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Cu与三元层状化合物复合材料研究现状

, 祝亚希 , 方奇 , 危明敏 , 黎巧云 , , 李宗育

硅酸盐通报

现代工业的需求,迫使铜为克服自身缺点而向合金化和弥散增强化发展.铜基复合材料我们早已不陌生,但是各种弥散增强相制成的复合材料有其自身缺点.本文回顾了常见的Cu基增强相以及他们的优缺点比较,简要介绍三元层状化合物Mn+1AXn的组成与结构以及其优异性能,并分别介绍了Ti3SiC2、Ti3AlC2、Ti2AlN Ti2AlC和Ti2SnC它们分别与Cu复合材料的研究进展和展望未来应用前景.

关键词: Cu , MAX相 , Ti3SiC2 , Ti3AlC2

高纯致密Ti2AlN陶瓷的合成及其高温行为

严明 , , 常鹰 , 蒋久信

材料导报

以Ti、Al和TiN粉按化学计量比配料,在原位热压(HP)烧结工艺条件下合成高纯致密Ti2AlN陶瓷材料.通过X射线衍射(XRD)分析烧结产物的相形成过程,用扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)结合能谱仪(EDS)研究材料的显微结构特征.原位热压工艺合成Ti2AlN的最佳温度为1300℃,烧结试样的密度为4.22g/cm3,达到理论密度的97.9%,晶体发育完全,结构紧密,具有明显的层状结构.用高温显微镜研究了单相Ti2AlN的高温行为,1300~1500℃是坯体的烧结过程,1500~1580℃是Ti2AlN材料的软化温度,熔融温度高于1700℃.

关键词: Ti2AlN , 合成 , 原位热压 , 高温行为

Al2O3:Pr3+荧光粉的乳液法制备及其性能

谢冰凉 , 朱教群 , , 周卫兵 , 叶良恒 , 童雨舟

材料科学与工程学报

以硝酸铝为原料,采用乳液法制备了Al2O3:Pr3+荧光粉,对其结构、形貌、晶粒尺寸及发光性能进行了分析.研究了煅烧温度和Pr3+掺杂量对Al2O3:Pr3+荧光粉发光性能的影响.结果表明:采用乳液法制备工艺,经过1050℃煅烧2h,可以得到发光强度高的Al2O3:Pr3+荧光粉,其最佳激发波长为451nm,最佳掺杂量为lmol%Pr3+,此时最强的发射峰出现在676nm附近,可以用于红色发光材料.

关键词: 乳液法 , Pr3+ , Al2O3 , 荧光粉

原位插层聚合尼龙6/超分散有机蒙脱土剥离型纳米复合材料的结构和性能

赵西坡 , 彭少贤 , 寇志敏 , , 孙义明

高分子材料科学与工程

采用原位插层聚合法制备了尼龙6/蒙脱土剥离型纳米复合材料,讨论了超分散有机蒙脱土的用量对复合材料性能的影响,用动态力学分析(DMA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TBM)等手段研究了纳米复合材料的结构和性能.结果表明,有机蒙脱土加入量为3%(质量分数,下同)时,复合材料综合性能最佳;有机蒙脱土的加入大大提高了尼龙6的综合性能,并提高了尼龙6的储能模量和玻璃化温度.有机蒙脱土在尼龙6基体中有良好的分散性和相容性,蒙脱土片层被完全剥离,在尼龙6基体中实现了纳米级分散.

关键词: 尼龙6 , 有机蒙脱土 , 原位插层 , 纳米复合材料

溶胶-凝胶法制备Eu∶Lu2SiO5粉体及其在煅烧过程中的相转变研究

杨熠 , 杨磊 , , 严明

人工晶体学报

通过溶胶凝胶法制备Lu2SiO5(LSO)干凝胶前驱体,对其进行综合热分析(IG-DSC),TG曲线在400℃后趋于平缓,DSC曲线在402.8℃和1049.9℃的放热峰分别对应着LSO粉体的结晶开始温度与晶型转变点.干凝胶在900℃、1000℃、1100℃、1200℃下煅烧2h,X射线衍射图谱(XRD)显示,900℃煅烧2h,产物结晶不完全,还存在大量的非晶相,但已有A-LSO相的特征衍射峰出现;1000℃煅烧2h,粉体完全结晶生成A-LSO相,1100℃煅烧后粉体呈B-ISO相,晶型转变点为1050℃左右,结果与DSC曲线中1049.9℃处的焓变峰值相对应.A、B两相颗粒形貌存在明显差别,粉体颗粒尺寸都在400~500 nm.粉体发射光谱在595 nm,617 nm,707 nm处存在发射峰,分别对应Eu3+的5D0→7F1,5D0→7F2,5D0→7F4跃迁,发光强度随着Eu3+掺杂浓度升高先增强后降低,掺杂浓度为5%左右时,发光强度达到最大值.

