
,
除硼
张苗苗
,
陆栋
,
曹国珍
,
刘敬
,
金文杰
,
王菊芳
,
李文建
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.218
以能量为1.5 MeV/u，剂量分别为500，750，1000，1250，1500 Gy的电子束对1，2，4，6，8年等5种年份浓香型白酒进行辐照处理；扫描各酒样200～400 nm波段的紫外光谱，根据紫外光谱图的差异，计算了280～300 nm波段的光谱曲线相似度，分析光谱曲线变化规律。结果表明，对于前4种白酒，对照样与辐照样光谱曲线相似度值越小，催陈效果越好；白酒存放时间越久，酒体风格转向老熟所需剂量越小，越容易达到最佳催陈效果；对于8年白酒，辐照剂量超过750 Gy后，白酒体系动态平衡被打破，各单体物质增加，出现返生现象。因此，电子束辐照技术对低年份浓香型白酒催陈效果显著，是一种先进、高效的催陈方法。
关键词:
白酒
,
电子束
,
紫外可见光谱
,
光谱曲线相似度
,
催陈效果
霍亮
,
李碧乐
,
黄勇
,
王力
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2007.10.002
通过光片鉴定和电子探针分析,总结了内蒙古赤峰陈家杖子金矿床的矿石矿物组成,结构构造,划分了成矿期次.研究表明:矿床中矿石成分较复杂,硫化物种类多,有少量硫盐矿物出现;富硫贫砷毒砂、贫砷富硫黄铁矿、贫锌富铁的闪锌矿(与标准分子式相比),含杂质多的银锑黝铜矿和方铅矿与金关系密切;多金属硫化物阶段是该矿床的主要成矿阶段,其中第二世代富硫贫砷毒砂是陈家杖子金矿的最主要载金矿物,其次是方铅矿.结合流体包裹体测试和研究,确定该矿床为受大型角砾岩筒构造控制的低硫化型浅成低温热液矿床,该矿床深部有很大的找矿潜力.
关键词:
矿石矿物特征
,
矿床成因
,
陈家杖子金矿床
