欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(41)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

碲化锌的电导率温度关系及其在碲化镉太阳电池组件中的应用

, 冯良桓 , 郝瑞英 , 张静全 , 武莉莉 , 蔡亚萍 , 李卫 , 宋慧瑾

功能材料

用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作为背接触层,能很好的解决CdTe太阳电池的欧姆接触问题.以前的研究表明,ZnTe:Cu因掺铜浓度的不同,显示出不同的电导率温度关系.本文仔细观察了各种掺杂浓度ZnTe:Cu的电导率温度关系,并由此来选定掺铜浓度.实验还表明,对一个确定掺铜浓度的ZnTe/ZnTe:Cu复合层,其退火温度对CdTe太阳电池的性能影响很大.为此,本文发展了通过测试ZnTe/ZnTe:Cu复合层的电导温度关系,来确定退火温度的方法.目前,用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作背接触材料,获得了转换效率为7.03%的中面积碲化镉薄膜电池集成组件.

关键词: ZnTe/ZnTe:Cu复合层作背接触材料 , 太阳电池 , 电导率温度关系

HZF-S彩色聚酯表面毡材料常温释放气体及高温热解物的毒性鉴定

少杰 , 刘虹 , 方晶晶 , 鲁毅钧 , 徐新宏 , 江璐 ,

材料开发与应用

本文根据有关军用标准和规程对HZF-S彩色聚酯表面毡材料常温释放物和高温热解物毒性进行定性、定量分析,从而对其使用的安全性进行卫生学评价.HZF-S彩色聚酯表面毡材料在45℃时密封20 d检测出7种释放物,其浓度均未超过水面舰艇舱室空气组分容许浓度;其高温热解物约51种,动物急性吸入该材料的高温热解物的半数致死浓度LC50 =95 g/m3,属低毒性材料.

关键词: HZF-S彩色聚酯表面毡材料 , GC-MS , 水面舰艇 , 毒性评价

Mg2Si半导体薄膜的热蒸发制备

余宏 , 谢泉 , 肖清泉 ,

功能材料

采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜.研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1~10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征.结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性.最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si (220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强.在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强.

关键词: Mg2Si薄膜 , 热蒸发 , 退火时间 , 择优生长

Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜

肖清泉 , 谢泉 , 沈向前 , 张晋敏 ,

功能材料

采用磁控溅射沉积方法制备Mg2 Si半导体薄膜.首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理.采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征.研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(350~550℃)和热处理时间(3~7h)对Mg2Si薄膜形成的影响.结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400~550℃热处理4~5h是最佳的热处理条件.在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致.

关键词: 半导体薄膜 , Mg2Si , 磁控溅射 , 热处理 , 表征

青铜器氯化物腐蚀产物的热分析

晏德付 , 秦颍 , , 黄凰

中国腐蚀与防护学报

根除或有效控制有害的“粉状锈”是青铜器保护的关键技术。根据铜的氯化物在一定温度下易分解或挥发这一性质,本文利用热分析仪和X射线衍射(XRD)手段,对青铜试样表面生成的碱式氯化铜(Cu2Cl(OH)3)及氯化亚铜(CuCl)试剂粉末进行分析。结果表明,在大气环境中加热到350℃即可使氯铜矿分解,消除Cl-;CuCl在420℃~430℃融化并挥发,在600℃挥发急剧加速,实验条件下至789℃已完全挥发。

关键词: 青铜器 , chloride , thermal analysis , XRD

六方柱与六角片状CdS晶体的水热法生长

高宁 , 郭范 , 郑伟威 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.015

本研究工作先用CdCl2和S粉在120℃碱性水溶液中合成了CdS粉末前驱体,再以NaOH为矿化剂,不同的水热条件下分别生长了六方柱和六角片状的CdS晶体.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及晶体显微照片对产物进行了表征,并分别探讨了水热条件与晶体形貌、六角片状晶体的大小与生长条件之间的关系.

关键词: 硫化镉 , 水热法 , 晶体生长

舰船用长效防腐涂料甲苯释放规律研究

潘沪湘 , 陶永华 , 王为宗 , 李中付 ,

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2008.10.015

为预防和控制舰艇舱室等密闭环境中甲苯的污染,以舰艇常用的一种非金属材料--长效防腐涂料作为实验样品,密封于实验箱中,在不同的温度条件下脱气,应用气相色谱法在90天的时间内对释放的甲苯浓度进行分析,并做曲线拟合与回归,总结出甲苯浓度随时间和温度变化的规律.

关键词: 长效防腐涂料 , 非金属材料 , 温度 , 甲苯 , 规律

K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算

丰云 , 谢泉 , 高冉 , 沈向前 , 王永远 ,

材料热处理学报

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。

关键词: Ca2Si , 掺杂 , 电子结构 , 光学性质 , 第一性原理

硝磷酸腐蚀的CdTe太阳电池性能

郝瑞英 , 李卫 , 郑家贵 , 冯良桓 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.002

CdTe薄膜的腐蚀是制作CdS/CdTe光伏电池的重要技术之一,本实验采用硝磷酸溶液(硝酸1%+磷酸70%+去离子水29%)腐蚀CdTe薄膜,通过XRD测试发现在CdTe膜上生成了碲层.随后,在腐蚀后的CdTe薄膜上分别沉积了几种结构的背接触层,并制备出相应结构的CdTe太阳能光伏电池.通过电池的光、暗I-V和C-V特性测试,以ZnTe/ZnTe:Cu/Ni为背接触的小面积太阳电池,其性能优于其它背接触的电池.实验结果表明器件性能与碲的生成和铜的扩散密切相关.

关键词: 硝磷酸(NP) , 背接触 , 太阳电池

硝磷酸腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响

李卫 , 冯良桓 , 郝瑞英 ,

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.02.016

采用硝磷酸(NP)背表面刻蚀工艺并结合真空共蒸发法分别沉积了几种背接触层材料,研究了NP腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响.结果表明:NP腐蚀后在CdTe薄膜上产生了富碲层;退火后,碲容易与背接触材料中的铜反应生成CuxTe.通过严格控制和优化腐蚀工艺,选择ZnTe/ZnTe:Cu作为背接触层材料,可制备出优异性能的CdTe太阳电池.

关键词: 材料合成与加工工艺 , 硝磷酸(NP) , 背接触 , 太阳电池

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共5页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词