关键词: 晶型转变 , Lu2 SiO5粉体 , 溶胶凝胶法

放电等离子烧结制备Ti3SiC2材料的研究

朱教群 , 梅炳初 ,

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.026

本文报道分别以Ti/Si/C,Ti/SiC/C为原料,采用放电等离子烧结工艺制备Ti3SiC2材料的研究结果.以元素单质粉为原料,掺加适量Al作助剂能加速Ti3SiC2的反应合成并提高材料的纯度,在1200~1250℃的温度下能制备出经XRD、SME和EDS表征不含TiC和SiC等杂质相的纯净TiSiC2材料.而以Ti/SiC/C为原料时,有无Al作助剂都难以制备出纯净的Ti3SiC2,其反应合成温度明显高于以元素单质粉为原料的.

关键词: 碳硅化钛 , 制备 , 放电等离子烧结 , 原料

具有良好金属性能的层状三元碳化物和氮化物

朱教群 , 梅炳初 ,

中国有色金属学报

综合介绍了分子式为Mn+1AXn的三元碳化物和氮化物的结构特征、制备方法、主要性能和应用前景. 该类化合物为层状的六方晶体结构, 空间群为P63/mmc; 采用热等静压方法能制备出高纯、致密的材料; 单相材料具有很好的导热性能和导电性能, 有较低的显微硬度和较高的弹性模量和剪切模量, 可以像金属一样进行加工, 并在高温下具有塑性等金属特性, 同时具有高的屈服强度, 高熔点、高热稳定性等陶瓷特性.

关键词: Mn+1AXn , Ti3SiC2 , 结构

柔性陶瓷三元层状碳化物Ti3SiC2的金属特性

朱教群 , 梅炳初 ,

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2003.03.010

Ti3SiC2兼有金属和陶瓷材料的优异性能,是新一代高性能高温结构材料、电工材料、自润滑轴承的理想候选对象.重点介绍制备Ti3SiC2的主要方法:气相沉积法、自蔓延高温合成法、热压和热等静压法、放电等离子烧结法,并论述了Ti3SiC2的未来研究方向和潜在的应用前景.

关键词: Ti3SiC2 , 结构 , 性能 , 合成

三元层状碳化物Ti3SiC2的研究进展

朱教群 , 梅炳初 ,

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.04.022

本文综合介绍Ti3SiC2的最新研究进展.三元碳化物Ti3SiC2属于层状六方晶体结构,空间群为P63/mmC;它同时具有金属和陶瓷的优良性能,有良好的导电和导热能力,高弹性模量和低维氏显微硬度,在室温下可切削加工,在高温下能产生塑性变形,良好的高温热稳定性和优秀的抗氧化性能;应用CVD、SHS、HP/HIP等方法可制备该化合物,用HIP方法能制备高纯、致密的Ti3SiC2陶瓷;Ti3SiC2陶瓷材料自身有抵抗损伤的机理.

关键词: Ti3SiC2 , 结构 , 性能 , 制备 , 抗损伤

可加工陶瓷Ti3SiC2的合成和性能

, 梅炳初 , 朱教群

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.03.017

可加工的Ti3SiC2陶瓷属于六方晶体结构,空间群为P63/mmc.它有许多独特的优良性能,如很好的导电、导热能力,高温延展性、抗热震,高强度,抗氧化,耐腐蚀,超低摩擦性,良好的自润滑性等.制备该化合物的方法主要有CVD,SHS,HP/HIP等方法.作者以元素粉为原料,用等离子放电烧结(SPS)方法成功地制备了高纯的Ti3SiC2陶瓷.

关键词: Ti3SiC2 , 合成 , 性能 , 等离子放电烧结

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